Resultados: 31
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Empaquetado
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch Enh Mode FET VDSS -20V -12VGSS 17.978En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 480
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-323-3 P-Channel 1 Channel 20 V 1.5 A 134 mOhms 12 V 1 V - 55 C + 150 C 250 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Dual N-Ch FET 40mOhm 10V 5.0A 4.655En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 60 V 5 A 40 mOhms 20 V 1 V 22.4 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 41V-60V 86.055En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2.500
: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 14 A 60 mOhms 20 V 1.2 V 17.1 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 115.748En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3.000
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-523-3 N-Channel 1 Channel 20 V 630 mA 400 mOhms 6 V 500 mV 736.6 pC - 55 C + 150 C 280 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS 94.712En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3.000
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 4.2 A 52 mOhms 8 V 500 mV 10.2 nC - 55 C + 150 C 1.4 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Enh Mode FET 12Vgss 470mA 610mW 16.636En existencias
15.000Se espera el 05-02-2027
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 690
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 470 mA 1.8 Ohms 5 V 1.3 V 740 pC - 55 C + 150 C 610 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Ch Enh FET 250mOhm -10V -2.3A 8.285En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 270
: 2.500

Si SMD/SMT SOT-223-3 P-Channel 1 Channel 100 V 2.3 A 300 mOhms 20 V 3 V 17.5 nC - 55 C + 150 C 13.7 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -40V 11mOhm 25Vgss 1.45W -10.1A 2.743En existencias
2.500Se espera el 09-08-2027
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 160
: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 1 Channel 40 V 10.1 A 15 mOhms 25 V 1.5 V 47.5 nC - 55 C + 150 C 1.82 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Dual N-Ch Enh 7.5Ohm 5V Vgs 0.23A 2.218En existencias
303.000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 6.000
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 2 Channel 60 V 230 mA 7.5 Ohms 20 V 1 V - 55 C + 150 C 400 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N7002 Family 1.351En existencias
15.000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3.000
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-523-3 N-Channel 1 Channel 60 V 115 mA 13.5 Ohms 20 V 1 V - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BSS Family 5.117En existencias
45.000Se espera el 06-10-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3.000
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 2 Channel 50 V 200 mA 3.5 Ohms 20 V 500 mV - 50 C + 150 C 200 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 1.203En existencias
3.000Se espera el 25-08-2027
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 300
: 3.000

Si SMD/SMT DFN-2020-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 12 V 3.9 A, 5.1 A 17 mOhms, 37 mOhms 8 V 400 mV, 1 V 23.1 nC, 20.8 nC - 55 C + 150 C 1.36 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V 1.761En existencias
17.500En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2.500
: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 40 V 5.8 A 45 mOhms 20 V 800 mV, 1.8 V 37.56 nC, 33.66 nC - 55 C + 150 C 2.14 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Ch Enhancement Mode 12.053En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3.000
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 30 V 3.8 A 90 mOhms 20 V 3 V 8.2 nC - 55 C + 150 C 1.36 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 20Vdss 12Vgss 30A 1.030En existencias
54.000Se espera el 21-01-2027
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 6.000
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 20 V 6.5 A 21 mOhms 12 V 900 mV 8.5 nC - 55 C + 150 C 1.3 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 41 to 60V Low Rdson 2.823En existencias
6.000Se espera el 03-02-2027
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 730
: 3.000

Si SMD/SMT TSOT-26-6 N-Channel 2 Channel 60 V 630 mA 1.1 Ohms 12 V 1.3 V 740 pC - 55 C + 150 C 1.09 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS 1.371En existencias
213.000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 9.000
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 310 mA 3 Ohms 20 V 1.2 V 870 pC - 55 C + 150 C 540 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: -30V 1.284En existencias
117.000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3.000
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 30 V 3.8 A 56 mOhms 20 V 2.1 V 8 nC - 55 C + 150 C 1.08 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 3.368En existencias
2.500Se espera el 21-04-2027
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 180
: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 50 A 14 mOhms 25 V 2.5 V 91 nC - 55 C + 150 C 3.3 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60 3.333En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 390
: 2.500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 23.6 A 70 mOhms 20 V 3 V 25 nC - 55 C + 175 C 1.9 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V 40En existencias
5.000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 310
: 2.500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 60 V 37 A 12 mOhms 20 V 1 V 17 nC - 55 C + 175 C 37.5 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 60Vdss 60Vdgr 2.760En existencias
42.000Se espera el 15-01-2027
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3.000
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 500 mA 5 Ohms 20 V 800 mV - 55 C + 150 C 300 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch Enh FET 100Vdgr 20Vgss 200mA
351.008En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 6.000
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 100 V 170 mA 6 Ohms 20 V 2 V - 55 C + 150 C 200 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BSS Family 16En existencias
18.000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3.000
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 50 V 130 mA 10 Ohms 20 V 2 V 280 pC - 55 C + 150 C 300 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N7002 Family
71.310En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3.000
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 220 mA 6 Ohms 20 V 1.2 V - 55 C + 150 C 540 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel