PSMN N-Channel MOSFETs

Nexperia PSMN N-Channel MOSFETs include standard and logic level, regular and enhancement mode, N-Channel MOSFETs in LFPAK, LFPAK88, I2PAK, TO-220, and DFN3333-8 packages qualified to 150°C or 175°C. These Nexperia PSMN N-Channel MOSFETs are designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications, and domestic equipment. 

Resultados: 61
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Empaquetado
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN039-100YS/SOT669/LFPAK 33.852En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 90 V 20 A 71 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 23 nC - 55 C + 175 C 74 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN7R0-30YLC/SOT669/LFPAK 11.442En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 30 V 61 A 7.1 mOhms - 20 V, 20 V 1.58 V 16 nC - 55 C + 175 C 48 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN016-100BS/SOT404/D2PAK 9.642En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 57 A 28.8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 49 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN013-100YSE/SOT669/LFPAK 4.408En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 100 V 58 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 75 nC - 55 C + 175 C 238 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN0R9-25YLD/SOT669/LFPAK 2.765En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 25 V 300 A 720 uOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 89.8 nC - 55 C + 175 C 238 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN0R9-25YLC/SOT669/LFPAK 16.111En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 25 V 100 A 990 uOhms - 20 V, 20 V 1.05 V 110 nC - 55 C + 175 C 272 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN1R0-30YLC/SOT669/LFPAK 21.294En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 30 V 100 A 1.15 mOhms - 20 V, 20 V 1.05 V 103.5 nC - 55 C + 175 C 272 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN1R2-25YLD/SOT669/LFPAK 7.421En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 25 V 100 A 1.03 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 60.3 nC - 55 C + 175 C 172 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN1R2-30YLD/SOT669/LFPAK 2.632En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 30 V 100 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.7 V 32 nC - 55 C + 175 C 194 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN1R5-30BLE/SOT404/D2PAK 2.397En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 30 V 120 A 1.3 mOhms - 20 V, 20 V 1.7 V 228 nC - 55 C + 175 C 401 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN2R6-30YLC/SOT669/LFPAK 5.231En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 30 V 100 A 2.8 mOhms - 20 V, 20 V 1.54 V 39 nC - 55 C + 175 C 106 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN3R4-30BLE/SOT404/D2PAK 3.682En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 30 V 120 A 2.95 mOhms - 20 V, 20 V 1.7 V 81 nC - 55 C + 175 C 178 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN5R5-60YS/SOT669/LFPAK 10.275En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 8.3 mOhms - 20 V, 20 V 4.6 V 56 nC - 55 C + 175 C 130 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN5R6-100BS/SOT404/D2PAK 4.590En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 100 A 5.6 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 141 nC - 55 C + 175 C 306 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN7R0-100BS/SOT404/D2PAK 3.900En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 90 V 100 A 12 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 125 nC - 55 C + 175 C 269 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN7R6-100BSE/SOT404/D2PAK 3.290En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 75 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 128 nC - 55 C + 175 C 296 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN2R0-30YL/SOT669/LFPAK 663En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 30 V 100 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 64 nC - 55 C + 175 C 97 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN5R0-30YL/SOT669/LFPAK 1.500En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 30 V 91 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 29 nC - 55 C + 175 C 61 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN3R0-30YL/SOT669/LFPAK 1.377En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 30 V 100 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 45.8 nC - 55 C + 175 C 81 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN7R0-30YL/SOT669/LFPAK 10.301En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 30 V 76 A 7 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 22 nC - 55 C + 175 C 51 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN9R1-30YL/SOT669/LFPAK 2.854En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 30 V 57 A 9.1 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 8.4 nC - 55 C + 175 C 52 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN011-60MS/SOT1210/mLFPAK 109En existencias
6.000Se espera el 15-10-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 60 V 61 A 11.3 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 23 nC - 55 C + 175 C 91 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN016-100YS/SOT669/LFPAK 122En existencias
3.000Se espera el 15-10-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 100 V 51 A 16.3 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 54 nC - 55 C + 175 C 117 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN017-60YS/SOT669/LFPAK 483En existencias
22.500Se espera el 15-10-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 54 V 31 A 24.7 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 20 nC - 55 C + 175 C 74 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN020-30MLC/SOT1210/mLFPAK 1.251En existencias
1.500Se espera el 15-10-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 30 V 31.8 A 20.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.62 V 9.5 nC - 55 C + 175 C 33 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel