Power MOSFETs for Wireless Charging Transmitters

PANJIT Power MOSFETs for Wireless Charging Transmitters provide an advanced solution for the wireless chargers to work properly and efficiently. These wireless charging transmitters are designed to transfer the electromagnetic field to the battery receiver of its application. The power MOSFETs are assembled in a low-profile package that saves space while delivering similar on-resistance and thermal resistance. These devices feature low switching losses, high switching frequency operation, low operating temperature, and low gate drive losses. The power MOSFETs are ideally used in wireless charging pads, wireless charging sockets, wireless charging cases, and wireless charging stations.

Resultados: 130
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Empaquetado
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 6.330En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 10.000

Si SMD/SMT DFN-1006-3 N-Channel 1 Channel 30 V 300 mA 1.2 Ohms - 10 V, 10 V 1 V 900 pC - 55 C + 150 C 700 mW Enhancement Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 182.043En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 40 V 3.1 A 88 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 6 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 17.174En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 60 V 16 A 50 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 14 nC - 55 C + 175 C 32.6 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 28.057En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-6 P-Channel 1 Channel 20 V 7.4 A 26 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 16.5 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 1.669En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 20 V 5.2 A 36 mOhms - 12 V, 12 V 1.2 V 4.1 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 236.182En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 4.4 A 48 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 5.8 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 107.638En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 4.4 A 48 mOhms - 12 V, 12 V 1.2 V 11.3 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 2.970En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si 30 V 10 A 12 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 7.1 nC Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 4.936En existencias
15.000Se espera el 09-09-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 30 V 3.6 A 54 mOhms - 12 V, 12 V 1.3 V 19 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 3.672En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 30 V 3.6 A 72 mOhms - 12 V, 12 V 1.3 V 15 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 1.939En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 30 V 3.1 A 98 mOhms - 12 V, 12 V 1.3 V 11 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 6.594En existencias
9.000Se espera el 27-08-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 5.6 A 23 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 12.8 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 2.990En existencias
3.000Se espera el 20-01-2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 5.6 A 29.81 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 7.8 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 16.082En existencias
36.000Se espera el 21-10-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 5.6 A 30 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 7.8 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 4.167En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 30 V 3.6 A 73 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 10 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 873En existencias
3.000Se espera el 09-09-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 30 V 3.6 A 73 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 10 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 11.425En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 3.1 A 100 mOhms - 12 V, 12 V 1.2 V 5.4 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 5.042En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 20 V 4.1 A 56 mOhms - 12 V, 12 V 1.2 V 4.6 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 6.939En existencias
9.000Se espera el 30-12-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 20 V 4.1 A 56 mOhms - 12 V, 12 V 1.2 V 4.6 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 1.710En existencias
6.000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 3.4 A 82 mOhms - 12 V, 12 V 1.2 V 7 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 2.187En existencias
24.000Se espera el 05-04-2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 4.5 A 88 mOhms - 12 V, 12 V 1.3 V 10 nC - 50 C + 150 C 1.25 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected 1.346En existencias
3.000Se espera el 21-04-2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 4.3 A 50 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 24 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected 1.586En existencias
3.000Se espera el 11-01-2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 4.3 A 50 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 24 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 562En existencias
6.000Se espera el 29-12-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 4.5 A 46 mOhms - 12 V, 12 V 1.3 V 10 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected 3.685En existencias
3.000Se espera el 21-01-2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 20 V 6.5 A 22 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 8.6 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel