Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS
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OptiMOS
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Si
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6
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Si
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OptiMOS
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Infineon Technologies
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 45A DPAK-2
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OptiMOS
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Infineon Technologies
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
6.129 En existencias
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Si
SMD/SMT
TDSON-8
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OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V 1 N-CH HEXFET 1.25mOhms 46nC
IRF6717MTRPBF
Infineon Technologies
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942-IRF6717MTRPBF
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V 1 N-CH HEXFET 1.25mOhms 46nC
2.978 En existencias
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Detalles
Si
SMD/SMT
DirectFET-MX
N-Channel
1 Channel
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+ 150 C
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DirectFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 45A D2PAK-2
IPB057N06NATMA1
Infineon Technologies
1:
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6.000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-IPB057N06NATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 45A D2PAK-2
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3.000 Se espera el 22-10-2026
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Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
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20 V
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- 55 C
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OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A I2PAK-3
IPI029N06NAKSA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser
726-IPI029N06NAKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A I2PAK-3
376 En existencias
Embalaje alternativo
1
$3.239
10
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Si
Through Hole
TO-262-3
N-Channel
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OptiMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS Power-Transistor,60V
Infineon Technologies IPP029N06NXKSA1
IPP029N06NXKSA1
Infineon Technologies
1:
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N.º de artículo de Mouser
726-IPP029N06NXKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS Power-Transistor,60V
791 En existencias
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Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
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+ 175 C
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Enhancement
OptiMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS
BSC014N06NSATMA1
Infineon Technologies
1:
$3.618
135 En existencias
25.000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-BSC014N06NSATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS
135 En existencias
25.000 En pedido
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135 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
10.000 Se espera el 22-10-2026
15.000 Se espera el 29-10-2026
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
1
$3.618
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5.000
$1.125
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5.000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
60 V
100 A
1.45 mOhms
20 V
2.1 V
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- 55 C
+ 150 C
156 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
BSC018NE2LS
Infineon Technologies
1:
$1.725
3.490 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSC018NE2LS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
3.490 En existencias
1
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1.000
Ver
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$430
1.000
$506
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$477
5.000
$430
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5.000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
25 V
100 A
1.8 mOhms
20 V
2 V
19 nC
- 55 C
+ 150 C
69 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 84A TDSON-8 OptiMOS
BSC032NE2LS
Infineon Technologies
1:
$1.315
3.015 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSC032NE2LS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 84A TDSON-8 OptiMOS
3.015 En existencias
Embalaje alternativo
1
$1.315
10
$812
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500
$420
5.000
$282
10.000
Ver
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