Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
BSZ0902NS
Infineon Technologies
1:
$2.028
15.133 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ0902NS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
15.133 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5.000
Detalles
Si
SMD/SMT
TSDSON-8
N-Channel
1 Channel
30 V
106 A
2.8 mOhms
20 V
2 V
26 nC
- 55 C
+ 150 C
48 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A D2PAK-2
IPB026N06NATMA1
Infineon Technologies
1:
$5.047
1.517 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB026N06NATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A D2PAK-2
1.517 En existencias
Embalaje alternativo
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1.000
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
60 V
100 A
2.3 mOhms
20 V
2.1 V
66 nC
- 55 C
+ 175 C
136 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS
BSZ018NE2LS
Infineon Technologies
1:
$2.336
5.900 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ018NE2LS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS
5.900 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5.000
Detalles
Si
SMD/SMT
TSDSON-8
N-Channel
1 Channel
25 V
153 A
1.9 mOhms
20 V
2 V
39 nC
- 55 C
+ 150 C
69 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
BSZ0904NSI
Infineon Technologies
1:
$1.914
5.112 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ0904NSI
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
5.112 En existencias
Embalaje alternativo
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5.000
Detalles
Si
SMD/SMT
TSDSON-8
N-Channel
1 Channel
30 V
40 A
4.6 mOhms
20 V
2 V
17 nC
- 55 C
+ 150 C
37 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A DPAK-2
IPD025N06NATMA1
Infineon Technologies
1:
$3.760
6.224 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPD025N06NATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A DPAK-2
6.224 En existencias
Embalaje alternativo
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2.500
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
60 V
90 A
2.1 mOhms
20 V
2.1 V
83 nC
- 55 C
+ 175 C
167 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
BSC0502NSIATMA1
Infineon Technologies
1:
$1.880
9.918 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-BSC0502NSIATMA1
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
9.918 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5.000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
30 V
100 A
2.3 mOhms
20 V
2 V
26 nC
- 55 C
+ 150 C
43 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 84A TDSON-8 OptiMOS
BSC032NE2LS
Infineon Technologies
1:
$1.424
3.013 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSC032NE2LS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 84A TDSON-8 OptiMOS
3.013 En existencias
Embalaje alternativo
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5.000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
25 V
84 A
2.7 mOhms
20 V
1.2 V
21 nC
- 55 C
+ 150 C
37 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS
BSZ060NE2LS
Infineon Technologies
1:
$1.515
5.000 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ060NE2LS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS
5.000 En existencias
Embalaje alternativo
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5.000
Detalles
Si
SMD/SMT
TSDSON-8
N-Channel
1 Channel
25 V
40 A
6.5 mOhms
20 V
2 V
9.1 nC
- 55 C
+ 150 C
26 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A DSON-8 OptiMOS
BSC016N06NSATMA1
Infineon Technologies
1:
$3.429
100.971 En existencias
40.000 Se espera el 10-06-2027
N.º de artículo de Mouser
726-BSC016N06NSATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A DSON-8 OptiMOS
100.971 En existencias
40.000 Se espera el 10-06-2027
Embalaje alternativo
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 10.000
Carrete :
5.000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
60 V
100 A
1.4 mOhms
20 V
1.2 V
95 nC
- 55 C
+ 150 C
139 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8
BSC039N06NSATMA1
Infineon Technologies
1:
$1.811
67.133 En existencias
10.000 Se espera el 21-10-2027
N.º de artículo de Mouser
726-BSC039N06NSATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8
67.133 En existencias
10.000 Se espera el 21-10-2027
Embalaje alternativo
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5.000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
60 V
100 A
3.9 mOhms
20 V
2.1 V
27 nC
- 55 C
+ 150 C
69 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 44A TDSON-8 OptiMOS
BSC0909NS
Infineon Technologies
1:
$1.151
8.480 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-BSC0909NS
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 44A TDSON-8 OptiMOS
8.480 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5.000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
34 V
44 A
7.7 mOhms
20 V
2 V
9.6 nC
- 55 C
+ 150 C
2.5 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 45A D2PAK-2
IPB057N06NATMA1
Infineon Technologies
1:
$3.110
5.409 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB057N06NATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 45A D2PAK-2
5.409 En existencias
Embalaje alternativo
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1.000
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
60 V
45 A
4.9 mOhms
20 V
2.1 V
32 nC
- 55 C
+ 175 C
83 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC028N06NSATMA1
Infineon Technologies
1:
$2.803
19.023 En existencias
15.000 Se espera el 26-11-2026
N.º de artículo de Mouser
726-BSC028N06NSATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
19.023 En existencias
15.000 Se espera el 26-11-2026
Embalaje alternativo
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 5.000
Carrete :
5.000
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
60 V
100 A
2.5 mOhms
20 V
2.1 V
49 nC
- 55 C
+ 150 C
83 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 58A TDSON-8 OptiMOS
BSC050NE2LS
Infineon Technologies
1:
$1.230
13.333 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSC050NE2LS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 58A TDSON-8 OptiMOS
13.333 En existencias
Embalaje alternativo
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5.000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
25 V
58 A
5 mOhms
20 V
1.2 V
10.4 nC
- 55 C
+ 150 C
28 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
BSC0901NSATMA1
Infineon Technologies
1:
$2.279
6.779 En existencias
10.000 Se espera el 28-01-2027
N.º de artículo de Mouser
726-BSC0901NSATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
6.779 En existencias
10.000 Se espera el 28-01-2027
Embalaje alternativo
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5.000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
30 V
100 A
1.6 mOhms
20 V
1.2 V
44 nC
- 55 C
+ 150 C
69 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
BSZ031NE2LS5ATMA1
Infineon Technologies
1:
$1.982
5.931 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ031NE2LS5ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
5.931 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5.000
Detalles
Si
SMD/SMT
TSDSON-8
N-Channel
1 Channel
25 V
40 A
3.2 mOhms
20 V
2 V
13.6 nC
- 55 C
+ 150 C
30 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
BSZ065N03LS
Infineon Technologies
1:
$1.538
9.524 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ065N03LS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
9.524 En existencias
Embalaje alternativo
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5.000
Detalles
Si
SMD/SMT
TSDSON-8
N-Channel
1 Channel
30 V
49 A
6.5 mOhms
20 V
2 V
10 nC
- 55 C
+ 150 C
26 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6
IPB014N06NATMA1
Infineon Technologies
1:
$6.950
595 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB014N06NATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6
595 En existencias
Embalaje alternativo
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1.000
Detalles
Si
SMD/SMT
TO-263-7
N-Channel
1 Channel
60 V
180 A
1.2 mOhms
20 V
2.1 V
124 nC
- 55 C
+ 175 C
214 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 45A DPAK-2
IPD053N06NATMA1
Infineon Technologies
1:
$2.711
2.825 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPD053N06NATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 45A DPAK-2
2.825 En existencias
Embalaje alternativo
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2.500
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
60 V
45 A
4.5 mOhms
20 V
2.1 V
32 nC
- 55 C
+ 175 C
83 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
BSC010NE2LSI
Infineon Technologies
1:
$2.495
5.394 En existencias
5.000 Se espera el 24-12-2026
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-BSC010NE2LSI
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
5.394 En existencias
5.000 Se espera el 24-12-2026
Embalaje alternativo
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5.000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
25 V
100 A
1.05 mOhms
20 V
1.2 V
59 nC
- 55 C
+ 150 C
96 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V 1 N-CH HEXFET 1.25mOhms 46nC
IRF6717MTRPBF
Infineon Technologies
1:
$3.646
4.322 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
942-IRF6717MTRPBF
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V 1 N-CH HEXFET 1.25mOhms 46nC
4.322 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
4.800
Detalles
Si
SMD/SMT
DirectFET-MX
N-Channel
1 Channel
25 V
220 A
1.6 mOhms
20 V
1.8 V
46 nC
- 40 C
+ 150 C
96 W
Enhancement
DirectFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A I2PAK-3
IPI029N06NAKSA1
Infineon Technologies
1:
$3.509
376 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPI029N06NAKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A I2PAK-3
376 En existencias
Embalaje alternativo
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-262-3
N-Channel
1 Channel
60 V
100 A
2.7 mOhms
20 V
2.1 V
66 nC
- 55 C
+ 175 C
136 W
Enhancement
OptiMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS Power-Transistor,60V
Infineon Technologies IPP029N06NXKSA1
IPP029N06NXKSA1
Infineon Technologies
1:
$2.563
791 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPP029N06NXKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS Power-Transistor,60V
791 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
60 V
84 A
2.9 mOhms
20 V
3.3 V
56 nC
- 55 C
+ 175 C
38 W
Enhancement
OptiMOS
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
BSC011N03LS
Infineon Technologies
1:
$2.563
232 En existencias
20.000 Se espera el 30-09-2027
N.º de artículo de Mouser
726-BSC011N03LS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
232 En existencias
20.000 Se espera el 30-09-2027
Embalaje alternativo
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5.000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
30 V
230 A
1.1 mOhms
20 V
2 V
72 nC
- 55 C
+ 150 C
96 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
BSC018NE2LS
Infineon Technologies
1:
$1.846
3.489 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-BSC018NE2LS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
3.489 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5.000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
25 V
100 A
1.8 mOhms
20 V
2 V
19 nC
- 55 C
+ 150 C
69 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel