SI2 Series TrenchFET® Power MOSFETs

Vishay SI2 Series TrenchFET® Power MOSFETs are N-channel MOSFETs designed with 30V V(ds) and are 100% tested gate resistance(Rg). These MOSFETs have gate resistance tested for 1MHz frequency with 0.2Ω to 1.4Ω. These SI2 series MOSFETs operate from -55ºC to 150ºC junction and storage temperature. The SI2 series are ideal for DC/DC converter, Load switch, and power management.

Resultados: 47
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Nombre comercial Empaquetado

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SOT-23
403.148En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 30 V 3.5 A 88 mOhms 20 V 1 V 4.1 nC - 55 C + 150 C 1.8 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SOT-23
218.737En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 6.000
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 30 V 7.6 A 29 mOhms 20 V 2.5 V 11.4 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs SOT-23
200.682En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 20 V 2.9 A 57 mOhms 8 V 850 mV 3.5 nC - 55 C + 150 C 860 mW Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SOT-23
158.851En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3.000
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 30 V 5 A 33 mOhms 20 V 2.5 V 6.9 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 12V Vgs SOT-23
481.910En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 30 V 4.8 A 45 mOhms 12 V 1.5 V 10.6 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs SOT-23
182.810En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 20 V 2.6 A 57 mOhms 8 V 850 mV 3.5 nC - 55 C + 150 C 710 mW Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -8V Vds 5V Vgs SOT-23 21.772En existencias
9.000Se espera el 24-09-2026
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Máx.: 3.000
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 8 V 6 A 30 mOhms 5 V 350 mV 19.3 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 12V Vgs SOT-23
30.096En existencias
Min.: 1
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Máx.: 3.000
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 3.6 A 68 mOhms 12 V 1.5 V 3 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -8V Vds 8V Vgs SOT-23
32.680En existencias
Min.: 1
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Máx.: 3.000
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 8 V 5.8 A 35 mOhms 8 V 1 V 12 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 4.0A 0.75W
44.113En existencias
Min.: 1
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Máx.: 3.000
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 3.16 A 47 mOhms 20 V 1 V 3 nC - 55 C + 150 C 750 mW Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -150V Vds 20V Vgs SOT-23
21.000En existencias
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Máx.: 3.000
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 150 V 690 mA 1.2 Ohms 20 V 2.5 V 12 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V 5.1A 2.5W 35mohm @ 4.5V
21.507En existencias
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: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 12 V 7.1 A 35 mOhms 8 V 400 mV 15 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SOT-23
12.756En existencias
Min.: 1
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Máx.: 3.000
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 30 V 5.9 A 45 mOhms 20 V 2.5 V 7 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs SOT-23
33.853En existencias
Min.: 1
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Máx.: 3.000
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 3.8 A 66 mOhms 8 V 1 V 9 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs SOT-23
27.753En existencias
Min.: 1
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Máx.: 3.000
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 4.4 A 61 mOhms 8 V 1 V 7.6 nC - 55 C + 150 C 1.8 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 8V Vds 5V Vgs SOT-23
65.103En existencias
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Máx.: 3.000
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 8 V 6 A 17 mOhms 5 V 800 mV 6 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs SOT-23
70.128En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 20 V 2.9 A 57 mOhms 8 V 850 mV 3.5 nC - 55 C + 150 C 860 mW Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SOT-23
12.665En existencias
57.000En pedido
Min.: 1
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: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 30 V 2.7 A 190 mOhms 20 V 1 V 4 nC - 55 C + 150 C 2.3 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SOT-23
22.870En existencias
Min.: 1
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: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 30 V 2.7 A 190 mOhms 20 V 3 V 2 nC - 55 C + 150 C 2.3 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 4.0A 1.25W 47mohm @ 4.5V
14.539En existencias
12.000En pedido
Min.: 1
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Máx.: 3.000
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 3.16 A 47 mOhms 20 V 3 V 3 nC - 55 C + 150 C 750 mW Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds 20V Vgs SOT-23
76.396En existencias
Min.: 1
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: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 60 V 1.6 A 345 mOhms 20 V 3 V 2.7 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs SOT-23
98.457En existencias
8.000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3.000
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 20 V 6 A 31.8 mOhms 8 V 1 V 8.8 nC - 55 C + 150 C 2.1 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SOT-23
7.421En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3.000
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 5.8 A 36 mOhms 20 V 2.5 V 3.2 nC - 55 C + 150 C 2.1 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds 20V Vgs SOT-23
6.147En existencias
18.000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3.000
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 60 V 1.6 A 345 mOhms 20 V 3 V 4.1 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs SOT-23
9En existencias
51.000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3.000
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 100 V 2.3 A 234 mOhms 20 V 1.2 V 10.4 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel