SI2 Series TrenchFET® Power MOSFETs

Vishay SI2 Series TrenchFET® Power MOSFETs are N-channel MOSFETs designed with 30V V(ds) and are 100% tested gate resistance(Rg). These MOSFETs have gate resistance tested for 1MHz frequency with 0.2Ω to 1.4Ω. These SI2 series MOSFETs operate from -55ºC to 150ºC junction and storage temperature. The SI2 series are ideal for DC/DC converter, Load switch, and power management.

Resultados: 47
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SOT-23
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407.465En existencias
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Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 30 V 3.5 A 88 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 4.1 nC - 55 C + 150 C 1.8 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SOT-23
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32.831En existencias
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Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 30 V 2.7 A 190 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 2 nC - 55 C + 150 C 2.3 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SOT-23
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274.079En existencias
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Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 30 V 7.6 A 29 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 11.4 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs SOT-23
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Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 20 V 2.9 A 57 mOhms - 8 V, 8 V 850 mV 3.5 nC - 55 C + 150 C 860 mW Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SOT-23
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Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 30 V 5 A 33 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 6.9 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 12V Vgs SOT-23
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Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 30 V 4.8 A 45 mOhms - 12 V, 12 V 1.5 V 10.6 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs SOT-23
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Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 20 V 2.6 A 57 mOhms - 8 V, 8 V 850 mV 3.5 nC - 55 C + 150 C 710 mW Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs SOT-23
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Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 20 V 2.9 A 57 mOhms - 8 V, 8 V 850 mV 3.5 nC - 55 C + 150 C 860 mW Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds 20V Vgs SOT-23
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Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 60 V 1.6 A 345 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 2.7 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -8V Vds 5V Vgs SOT-23
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Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 8 V 6 A 30 mOhms - 5 V, 5 V 350 mV 19.3 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 12V Vgs SOT-23
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37.420En existencias
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Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 3.6 A 68 mOhms - 12 V, 12 V 1.5 V 3 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SOT-23
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60.000En pedido
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Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 3.6 A 60 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 6.7 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -8V Vds 8V Vgs SOT-23
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Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 8 V 5.8 A 35 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 12 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds 20V Vgs SOT-23
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Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 60 V 1.6 A 345 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 4.1 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -150V Vds 20V Vgs SOT-23
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Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 150 V 690 mA 1.2 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 12 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V 5.1A 2.5W 35mohm @ 4.5V
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Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 12 V 7.1 A 35 mOhms - 8 V, 8 V 400 mV 15 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SOT-23
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Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 30 V 5.9 A 45 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 7 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs SOT-23
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Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 4.4 A 61 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 7.6 nC - 55 C + 150 C 1.8 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 8V Vds 5V Vgs SOT-23
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Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 8 V 6 A 17 mOhms - 5 V, 5 V 800 mV 6 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 12V Vgs SOT-23
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64.820En existencias
144.000En pedido
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Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 40 V 4.3 A 51 mOhms - 12 V, 12 V 1.5 V 3.8 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SOT-23
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28.190En existencias
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Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 30 V 2.7 A 190 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 4 nC - 55 C + 150 C 2.3 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -150V Vds 20V Vgs SOT-23
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10.105En existencias
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Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 150 V 530 mA 1.2 Ohms - 20 V, 20 V 4.5 V 7.7 nC - 55 C + 150 C 750 mW Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SOT-23
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6.000En pedido
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Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 5.8 A 36 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 3.2 nC - 55 C + 150 C 2.1 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs SOT-23
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Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 20 V 5.9 A 30 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 7.7 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 4.0A 1.25W 47mohm @ 4.5V
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Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 3.16 A 47 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 3 nC - 55 C + 150 C 750 mW Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel