Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 49

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

IPF009N04NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: $4.238
1.099En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPF009N04NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPF009N04NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

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1.099En existencias

Cinta cortada

$4.238

$1.977

$1.641

$1.493

Envase tipo carrete

$1.493

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

40 V

302 A

900 uOhms

20 V

2.1 V

210 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPP082N10NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1: $2.524
1.841En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP082N10NF2SAKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP082N10NF2SAKM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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1.841En existencias

$2.524

$1.273

$1.016

$863

$836

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

100 V

77 A

8.2 mOhms

20 V

3.8 V

28 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

IPP011N04NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1: $4.659
3.422En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP011N04NF2SAKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP011N04NF2SAKM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

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3.422En existencias

$4.659

$2.209

$1.861

$1.704

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

40 V

201 A

1.15 mOhms

20 V

3.4 V

210 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

ISC019N03L5SATMA1
Infineon Technologies
1: $1.893
6.322En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ISC019N03L5SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC019N03L5SATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

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6.322En existencias

Cinta cortada

$1.893

$947

$787

$646

Ver

Envase tipo carrete

$530

Min.: 1
Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

TDSON-FL-8

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

1.9 mOhms

20 V

1.2 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS ~ StrongIRFET

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 1 N-CH HEXFET 3.1mOhms 41nC

IRFH8318TRPBF
Infineon Technologies
1: $1.273
3.930En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFH8318TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFH8318TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 1 N-CH HEXFET 3.1mOhms 41nC

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3.930En existencias

Cinta cortada

$1.273

$589

$472

$394

Envase tipo carrete

$306

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 4.000

SMD/SMT

PQFN-8

N-Channel

1 Channel

30 V

120 A

4.6 mOhms

20 V

1.8 V

41 nC

- 55 C

+ 150 C

3.6 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V SINGLE N-CH 4.1mOhms 14nC

IRFH8324TRPBF
Infineon Technologies
1: $1.136
3.241En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IRFH8324TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFH8324TRPBF

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V SINGLE N-CH 4.1mOhms 14nC

Hoja de datos

3.241En existencias

Cinta cortada

$1.136

$522

$471

$367

Envase tipo carrete

$262

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 4.000

SMD/SMT

PQFN-8

N-Channel

1 Channel

30 V

90 A

6.3 mOhms

20 V

1.8 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

54 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

ISZ065N03L5SATMA1
Infineon Technologies
1: $1.083
4.237En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
ISZ065N03L5SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISZ065N03L5SATMA

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

Hoja de datos

4.237En existencias

Cinta cortada

$1.083

$500

$442

$340

Envase tipo carrete

$246

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

TSDSON-FL-8

N-Channel

1 Channel

30 V

40 A

8.6 mOhms

20 V

1.2 V

5.2 nC

- 55 C

+ 150 C

Enhancement

OptiMOS ~ StrongIRFET

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency

IPD020N03LF2SATMA1
Infineon Technologies
1: $2.787
8.951En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPD020N03LF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD020N03LF2SATM

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency

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8.951En existencias

Cinta cortada

$2.787

$1.788

$1.220

$1.033

Envase tipo carrete

$864

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.000

SMD/SMT

TO-252-3

N-Channel

1 Channel

30 V

143 A

2.05 mOhms

20 V

2.35 V

33 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency

ISZ028N03LF2SATMA1
Infineon Technologies
1: $1.819
4.955En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISZ028N03LF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISZ028N03LF2SATM

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency

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4.955En existencias

Cinta cortada

$1.819

$863

$770

$606

Envase tipo carrete

$459

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

128 A

2.8 mOhms

20 V

2.35 V

27 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPT015N10NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: $6.184
4.004En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT015N10NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-15N10NF2SATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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Hoja de datos

4.004En existencias

Cinta cortada

$6.184

$3.239

$2.955

$2.682

$2.524

Envase tipo carrete

$2.524

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.800

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

100 V

315 A

1.5 mOhms

20 V

2.2 V

161 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPD040N08NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: $2.650
2.990En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD040N08NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD040N08NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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Hoja de datos

2.990En existencias

Cinta cortada

$2.650

$1.304

$1.167

$930

$903

Envase tipo carrete

$802

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

80 V

129 A

4 mOhms

20 V

2.2 V

54 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPT012N08NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: $6.226
1.648En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT012N08NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT012N08NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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Hoja de datos

1.648En existencias

Cinta cortada

$6.226

$3.271

$2.987

$2.861

$2.556

Envase tipo carrete

$2.556

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.800

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

80 V

351 A

1.23 mOhms

20 V

2.2 V

170 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS

ISP670P06NMAXTSA1
Infineon Technologies
1: $2.461
2.131En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
ISP670P06NMAXTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISP670P06NMAXTSA

Nuevo en Mouser

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS

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Hoja de datos

2.131En existencias

Cinta cortada

$2.461

$1.199

$1.073

$855

Envase tipo carrete

$807

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.000

SMD/SMT

SOT-223-4

P-Channel

1 Channel

60 V

6.4 A

67 mOhms

20 V

4 V

48 nC

- 55 C

+ 150 C

5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 300mA SOT-23-3

2N7002H6327XTSA2
Infineon Technologies
1: $284
528.198En existencias

N.º de artículo del Fabricante
2N7002H6327XTSA2

N.º de artículo de Mouser
726-2N7002H6327XTSA2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 300mA SOT-23-3

Hoja de datos

528.198En existencias

Cinta cortada

$284

$123

$107

$78,9

Envase tipo carrete

$56,8

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

60 V

300 mA

1.6 Ohms

20 V

1.5 V

600 pC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

IPD028N06NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: $3.145
774En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD028N06NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD028N06NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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Hoja de datos

774En existencias

Cinta cortada

$3.145

$1.651

$1.420

$1.209

$1.146

Envase tipo carrete

$1.073

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

139 A

2.85 mOhms

20 V

2.1 V

68 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS

ISP16DP10LMAXTSA1
Infineon Technologies
1: $2.219
1.544En existencias
2.000Se espera el 10-06-2027
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
ISP16DP10LMAXTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISP16DP10LMAXTSA

Nuevo en Mouser

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFETS

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Hoja de datos

1.544En existencias

2.000Se espera el 10-06-2027

Cinta cortada

$2.219

$1.073

$955

$757

Envase tipo carrete

$708

$627

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.000

SMD/SMT

SOT-223-4

P-Channel

1 Channel

60 V

3.9 A

67 mOhms

20 V

4 V

48 nC

- 55 C

+ 150 C

5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V DUAL N-CH LOGIC LEVEL HEXFET

IRLHS6276TRPBF
Infineon Technologies
1: $989
7.855En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IRLHS6276TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRLHS6276TRPBF

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V DUAL N-CH LOGIC LEVEL HEXFET

Hoja de datos

7.855En existencias

Cinta cortada

$989

$453

$401

$307

Envase tipo carrete

$228

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 4.000

SMD/SMT

PQFN 2x2 (DFN2020)

N-Channel

2 Channel

20 V

4.5 A

45 mOhms

12 V

1.8 V

3.1 nC

- 55 C

+ 150 C

1.5 W

Enhancement

StrongIRFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPP050N10NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1: $3.429
1.417En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP050N10NF2SAKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP050N10NF2SAKM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

Obtenga más información

Hoja de datos

1.417En existencias

$3.429

$1.714

$1.546

$1.252

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

110 A

5 mOhms

20 V

3.8 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 8.3A 17.5mOhm 2.5V drive capable

IRLTS6342TRPBF
Infineon Technologies
1: $705
18.179En existencias
21.000Se espera el 06-10-2026

N.º de artículo del Fabricante
IRLTS6342TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRLTS6342TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 8.3A 17.5mOhm 2.5V drive capable

Hoja de datos

18.179En existencias

21.000Se espera el 06-10-2026

Cinta cortada

$705

$318

$279

$211

Envase tipo carrete

$161

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

TSOP-6

N-Channel

1 Channel

30 V

8.3 A

17.5 mOhms

12 V

1.8 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

HEXFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPF050N10NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: $3.102
1.215En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPF050N10NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPF050N10NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

Obtenga más información

Hoja de datos

1.215En existencias

Cinta cortada

$3.102

$1.535

$1.283

$1.033

Envase tipo carrete

$996

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

100 V

117 A

5.05 mOhms

20 V

2.2 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPF014N08NF2SATMA1
Infineon Technologies
1: $7.257
4.246En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPF014N08NF2SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPF014N08NF2SATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

Obtenga más información

Hoja de datos

4.246En existencias

Cinta cortada

$7.257

$3.860

$3.534

$3.134

Envase tipo carrete

$3.134

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

80 V

282 A

1.4 mOhms

20 V

2.2 V

170 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPP026N10NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1: $4.764
1.358En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP026N10NF2SAKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP026N10NF2SAKM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

Obtenga más información

Hoja de datos

1.358En existencias

$4.764

$2.608

$2.366

$1.956

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

184 A

2.6 mOhms

20 V

3.8 V

103 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPP040N08NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1: $3.039
6.337En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP040N08NF2SAKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP040N08NF2SAKM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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$1.504

$1.357

$1.094

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

80 V

115 A

4 mOhms

20 V

3.8 V

54 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPP055N08NF2SAKMA1
Infineon Technologies
1: $2.419
3.987En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP055N08NF2SAKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP055N08NF2SAKM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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$2.419

$1.178

$1.049

$835

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

80 V

99 A

5.5 mOhms

20 V

3.8 V

36 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 25V 5.8A 24mOhm 5.4 Qg

IRFML8244TRPBF
Infineon Technologies
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58.540En existencias
45.000Se espera el 29-04-2027

N.º de artículo del Fabricante
IRFML8244TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFML8244TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 25V 5.8A 24mOhm 5.4 Qg

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58.540En existencias

45.000Se espera el 29-04-2027

Cinta cortada

$536

$240

$171

$133

Envase tipo carrete

$108

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

25 V

5.8 A

41 mOhms

20 V

1.7 V

5.4 nC

- 55 C

+ 175 C

1.25 W

Enhancement

HEXFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

120 mA
190 mA
300 mA
1.1 A
2.7 A
3.4 A
3.6 A
3.7 A
3.9 A
4.1 A
4.5 A
5 A
5.3 A
5.8 A
6.3 A
6.4 A
8.3 A
22 A
40 A
52 A

900 uOhms
1.05 mOhms
1.15 mOhms
1.23 mOhms
1.4 mOhms
1.5 mOhms
1.6 mOhms
1.9 mOhms
1.95 mOhms
2.05 mOhms
2.4 mOhms
2.6 mOhms
2.8 mOhms
2.85 mOhms
4 mOhms
4.2 mOhms
4.6 mOhms
5 mOhms
5.05 mOhms
5.5 mOhms

600 pC
630 pC
1 nC
2.6 nC
2.8 nC
2.9 nC
3.1 nC
3.5 nC
3.7 nC
4 nC
5.2 nC
5.4 nC
6.8 nC
8.9 nC
11 nC
14 nC
15 nC
19 nC
22 nC
23 nC

500 mW
1.25 W
1.3 W
1.5 W
1.8 W
2 W
3.6 W
4.2 W
5 W
9.6 W
54 W
69 W
71 W
75 W
83 W
100 W
107 W
136 W
140 W
150 W