Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPA70R600P7SXKSA1
Infineon Technologies
1:
$1.514
68.703 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPA70R600P7XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
68.703 En existencias
1
$1.514
10
$814
100
$708
500
$592
1.000
Ver
1.000
$450
2.500
$442
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
700 V
8.5 A
600 mOhms
16 V
2.5 V
10.5 nC
- 40 C
+ 150 C
24.9 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPD80R360P7ATMA1
Infineon Technologies
1:
$3.544
4.892 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R360P7ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
4.892 En existencias
1
$3.544
10
$1.777
100
$1.599
500
$1.294
1.000
$1.262
2.500
$1.167
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2.500
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
800 V
13 A
310 mOhms
20 V
2.5 V
30 nC
- 55 C
+ 150 C
84 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPAN70R600P7SXKSA1
Infineon Technologies
1:
$1.798
4.860 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPAN70R600P7SXKS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
4.860 En existencias
1
$1.798
10
$851
100
$758
500
$595
1.000
$461
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
700 V
8.5 A
490 mOhms
30 V
2.5 V
10.5 nC
- 40 C
+ 150 C
24.9 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPD80R2K4P7ATMA1
Infineon Technologies
1:
$1.462
9.148 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R2K4P7ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
9.148 En existencias
1
$1.462
10
$686
100
$610
500
$475
2.500
$381
5.000
Ver
1.000
$464
5.000
$348
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2.500
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
800 V
2.5 A
2 Ohms
20 V
2.5 V
7.5 nC
- 55 C
+ 150 C
22 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPD80R750P7ATMA1
Infineon Technologies
1:
$2.282
4.458 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R750P7ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
4.458 En existencias
1
$2.282
10
$1.104
100
$985
500
$784
1.000
$727
2.500
$644
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2.500
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
800 V
7 A
640 mOhms
20 V
2.5 V
17 nC
- 55 C
+ 150 C
51 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPL60R065P7AUMA1
Infineon Technologies
1:
$8.487
3.457 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R065P7AUMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
3.457 En existencias
1
$8.487
10
$4.606
100
$4.228
500
$4.112
1.000
$3.828
3.000
$3.828
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3.000
Detalles
Si
SMD/SMT
VSON-4
N-Channel
1 Channel
600 V
41 A
53 mOhms
20 V
3 V
67 nC
- 40 C
+ 150 C
201 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPD80R1K2P7ATMA1
Infineon Technologies
1:
$1.883
8.670 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R1K2P7ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
8.670 En existencias
1
$1.883
10
$895
100
$798
500
$629
2.500
$511
5.000
Ver
1.000
$583
5.000
$492
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2.500
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
800 V
4.5 A
1 Ohms
20 V
2.5 V
11 nC
- 55 C
+ 150 C
37 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPA80R900P7XKSA1
Infineon Technologies
1:
$2.387
1.266 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPA80R900P7XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
1.266 En existencias
1
$2.387
10
$1.157
100
$1.035
500
$789
1.000
Ver
1.000
$719
5.000
$684
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
800 V
6 A
770 mOhms
20 V
2.5 V
15 nC
- 55 C
+ 150 C
26 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPAN70R360P7SXKSA1
Infineon Technologies
1:
$2.114
1.659 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPAN70R360P7SXKS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
1.659 En existencias
1
$2.114
10
$1.014
100
$907
500
$744
1.000
Ver
1.000
$623
5.000
$618
10.000
$578
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
700 V
12.5 A
300 mOhms
30 V
2.5 V
16.4 nC
- 40 C
+ 150 C
26.5 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPZA60R045P7XKSA1
Infineon Technologies
1:
$9.949
220 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPZA60R045P7XKSA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
220 En existencias
1
$9.949
10
$5.574
100
$5.143
480
$5.017
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
650 V
61 A
45 mOhms
20 V
3.5 V
90 nC
- 55 C
+ 150 C
201 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPN95R2K0P7ATMA1
Infineon Technologies
1:
$1.798
2.042 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPN95R2K0P7ATMA1
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
2.042 En existencias
1
$1.798
10
$851
100
$758
500
$595
3.000
$474
6.000
Ver
1.000
$570
6.000
$457
9.000
$428
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3.000
Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-223-3
N-Channel
1 Channel
950 V
4 A
2 Ohms
20 V
2.5 V
10 nC
- 55 C
+ 150 C
7 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPA80R450P7XKSA1
Infineon Technologies
1:
$3.166
1.451 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPA80R450P7XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
1.451 En existencias
1
$3.166
10
$1.567
100
$1.409
500
$1.094
1.000
Ver
1.000
$1.052
5.000
$1.006
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
800 V
11 A
450 mOhms
30 V
3 V
24 nC
- 55 C
+ 150 C
29 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPD60R600P7ATMA1
Infineon Technologies
1:
$1.819
2.475 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R600P7ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
2.475 En existencias
1
$1.819
10
$869
100
$726
500
$596
2.500
$499
5.000
Ver
1.000
$553
5.000
$474
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2.500
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
600 V
6 A
490 mOhms
20 V
3 V
9 nC
- 55 C
+ 150 C
30 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPU80R900P7AKMA1
Infineon Technologies
1:
$2.135
1.431 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPU80R900P7AKMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
1.431 En existencias
1
$2.135
10
$957
100
$859
500
$719
1.000
Ver
1.000
$636
1.500
$631
4.500
$607
10.500
$585
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-251-3
N-Channel
1 Channel
800 V
6 A
900 mOhms
20 V
2.5 V
15 nC
- 55 C
+ 150 C
45 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPB60R045P7ATMA1
Infineon Technologies
1:
$8.613
4.712 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R045P7ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
4.712 En existencias
1
$8.613
10
$5.763
100
$4.638
500
$4.154
1.000
$3.765
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1.000
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
120 V
61 A
45 mOhms
20 V
1.7 V
90 nC
- 55 C
+ 150 C
201 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
+1 imagen
IPW60R037P7XKSA1
Infineon Technologies
1:
$11.285
12.682 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R037P7XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
12.682 En existencias
1
$11.285
10
$6.131
100
$5.669
480
$5.627
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 4.000
Detalles
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
600 V
76 A
30 mOhms
20 V
3 V
121 nC
- 55 C
+ 150 C
255 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
+1 imagen
IPW60R180P7XKSA1
Infineon Technologies
1:
$4.365
19.007 En existencias
23.760 Se espera el 12-11-2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R180P7XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
19.007 En existencias
23.760 Se espera el 12-11-2026
1
$4.365
10
$2.156
100
$1.967
480
$1.630
2.640
$1.578
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
600 V
18 A
145 mOhms
20 V
3 V
25 nC
- 55 C
+ 150 C
72 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPA80R750P7XKSA1
Infineon Technologies
1:
$2.682
8.376 En existencias
500 Se espera el 21-10-2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPA80R750P7XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
8.376 En existencias
500 Se espera el 21-10-2026
1
$2.682
10
$1.304
100
$1.157
500
$932
1.000
Ver
1.000
$835
2.500
$780
5.000
$751
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
800 V
7 A
640 mOhms
20 V
2.5 V
17 nC
- 55 C
+ 150 C
27 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPB60R180P7ATMA1
Infineon Technologies
1:
$3.513
7.565 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R180P7ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
7.565 En existencias
1
$3.513
10
$1.756
100
$1.588
500
$1.283
1.000
$1.178
2.000
$1.167
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1.000
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
600 V
18 A
145 mOhms
20 V
3 V
25 nC
- 55 C
+ 150 C
72 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
IPB60R280P7ATMA1
Infineon Technologies
1:
$2.924
4.443 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R280P7ATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
4.443 En existencias
1
$2.924
10
$1.441
100
$1.294
500
$1.040
1.000
$957
2.000
$918
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1.000
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
600 V
12 A
214 mOhms
20 V
3 V
18 nC
- 55 C
+ 150 C
53 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPD70R1K4P7SAUMA1
Infineon Technologies
1:
$1.104
32.809 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPD70R1K4P7AUMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
32.809 En existencias
1
$1.104
10
$508
100
$449
500
$346
2.500
$274
5.000
Ver
1.000
$330
5.000
$242
10.000
$238
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2.500
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
700 V
4 A
1.15 Ohms
16 V
2.5 V
4.7 nC
- 40 C
+ 150 C
22.7 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
IPN70R600P7SATMA1
Infineon Technologies
1:
$1.367
4.778 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPN70R600P7SATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
4.778 En existencias
1
$1.367
10
$638
100
$567
500
$441
3.000
$347
6.000
Ver
1.000
$430
6.000
$321
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3.000
Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-223-3
N-Channel
1 Channel
700 V
8.5 A
490 mOhms
16 V
2.5 V
10.5 nC
- 40 C
+ 150 C
6.9 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
+1 imagen
IPW60R024P7XKSA1
Infineon Technologies
1:
$15.018
1.009 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R024P7XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
1.009 En existencias
1
$15.018
10
$8.414
100
$8.098
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
101 A
24 mOhms
20 V
3.5 V
164 nC
- 55 C
+ 150 C
291 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
+1 imagen
IPW60R045P7XKSA1
Infineon Technologies
1:
$10.065
1.030 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R045P7XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
1.030 En existencias
1
$10.065
10
$6.352
100
$4.880
480
$4.712
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
61 A
45 mOhms
20 V
3.5 V
90 nC
- 55 C
+ 150 C
201 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPA60R060P7XKSA1
Infineon Technologies
1:
$7.446
2.993 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R060P7XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
2.993 En existencias
1
$7.446
10
$3.954
100
$3.618
500
$3.018
1.000
$2.997
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
48 A
49 mOhms
20 V
3 V
67 nC
- 55 C
+ 150 C
29 W
Enhancement
CoolMOS
Tube