Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100+
IPB120N10S405ATMA1
Infineon Technologies
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726-IPB120N10S405ATM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100+
14.131 En existencias
1
$4.491
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Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
100 V
120 A
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- 20 V, 20 V
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AEC-Q101
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS
IPD30N08S2L21ATMA1
Infineon Technologies
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726-IPD30N08S2L21ATM
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS
36.610 En existencias
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Si
SMD/SMT
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AEC-Q100
OptiMOS
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
4.570 En existencias
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Si
SMD/SMT
DirectFET-L8
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1 Channel
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 75/80V
IPD90N08S405ATMA1
Infineon Technologies
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 75/80V
3.177 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 75/80V
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Infineon Technologies
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 75/80V
2.278 En existencias
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Si
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AEC-Q101
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS
17.816 En existencias
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Si
SMD/SMT
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1 Channel
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OptiMOS
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IPD60N10S4L-12
Infineon Technologies
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 60A DPAK-2
17.951 En existencias
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Si
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AEC-Q100
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100+
IPD60N10S412ATMA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser
726-IPD60N10S412ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100+
4.387 En existencias
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Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
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AEC-Q101
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Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET
3.697 En existencias
Embalaje alternativo
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Presupuesto
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Min.: 1
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Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
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AEC-Q100
Reel, Cut Tape, MouseReel
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IPG20N10S4L-22A
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser
726-IPG20N10S4L-22A
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
4.816 En existencias
Embalaje alternativo
1
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Min.: 1
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Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
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2 Channel
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AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
IAUT200N08S5N023ATMA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser
726-IAUT200N08S5N023
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
6.045 En existencias
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Comprar
Min.: 1
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2.000
Detalles
Si
SMD/SMT
HSOF-8
N-Channel
1 Channel
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200 A
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Enhancement
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 75/80V
IPP120N08S403AKSA1
Infineon Technologies
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NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPP120N08S403AKS
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 75/80V
1.228 En existencias
1
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Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
80 V
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2 V
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Enhancement
AEC-Q101
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
IAUT150N10S5N035ATMA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser
726-IAUT150N10S5N035
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
6.230 En existencias
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Comprar
Min.: 1
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2.000
Detalles
Si
SMD/SMT
HSOF-8
N-Channel
1 Channel
100 V
150 A
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- 20 V, 20 V
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Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS
IPD30N08S2-22
Infineon Technologies
1:
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N.º de artículo de Mouser
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS
2.349 En existencias
Embalaje alternativo
1
$2.734
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Presupuesto
Comprar
Min.: 1
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Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
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30 A
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Enhancement
AEC-Q100
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 50A DPAK-2 OptiMOS-T
IPD50N10S3L-16
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N.º de artículo de Mouser
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NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 50A DPAK-2 OptiMOS-T
1.830 En existencias
2.500 En pedido
1
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Comprar
Min.: 1
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Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
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Enhancement
AEC-Q100
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
IPG20N10S4L35AATMA1
Infineon Technologies
1:
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N.º de artículo de Mouser
726-20N10S4L35AATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
4.899 En existencias
1
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Min.: 1
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Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
2 Channel
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AEC-Q101
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V,120V(
IAUT165N08S5N029ATMA2
Infineon Technologies
1:
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862 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IAUT165N08S5N029
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V,120V(
862 En existencias
1
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10
$3.018
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Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2.000
Detalles
Si
SMD/SMT
HSOF-8
N-Channel
1 Channel
80 V
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- 20 V, 20 V
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Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T
IPB70N10S3-12
Infineon Technologies
1:
$4.249
720 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPB70N10S312
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T
720 En existencias
Embalaje alternativo
1
$4.249
10
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Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1.000
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
100 V
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AEC-Q100
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 35A D2PAK-2 OptiMOS-T
IPB35N10S3L-26
Infineon Technologies
1:
$3.344
855 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPB35N10S3L-26
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 35A D2PAK-2 OptiMOS-T
855 En existencias
Embalaje alternativo
1
$3.344
10
$2.166
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$1.220
1.000
$1.094
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Ver
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$1.073
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$1.052
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Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1.000
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
100 V
35 A
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AEC-Q100
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
IAUMN08S5N012GAUMA1
Infineon Technologies
1:
$7.173
2.790 En existencias
4.000 Se espera el 28-07-2026
N.º de artículo de Mouser
726-IAUMN08S5N012GAU
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
2.790 En existencias
4.000 Se espera el 28-07-2026
1
$7.173
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
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Infineon Technologies
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Infineon Technologies
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Infineon Technologies
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
6.511 En existencias
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Si
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HSOF-8
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