Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
IAUC100N10S5L040ATMA1
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IAUS300N08S5N012ATMA1
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IAUZ30N10S5L240ATMA1
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IAUA180N10S5N029AUMA1
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IAUT150N10S5N035ATMA1
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726-IAUT150N10S5N035
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
IAUS240N08S5N019ATMA1
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726-IAUS240N08S5N019
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IAUT200N08S5N023ATMA1
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726-IAUT200N08S5N023
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100 V, N-Ch, 11.3 m max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T (5x7), OptiMOS 5
IAUCN10S5L110TATMA1
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726-IAUCN10S5L110TAT
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100 V, N-Ch, 11.3 m max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T (5x7), OptiMOS 5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 15.8 m max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T (5x7), OptiMOS 5
IAUCN08S5L160TATMA1
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726-IAUCN08S5L160TAT
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 15.8 m max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T (5x7), OptiMOS 5
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OptiMOS
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IAUMN08S5N012GAUMA1
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726-IAUMN08S5N012GAU
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9.739 En existencias
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IAUCN10S5L094DATMA1
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726-IAUCN10S5L094DAT
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
5.400 En existencias
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OptiMOS
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IAUCN10S5L280DATMA1
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726-IAUCN10S5L280DAT
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Si
OptiMOS
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IAUTN08S5N012LATMA1
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726-IAUTN08S5N012LAT
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IAUS300N08S5N011TATMA1
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SMD/SMT
PG-HDSOP-16-2
N-Channel
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IAUC90N10S5N062ATMA1
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726-IAUC90N10S5N062A
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SMD/SMT
TDSON-8
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
IAUT300N10S5N014ATMA1
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726-IAUT300N10S5N014
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35.902 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
IAUMN10S5N016GAUMA1
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726-IAUMN10S5N016GAU
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
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SMD/SMT
PG-HSOG-4-1
N-Channel
1 Channel
100 V
310 A
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
IAUA170N10S5N031AUMA1
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726-IAUA170N10S5N031
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
3.451 En existencias
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Si
SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
100 V
170 A
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
IAUA210N10S5N024AUMA1
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726-IAUA210N10S5N024
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
2.294 En existencias
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Si
SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
100 V
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20 V
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238 W
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Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
IAUA250N08S5N018AUMA1
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2.059 En existencias
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726-IAUA250N08S5N018
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
2.059 En existencias
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Si
SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
80 V
250 A
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20 V
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+ 175 C
238 W
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Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
IAUC100N08S5N043ATMA1
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726-IAUC100N08S5N043
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
14.883 En existencias
35.000 En pedido
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Si
SMD/SMT
TSDSON-8
N-Channel
1 Channel
80 V
100 A
5 mOhms
20 V
2.2 V
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- 55 C
+ 175 C
125 W
Enhancement
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 9.6 m max, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS 5
IAUC50N08S5L096ATMA1
Infineon Technologies
1:
$2.042
4.625 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IAUC50N08S5L096A
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 9.6 m max, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS 5
4.625 En existencias
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Mult.: 1
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Si
SMD/SMT
PG-TDSON-8-33
N-Channel
1 Channel
80 V
50 A
9.6 mOhms
20 V
2 V
22 nC
- 55 C
+ 175 C
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Enhancement
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
IAUC70N08S5N074ATMA1
Infineon Technologies
1:
$2.251
14.188 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IAUC70N08S5N074A
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
14.188 En existencias
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Mult.: 1
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5.000
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Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
80 V
70 A
10.6 mOhms
20 V
2.2 V
30 nC
- 55 C
+ 175 C
83 W
Enhancement
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
IAUS300N08S5N014ATMA1
Infineon Technologies
1:
$6.741
1.798 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IAUS300N08S5N014
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
1.798 En existencias
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Si
SMD/SMT
HSOG-8
N-Channel
1 Channel
80 V
300 A
2.1 mOhms
20 V
2.2 V
187 nC
- 55 C
+ 175 C
300 W
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OptiMOS
Reel, Cut Tape