Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 27

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Nombre comercial

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPB65R065C7ATMA2 Infineon Technologies 1: $10.618 1.245En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB65R065C7ATMA2 N.º de artículo de Mouser 726-IPB65R065C7ATMA2	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmosc7 mosfet	Hoja de datos	1.245En existencias	Cinta cortada $10.618 $5.844 $5.389 $5.275 Envase tipo carrete $5.093 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	650 V	33 A	65 mOhms	20 V	4 V	64 nC	- 55 C	+ 150 C	171 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPP65R065C7 Infineon Technologies 1: $10.345 365En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPP65R065C7 N.º de artículo de Mouser 726-IPP65R065C7	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmosc7 mosfet	Hoja de datos	365En existencias	$10.345 $7.280 $5.890 $5.229 $4.637	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	650 V	33 A	58 mOhms	20 V	3 V	64 nC	- 55 C	+ 150 C	171 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 10A ThinPAK-4 CoolMOS C7 IPL65R230C7 Infineon Technologies 1: $4.056 6.299En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPL65R230C7 N.º de artículo de Mouser 726-IPL65R230C7	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 10A ThinPAK-4 CoolMOS C7 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmosc7 mosfet	Hoja de datos	6.299En existencias	Cinta cortada $4.056 $2.039 $1.789 $1.492 $1.458 Envase tipo carrete $1.390 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	VSON-4	N-Channel	1 Channel	650 V	10 A	230 mOhms	20 V	4 V	20 nC	- 40 C	+ 150 C	67 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 46A TO220-3 CoolMOS C7 IPP65R045C7 Infineon Technologies 1: $13.888 713En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPP65R045C7 N.º de artículo de Mouser 726-IPP65R045C7	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 46A TO220-3 CoolMOS C7 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmosc7 mosfet	Hoja de datos	713En existencias	$13.888 $10.048 $8.374 $7.451 $7.052	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	650 V	46 A	40 mOhms	20 V	3 V	93 nC	- 55 C	+ 150 C	227 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS IPA65R045C7 Infineon Technologies 1: $13.922 168En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPA65R045C7 N.º de artículo de Mouser 726-IPA65R045C7	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmosc7 mosfet	Hoja de datos	168En existencias	$13.922 $10.071 $8.396 $7.474 $7.075	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	650 V	18 A	40 mOhms	20 V	3 V	93 nC	- 55 C	+ 150 C	35 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS IPA65R065C7 Infineon Technologies 1: $10.390 243En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPA65R065C7 N.º de artículo de Mouser 726-IPA65R065C7	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmosc7 mosfet	Hoja de datos	243En existencias	$10.390 $7.314 $5.924 $5.252 $4.705	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	650 V	15 A	58 mOhms	20 V	3 V	64 nC	- 55 C	+ 150 C	34 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPB65R045C7ATMA2 Infineon Technologies 1: $14.366 6.984En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB65R045C7ATMA2 N.º de artículo de Mouser 726-IPB65R045C7ATMA2	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmosc7 mosfet	Hoja de datos	6.984En existencias	Cinta cortada $14.366 $8.260 $8.055 $7.793 Envase tipo carrete $7.166 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)														Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPB65R095C7ATMA2 Infineon Technologies 1: $8.089 891En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB65R095C7ATMA2 N.º de artículo de Mouser 726-IPB65R095C7ATMA2	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmosc7 mosfet	Hoja de datos	891En existencias	Cinta cortada $8.089 $4.318 $3.953 $3.737 Envase tipo carrete $3.486 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	650 V	24 A	84 mOhms	20 V	3 V	45 nC	- 55 C	+ 150 C	128 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPB65R190C7ATMA2 Infineon Technologies 1: $4.717 2.993En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB65R190C7ATMA2 N.º de artículo de Mouser 726-IPB65R190C7ATMA2	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmosc7 mosfet	Hoja de datos	2.993En existencias	Cinta cortada $4.717 $2.404 $2.176 $1.811 Envase tipo carrete $1.698 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.000	Si	SMD/SMT	TO-263	N-Channel	1 Channel	650 V	13 A	404 mOhms	20 V	3.5 V	23 nC	- 55 C	+ 150 C	72 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11A DPAK-2 CoolMOS C7 IPD65R225C7 Infineon Technologies 1: $3.896 1.302En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD65R225C7 N.º de artículo de Mouser 726-IPD65R225C7	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11A DPAK-2 CoolMOS C7 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmosc7 mosfet	Hoja de datos	1.302En existencias	Cinta cortada $3.896 $2.529 $1.743 $1.447 $1.344 Envase tipo carrete $1.265 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	650 V	11 A	225 mOhms	20 V	4 V	20 nC	- 55 C	+ 150 C	63 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWERNEW IPW65R095C7 Infineon Technologies 1: $9.205 678En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPW65R095C7 N.º de artículo de Mouser 726-IPW65R095C7	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWERNEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmosc7 mosfet	Hoja de datos	678En existencias	$9.205 $6.163 $4.956 $4.386 $3.896	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	650 V	24 A	84 mOhms	20 V	3 V	45 nC	- 55 C	+ 150 C	128 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPW65R190C7 Infineon Technologies 1: $5.582 211En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IPW65R190C7 N.º de artículo de Mouser 726-IPW65R190C7 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW	Hoja de datos	211En existencias	$5.582 $3.657 $2.734 $2.279 Ver $2.119 $1.982	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	650 V	13 A	168 mOhms	20 V	3.5 V	23 nC	- 55 C	+ 150 C	72 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 75A TO247-3 CoolMOS C7 IPW65R019C7 Infineon Technologies 1: $28.322 491En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPW65R019C7 N.º de artículo de Mouser 726-IPW65R019C7	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 75A TO247-3 CoolMOS C7 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmosc7 mosfet	Hoja de datos	491En existencias	$28.322 $21.156 $18.297 $17.317 Presupuesto Presupuesto	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	650 V	75 A	19 mOhms	20 V	3 V	215 nC	- 55 C	+ 150 C	446 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 46A TO247-3 CoolMOS C7 IPW65R045C7 Infineon Technologies 1: $14.298 424En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPW65R045C7 N.º de artículo de Mouser 726-IPW65R045C7	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 46A TO247-3 CoolMOS C7 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmosc7 mosfet	Hoja de datos	424En existencias	$14.298 $10.652 $8.886 $7.907 $7.485	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	650 V	46 A	40 mOhms	20 V	3.5 V	93 nC	- 55 C	+ 150 C	227 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS IPA65R125C7XKSA1 Infineon Technologies 1: $6.323 59En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPA65R125C7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPA65R125C7XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmosc7 mosfet	Hoja de datos	59En existencias	$6.323 $3.304 $3.008 $2.541	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	650 V	10 A	125 mOhms	20 V	3 V	35 nC	- 55 C	+ 150 C	32 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS IPA65R190C7XKSA1 Infineon Technologies 1: $4.227 815En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPA65R190C7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPA65R190C7XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmosc7 mosfet	Hoja de datos	815En existencias	$4.227 $2.324 $2.108 $1.709 Ver $1.686 $1.629	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	650 V	8 A	168 mOhms	20 V	3 V	23 nC	- 55 C	+ 150 C	30 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPD65R190C7 Infineon Technologies 1: $4.056 1.076En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD65R190C7 N.º de artículo de Mouser 726-IPD65R190C7	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmosc7 mosfet	Hoja de datos	1.076En existencias	Cinta cortada $4.056 $2.643 $1.857 $1.549 $1.481 Envase tipo carrete $1.344	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	650 V	13 A	190 mOhms	20 V	3 V	23 nC	- 55 C	+ 150 C	72 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPP65R095C7 Infineon Technologies 1: $8.248 69En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPP65R095C7 N.º de artículo de Mouser 726-IPP65R095C7	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmosc7 mosfet	Hoja de datos	69En existencias	$8.248 $5.400 $3.976 $3.372 $3.133	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	650 V	24 A	84 mOhms	20 V	3 V	45 nC	- 55 C	+ 150 C	128 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPW65R065C7 Infineon Technologies 1: $11.108 158En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPW65R065C7 N.º de artículo de Mouser 726-IPW65R065C7	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmosc7 mosfet	Hoja de datos	158En existencias	$11.108 $7.588 $6.255 $5.571 $5.275	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	650 V	33 A	65 mOhms	20 V	3 V	64 nC	- 55 C	+ 150 C	171 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 75A TO247-4 IPZ65R019C7 Infineon Technologies 1: $27.343 73En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPZ65R019C7 N.º de artículo de Mouser 726-IPZ65R019C7	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 75A TO247-4 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmosc7 mosfet	Hoja de datos	73En existencias	$27.343 $21.885 $18.923 $17.921 Presupuesto Presupuesto	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-4	N-Channel	1 Channel	650 V	75 A	17 mOhms	20 V	3 V	215 nC	- 55 C	+ 150 C	446 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 46A TO247-4 IPZ65R045C7 Infineon Technologies 1: $15.916 380En pedido	N.º de artículo del Fabricante IPZ65R045C7 N.º de artículo de Mouser 726-IPZ65R045C7	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 46A TO247-4 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmosc7 mosfet	Hoja de datos	380En pedido	$15.916 $12.122 $10.105 $8.522 Presupuesto Presupuesto	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-4	N-Channel	1 Channel	650 V	46 A	40 mOhms	20 V	3 V	93 nC	- 55 C	+ 150 C	227 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS C7 Power Trans; 225mOhm IPP65R225C7 Infineon Technologies 500: $1.572 Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas	N.º de artículo del Fabricante IPP65R225C7 N.º de artículo de Mouser 726-IPB65R225C7	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS C7 Power Trans; 225mOhm Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmosc7 mosfet	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas	$1.572 $1.458 $1.379	Min.: 500 Mult.: 500	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	650 V	11 A	199 mOhms	20 V	3 V	20 nC	- 55 C	+ 150 C	63 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS IPL65R070C7 Infineon Technologies 3.000: $4.967 Plazo de entrega no en existencias 39 Semanas	N.º de artículo del Fabricante IPL65R070C7 N.º de artículo de Mouser 726-IPL65R070C7	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmosc7 mosfet	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 39 Semanas	Envase tipo carrete $4.967	Min.: 3.000 Mult.: 3.000 : 3.000	Si	SMD/SMT	VSON-4	N-Channel	1 Channel	650 V	28 A	62 mOhms	20 V	3 V	64 nC	- 40 C	+ 150 C	169 W	Enhancement	CoolMOS	Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS IPL65R099C7 Infineon Technologies 3.000: $3.406 Plazo de entrega no en existencias 39 Semanas	N.º de artículo del Fabricante IPL65R099C7 N.º de artículo de Mouser 726-IPL65R099C7	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmosc7 mosfet	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 39 Semanas	Envase tipo carrete $3.406	Min.: 3.000 Mult.: 3.000 : 3.000	Si	SMD/SMT	VSON-4	N-Channel	1 Channel	650 V	21 A	88 mOhms	20 V	3 V	45 nC	- 40 C	+ 150 C	128 W	Enhancement	CoolMOS	Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS C7 Power Trans; 130mOhm IPL65R130C7 Infineon Technologies 3.000: $2.666 Plazo de entrega no en existencias 39 Semanas	N.º de artículo del Fabricante IPL65R130C7 N.º de artículo de Mouser 726-IPL65R130C7	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS C7 Power Trans; 130mOhm Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmosc7 mosfet	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 39 Semanas	Envase tipo carrete $2.666	Min.: 3.000 Mult.: 3.000 : 3.000	Si	SMD/SMT	VSON-4	N-Channel	1 Channel	650 V	15 A	115 mOhms	20 V	3 V	35 nC	- 40 C	+ 150 C	102 W	Enhancement	CoolMOS	Reel

Filtros aplicados:

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte