CoolSiC™ Automotive 1200V G1 SiC Trench MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ Automotive 1200V G1 SiC Trench MOSFETs offer increased power density, higher efficiency, and improved reliability. The granular portfolio features 1200V SiC MOSFETs in TO-247-3pin, TO-247-4pin, and D2PAK-7pin packages with an RDS(on) ranging from 8.7mΩ to 160mΩ, and ID at +25°C, maximum of 17A to 205A. High power density, superior efficiency, bi-directional charging capabilities, and significant reductions in system costs make the Infineon Technologies 1200V Automotive CoolSiC™ MOSFET Modules an ideal choice for onboard charger and DC-DC applications. The TO- and SMD components also come with Kelvin-source pins for optimized switching performance.

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Resultados: 28
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Tipo de producto Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE 2.000En existencias
Cinta cortada
$10.134
$5.874
$5.369
$5.040
Envase tipo carrete
$4.754
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
SiC MOSFETS SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE 722En existencias
$24.111
$17.677
Min.: 1
Mult.: 1
SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SIC_DISCRETE 3.500En existencias
Cinta cortada
$22.398
$14.383
$13.527
Envase tipo carrete
$13.527
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
MOSFETs Si
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE 2.326En existencias
$37.462
$25.725
Min.: 1
Mult.: 1
SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SIC_DISCRETE 436En existencias
Cinta cortada
$16.634
$10.299
Envase tipo carrete
$9.739
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
MOSFETs Si
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SIC_DISCRETE 889En existencias
Cinta cortada
$11.847
$6.588
$6.258
Envase tipo carrete
$5.918
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
MOSFETs Si
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SIC_DISCRETE 1.433En existencias
Cinta cortada
$9.135
$6.203
$4.546
$4.392
Envase tipo carrete
$4.095
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
MOSFETs Si SMD/SMT
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE 1.670En existencias
Cinta cortada
$7.049
$3.733
$3.404
$3.283
Envase tipo carrete
$2.975
Min.: 1
Mult.: 1
: 750
SiC MOSFETS SMD/SMT PG-HDSOP-22-3 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE 59En existencias
240En pedido
$24.364
$16.777
$15.196
$14.680
Min.: 1
Mult.: 1
SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE 44En existencias
2.000En pedido
Cinta cortada
$15.701
$9.838
$8.926
$8.882
Envase tipo carrete
$7.927
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
SiC MOSFETS SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE
3.000En pedido
Cinta cortada
$23.738
$15.393
$14.515
$11.858
Envase tipo carrete
$11.847
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 750
: 750
SiC MOSFETS SMD/SMT PG-HDSOP-22-3 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC Automotive MOSFET 1200 V 20En existencias
3.750En pedido
Cinta cortada
$15.415
$9.036
$9.014
$8.048
Envase tipo carrete
$8.048
Min.: 1
Mult.: 1
: 750
SiC MOSFETS SMD/SMT PG-HDSOP-22-3 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE 43En existencias
750Se espera el 30-09-2027
Cinta cortada
$8.344
$4.480
$4.106
$3.722
Envase tipo carrete
$3.722
Min.: 1
Mult.: 1
: 750
SiC MOSFETS SMD/SMT PG-HDSOP-22-3 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE 91En existencias
480Se espera el 05-08-2027
$13.922
$8.520
$8.487
Min.: 1
Mult.: 1
SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE 106En existencias
240Se espera el 21-10-2026
$12.615
$6.906
$6.423
Min.: 1
Mult.: 1
SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE 37En existencias
720En pedido
$8.773
$5.490
$4.666
$4.084
Min.: 1
Mult.: 1
SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE 148En existencias
720Se espera el 09-10-2026
$35.629
$22.651
Min.: 1
Mult.: 1
SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC Tailored to address OBC/DC-DC applications for 800V Automotive architecture
5.973En pedido
Cinta cortada
$12.001
$8.037
$6.840
$6.017
Envase tipo carrete
$6.017
Min.: 1
Mult.: 1
: 750
SiC MOSFETS SMD/SMT PG-HDSOP-22-3 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE
1.500En pedido
Cinta cortada
$17.578
$10.463
$9.893
Envase tipo carrete
$9.893
Min.: 1
Mult.: 1
: 750
SiC MOSFETS SMD/SMT PG-HDSOP-22-3 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC Tailored to address OBC/DC-DC applications for 800V Automotive architecture
750En pedido
Cinta cortada
$10.255
$5.622
$5.171
$4.897
Envase tipo carrete
$4.897
Min.: 1
Mult.: 1
: 750
SiC MOSFETS SMD/SMT PG-HDSOP-22-3 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE
452Se espera el 03-12-2026
$19.939
$13.483
$10.661
Min.: 1
Mult.: 1
SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE
240Se espera el 09-09-2027
$7.411
$3.843
$3.524
$3.173
Min.: 1
Mult.: 1
SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Cinta cortada
$36.935
$26.527
$26.505
$26.076
Envase tipo carrete
$23.375
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
SiC MOSFETS SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SIC_DISCRETE Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Envase tipo carrete
$3.909
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
: 1.000
MOSFETs Si
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
$11.309
$6.972
$6.050
$5.281
Min.: 1
Mult.: 1
SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel