SI2 Series TrenchFET® Power MOSFETs

Vishay SI2 Series TrenchFET® Power MOSFETs are N-channel MOSFETs designed with 30V V(ds) and are 100% tested gate resistance(Rg). These MOSFETs have gate resistance tested for 1MHz frequency with 0.2Ω to 1.4Ω. These SI2 series MOSFETs operate from -55ºC to 150ºC junction and storage temperature. The SI2 series are ideal for DC/DC converter, Load switch, and power management.

Resultados: 47
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Nombre comercial Empaquetado

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds 8V Vgs SOT-23 953En existencias
153.000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3.000
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 12 V 6 A 23 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 9 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SOT-23 506En existencias
42.000Se espera el 01-07-2027
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3.000
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 6 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 4.2 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 12V Vgs SOT-23 1.511En existencias
339.000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 6.000
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 40 V 4.3 A 51 mOhms - 12 V, 12 V 1.5 V 3.8 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs SOT-23
18.000Se espera el 27-01-2028
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 6.000
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 100 V 3.1 A 102 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 2.9 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs SOT-23 8.449En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 6 A 34 mOhms - 12 V, 12 V 1.5 V 10 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SOT-23 1.429En existencias
165.000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3.000
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 3.6 A 60 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 6.7 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 4.0A 1.25W 47mohm @ 4.5V 5.937En existencias
24.000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3.000
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 3.16 A 47 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 3 nC - 55 C + 150 C 750 mW Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs SOT-23 169En existencias
36.000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 6 A 39 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 9 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs SOT-23
136.900En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3.000
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 5.3 A 39 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 13.6 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs SOT-23
135.697En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3.000
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 20 V 6 A 31.8 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 8.8 nC - 55 C + 150 C 2.1 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 4.0A 0.75W
45.000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3.000
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 3.16 A 47 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 3 nC - 55 C + 150 C 750 mW Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs SOT-23
50.935En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3.000
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 100 V 2.3 A 234 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 10.4 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs SOT-23
107.198En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3.000
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 5.9 A 26.5 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 13.8 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SOT-23
32.919En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3.000
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 30 V 3.5 A 88 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 4.1 nC - 55 C + 150 C 1.8 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs SOT-23
124.295En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3.000
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 40 V 5.6 A 42 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 2.9 nC - 55 C + 150 C 2.1 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds 20V Vgs SOT-23
26.683En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 40 V 4.4 A 77 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 21 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs SOT-23
20.979En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3.000
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 100 V 1.15 A 250 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 3.3 nC - 55 C + 150 C 730 mW Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs SOT-23
14.800Se espera el 09-09-2027
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3.000
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 100 V 1.15 A 250 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 3.3 nC - 55 C + 150 C 730 mW Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V 5.1A 2.5W 35 mohms @ 4.5V
17.890Se espera el 27-01-2028
Min.: 1
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: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 12 V 7.1 A 35 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 9 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 8V Vgs SOT-23
32.119En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 5.2 A 42 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 10 nC - 55 C + 150 C 1.8 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET Plazo de entrega no en existencias 4 Semanas
Min.: 6.000
Mult.: 3.000
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 100 V 2.17 A 160 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 3.8 nC - 55 C + 150 C 1.6 W Enhancement TrenchFET Reel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V 19mohm @ 4.5V No en existencias
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 TrenchFET Reel