UJ4C/SC 750V Gen 4 SiC FETs

onsemi UJ4C/SC 750V Gen 4 SiC FETs are high-performance devices that deliver Figures of Merit that lower conduction losses and increase efficiency at higher speeds, improving overall cost-effectiveness. Available in 5.4mΩ to 60mΩ options, the Gen 4 series is based on a unique cascode configuration, where a high-performance SiC JFET is co-packaged with a cascode-optimized Si-MOSFET to produce a standard gate drive SiC device. The standard gate-drive characteristics of the UJ4C/SC 750V FETs allow for "drop-in replacement" functionality. Designers can enhance system performance without changing gate drive voltage by replacing existing Si IGBTs, Si FETs, SiC FETs, or Si super-junction devices with the onsemi UJ4C/SC FETs.

Resultados: 29
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
onsemi MOSFETs de SiC 750V/6MOSICFETG4TO247-4
Hoja de datos
600En existencias
$62.603
$44.671
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 600
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 120 A 5.9 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 164 nC - 55 C + 175 C 714 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/18MOSICFETG4TO247
Hoja de datos
642En existencias
$15.916
$9.137
$9.057
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 600
Through Hole TO-247-3 1 Channel 750 V 81 A 23 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/60MOSICFETG4TO247-4
Hoja de datos
562En existencias
$15.016
$8.339
$7.975
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 28 A 74 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 155 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/33MOSICFETG4TO263
Hoja de datos
486En existencias
Cinta cortada
$17.328
$10.151
$9.604
Envase tipo carrete
$9.604
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 44 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/44MOSICFETG4TO263
Hoja de datos
648En existencias
Cinta cortada
$15.984
$9.148
$8.658
Envase tipo carrete
$8.658
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 35.6 A 56 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 181 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/60MOSICFETG4TO263
Hoja de datos
1.266En existencias
Cinta cortada
$8.966
$4.842
$4.796
$4.625
Envase tipo carrete
$4.625
$4.044
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 25.8 A 74 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 128 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/18MOSICFETG4TO263-7
Hoja de datos
278En existencias
Cinta cortada
$27.867
$20.815
$18.001
$16.132
Envase tipo carrete
$16.132
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 72 A 18 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 259 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/60MOSICFETG4TO247
Hoja de datos
1.258En existencias
$17.431
$10.516
$8.955
$8.237
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 750 V 28 A 74 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 155 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/11MOSICFETG4TO263-7
Hoja de datos
287En existencias
Cinta cortada
$33.700
$26.693
$24.893
$22.512
Envase tipo carrete
$22.512
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7L 1 Channel 750 V 104 A 11 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/5MOSICFETG4TOLL
Hoja de datos
1.630En existencias
Cinta cortada
$58.149
$46.938
$42.962
Envase tipo carrete
$42.962
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2.000
: 2.000
SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 120 A 5 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 164 nC - 55 C + 175 C 1.153 kW Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/8MOSICFETG4TOLL
Hoja de datos
712En existencias
Cinta cortada
$38.599
$28.197
$26.921
$26.693
Envase tipo carrete
$26.693
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2.000
: 2.000
SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 106 A 8 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/18MOSICFETG4TOLL
Hoja de datos
2.497En existencias
Cinta cortada
$26.158
$16.964
$16.007
$15.152
Envase tipo carrete
$15.152
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000
SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 53 A 18 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 349 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/33MOSICFETG4TOLL
Hoja de datos
2.815En existencias
Cinta cortada
$17.944
$10.629
$10.618
$10.060
Envase tipo carrete
$10.060
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000
SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 44 A 33 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/44MOSICFETG4TOLL
Hoja de datos
2.525En existencias
Cinta cortada
$15.882
$9.069
$8.579
Envase tipo carrete
$8.579
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000
SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 35.6 A 44 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 181 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/60MOSICFETG4TOLL
Hoja de datos
3.269En existencias
Cinta cortada
$13.113
$7.337
$7.064
$6.676
Envase tipo carrete
$6.676
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000
SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 27.8 A 58 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 155 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/23MOSICFETG4TOLL
Hoja de datos
1.266En existencias
Cinta cortada
$21.874
$15.574
$13.717
$12.805
Envase tipo carrete
$12.805
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000
SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 64 A 23 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/44MOSICFETG4TO247
Hoja de datos
3.930En existencias
2.400Se espera el 19-10-2026
$17.704
$10.117
$9.410
$9.353
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 37.4 A 56 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 203 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/23MOSICFETG4TO247
Hoja de datos
313En existencias
600Se espera el 18-12-2026
$14.059
$7.747
$7.314
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 600
Through Hole TO-247-3 1 Channel 750 V 66 A 29 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 306 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/23MOSICFETG4TO247
Hoja de datos
1.908En existencias
$14.628
$8.214
$7.998
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 600
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 66 A 29 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 306 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/33MOSICFETG4TO247
Hoja de datos
211En existencias
$17.807
$10.071
$9.957
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 750 V 47 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 242 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/33MOSICFETG4TO247
Hoja de datos
291En existencias
$19.390
$11.028
$10.356
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 47 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 242 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/44MOSICFETG4TO247
Hoja de datos
371En existencias
$13.899
$7.656
$7.212
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 600
Through Hole TO-247-3 1 Channel 750 V 37.4 A 56 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 203 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/9MOSICFETG4TO263-7
Hoja de datos
331En existencias
Cinta cortada
$38.166
$27.798
$26.317
Envase tipo carrete
$26.317
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 106 A 9 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/11MOSICFETG4TO247-4
Hoja de datos
976En existencias
$22.558
$16.850
$14.571
$13.797
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 600
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 104 A 11 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 750V/18MOSICFETG4TO247
Hoja de datos
10En existencias
600Se espera el 28-10-2027
$26.682
$16.508
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 600
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 81 A 23 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET