Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Single N-Channel Power MOSFETs

onsemi Single N-Channel Power MOSFETs are designed for compact and efficient designs with a small footprint. These power MOSFETs feature low R_DS(ON), low Q_G, and capacitance, which minimize conduction and driver losses. These MOSFETs are available in 40V, 60V, and 80V drain-to-source voltages and a ±20V gate-to-source voltage. The onsemi Single N-Channel Power MOSFETs are Pb-free and RoHS compliant.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 34

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN U8FL PACKAGE NTTFS4D9N04XMTAG onsemi 1: $1.401 1.182En existencias 3.000Se espera el 27-11-2026 Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante NTTFS4D9N04XMTAG N.º de artículo de Mouser 863-NTTFS4D9N04XMTAG Nuevo producto	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN U8FL PACKAGE Obtenga más información sobre onsemi single n channel power mosfets	Hoja de datos	1.182En existencias 3.000Se espera el 27-11-2026	Cinta cortada $1.401 $725 $570 $448 $386 Envase tipo carrete $294	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.500	Si	SMD/SMT	WDFN-8	N-Channel	1 Channel	40 V	65 A	4.9 mOhms	20 V	3.5 V	10.4 nC	- 55 C	+ 175 C	38 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL LFPAK NTMYS006N08LHTWG onsemi 1: $4.136 1.170En existencias	N.º de artículo del Fabricante NTMYS006N08LHTWG N.º de artículo de Mouser 863-NTMYS006N08LHTWG	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL LFPAK Obtenga más información sobre onsemi single n channel power mosfets	Hoja de datos	1.170En existencias	Cinta cortada $4.136 $2.689 $1.891 $1.584 $1.470 Envase tipo carrete $1.379	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	LFPAK-4	N-Channel	1 Channel	80 V	77 A	7.8 mOhms	20 V	2 V	34 nC	- 55 C	+ 175 C	89 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PREMIER WF NVMFWS3D5N08XT1G onsemi 1: $3.589 24En existencias 6.000Se espera el 19-01-2027	N.º de artículo del Fabricante NVMFWS3D5N08XT1G N.º de artículo de Mouser 863-NVMFWS3D5N08XT1G	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PREMIER WF Obtenga más información sobre onsemi single n channel power mosfets	Hoja de datos	24En existencias 6.000Se espera el 19-01-2027	Cinta cortada $3.589 $2.324 $1.606 $1.344 $1.242 Envase tipo carrete $1.242	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.500	Si	SMD/SMT	DFNW-5	N-Channel	1 Channel	80 V	119 A	3.5 mOhms	20 V	3.6 V	33 nC	- 55 C	+ 175 C	107 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE NVMFWS1D3N04XMT1G onsemi 1: $3.030 13.573En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante NVMFWS1D3N04XMT1G N.º de artículo de Mouser 863-VMFWS1D3N04XMT1G Nuevo producto	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE Obtenga más información sobre onsemi single n channel power mosfets	Hoja de datos	13.573En existencias	Cinta cortada $3.030 $1.948 $1.333 $1.122 Envase tipo carrete $940 Ver $995 $892	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.500	Si	SMD/SMT	DFNW-5	N-Channel	1 Channel	40 V	195 A	1.3 mOhms	20 V	3.5 V	38.6 nC	- 55 C	+ 175 C	90 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE NVMFWS0D63N04XMT1G onsemi 1: $4.739 2.661En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante NVMFWS0D63N04XMT1G N.º de artículo de Mouser 863-MFWS0D63N04XMT1G Nuevo producto	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE Obtenga más información sobre onsemi single n channel power mosfets	Hoja de datos	2.661En existencias	Cinta cortada $4.739 $2.415 $2.347 $1.971 Envase tipo carrete $1.709 Ver $1.823 $1.698	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.500	Si	SMD/SMT	DFNW-5	N-Channel	1 Channel	40 V	384 A	600 uOhms	20 V	3.5 V	92.2 nC	- 55 C	+ 175 C	157 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 25V PC33 SOURCE DOWN DUAL COOL GEN 2 NTTFSSCH0D7N02X onsemi 1: $3.566 2.852En existencias 5.000Se espera el 04-06-2027 Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante NTTFSSCH0D7N02X N.º de artículo de Mouser 863-NTTFSSCH0D7N02X Nuevo producto	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 25V PC33 SOURCE DOWN DUAL COOL GEN 2 Obtenga más información sobre onsemi single n channel power mosfets	Hoja de datos	2.852En existencias 5.000Se espera el 04-06-2027	Cinta cortada $3.566 $2.062 $1.584 $1.287 $1.276 Envase tipo carrete $1.110	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	WDFN-9	N-Channel	1 Channel	25 V	310 A	580 uOhms	- 12 V, 16 V	2 V	33 nC	- 55 C	+ 150 C	87 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10S 40V PC33 SOURCE DOWN GEN 2 NTTFSSH1D3N04XL onsemi 1: $3.714 2.780En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante NTTFSSH1D3N04XL N.º de artículo de Mouser 863-NTTFSSH1D3N04XL Nuevo producto	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10S 40V PC33 SOURCE DOWN GEN 2 Obtenga más información sobre onsemi single n channel power mosfets	Hoja de datos	2.780En existencias	Cinta cortada $3.714 $2.404 $1.652 $1.379 $1.287 Envase tipo carrete $1.208	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	WDFN-9	N-Channel	1 Channel	40 V	207 A	1.3 mOhms	20 V	2.2 V	28 nC	- 55 C	+ 175 C	107 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE NVMFWS2D9N04XMT1G onsemi 1: $2.427 6.654En existencias 4.500Se espera el 12-03-2027 Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante NVMFWS2D9N04XMT1G N.º de artículo de Mouser 863-VMFWS2D9N04XMT1G Nuevo producto	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE Obtenga más información sobre onsemi single n channel power mosfets	Hoja de datos	6.654En existencias 4.500Se espera el 12-03-2027	Cinta cortada $2.427 $1.527 $1.003 $795 Envase tipo carrete $646 Ver $707 $622 $599 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.500	Si	SMD/SMT	DFNW-5	N-Channel	1 Channel	40 V	94 A	3.1 mOhms	20 V	3.5 V	15.7 nC	- 55 C	+ 175 C	50 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL LFPAK NTMYS013N08LHTWG onsemi 1: $3.714 2.950En existencias	N.º de artículo del Fabricante NTMYS013N08LHTWG N.º de artículo de Mouser 863-NTMYS013N08LHTWG	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL LFPAK Obtenga más información sobre onsemi single n channel power mosfets	Hoja de datos	2.950En existencias	Cinta cortada $3.714 $2.404 $1.663 $1.379 $1.287 Envase tipo carrete $1.208	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	LFPAK-4	N-Channel	1 Channel	80 V	42 A	17 mOhms	20 V	2 V	17 nC	- 55 C	+ 175 C	53 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL LFPAK NTMYS020N08LHTWG onsemi 1: $3.475 3.000En existencias	N.º de artículo del Fabricante NTMYS020N08LHTWG N.º de artículo de Mouser 863-NTMYS020N08LHTWG	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL LFPAK Obtenga más información sobre onsemi single n channel power mosfets	Hoja de datos	3.000En existencias	Cinta cortada $3.475 $2.244 $1.538 $1.253 Envase tipo carrete $1.118 Ver $1.162 $1.080	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	LFPAK-4	N-Channel	1 Channel	80 V	30 A	25 mOhms	20 V	2 V	12 nC	- 55 C	+ 175 C	42 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PREMIER WF NVMFWS2D5N08XT1G onsemi 1: $4.238 28.804En existencias	N.º de artículo del Fabricante NVMFWS2D5N08XT1G N.º de artículo de Mouser 863-NVMFWS2D5N08XT1G	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PREMIER WF Obtenga más información sobre onsemi single n channel power mosfets	Hoja de datos	28.804En existencias	Cinta cortada $4.238 $2.142 $1.937 $1.572 $1.458 Envase tipo carrete $1.458	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.500	Si	SMD/SMT	DFNW5	N-Channel	1 Channel	80 V	156 A	2.55 mOhms	20 V	3.6 V	45 nC	- 55 C	+ 175 C	133 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE NTMFS4D7N04XMT1G onsemi 1: $1.276 1.870En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante NTMFS4D7N04XMT1G N.º de artículo de Mouser 863-NTMFS4D7N04XMT1G Nuevo producto	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE Obtenga más información sobre onsemi single n channel power mosfets	Hoja de datos	1.870En existencias	Cinta cortada $1.276 $794 $522 $410 Envase tipo carrete $318 Ver $360 $284 $272 $264	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.500	Si	SMD/SMT	DFN-5	N-Channel	1 Channel	40 V	66 A	4.7 mOhms	20 V	3.5 V	10.4 nC	- 55 C	+ 175 C	38 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN U8FL PACKAGE NTTFS1D4N04XMTAG onsemi 1: $2.586 1.471En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante NTTFS1D4N04XMTAG N.º de artículo de Mouser 863-NTTFS1D4N04XMTAG Nuevo producto	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN U8FL PACKAGE Obtenga más información sobre onsemi single n channel power mosfets	Hoja de datos	1.471En existencias	Cinta cortada $2.586 $1.641 $1.107 $898 Envase tipo carrete $752 Ver $804 $714	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.500	Si	SMD/SMT	WDFN-8	N-Channel	1 Channel	40 V	178 A	1.43 mOhms	20 V	3.5 V	35.4 nC	- 55 C	+ 175 C	83 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE NVMFWS004N04XMT1G onsemi 1: $2.199 1.425En existencias 1.500Se espera el 18-12-2026 Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante NVMFWS004N04XMT1G N.º de artículo de Mouser 863-VMFWS004N04XMT1G Nuevo producto	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE Obtenga más información sobre onsemi single n channel power mosfets	Hoja de datos	1.425En existencias 1.500Se espera el 18-12-2026	Cinta cortada $2.199 $1.379 $906 $718 $638 Envase tipo carrete $540	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.500	Si	SMD/SMT	DFN-5	N-Channel	1 Channel	40 V	66 A	4.7 mOhms	20 V	3.5 V	10.6 nC	- 55 C	+ 175 C	38 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE NVMFWS1D1N04XMT1G onsemi 1: $3.327 825En existencias 13.500En pedido Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante NVMFWS1D1N04XMT1G N.º de artículo de Mouser 863-VMFWS1D1N04XMT1G Nuevo producto	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE Obtenga más información sobre onsemi single n channel power mosfets	Hoja de datos	825En existencias 13.500En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: NVMFWS1D1N04XMT1G Existencias: 825 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 3.000 Se espera el 11-06-2027 10.500 Se espera el 15-03-2028 Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	Cinta cortada $3.327 $2.142 $1.470 $1.208 $1.109 Envase tipo carrete $1.109	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.500	Si	SMD/SMT	DFNW-5	N-Channel	1 Channel	40 V	233 A	1.05 mOhms	20 V	3.5 V	49.3 nC	- 55 C	+ 175 C	104 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN U8FL PACKAGE NVTFWS4D9N04XMTAG onsemi 1: $1.720 2.931En existencias 1.500Se espera el 08-01-2027 Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante NVTFWS4D9N04XMTAG N.º de artículo de Mouser 863-VTFWS4D9N04XMTAG Nuevo producto	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN U8FL PACKAGE Obtenga más información sobre onsemi single n channel power mosfets	Hoja de datos	2.931En existencias 1.500Se espera el 08-01-2027	Cinta cortada $1.720 $811 $722 $565 $443 Envase tipo carrete $424	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.500	Si	SMD/SMT	WDFNW-8	N-Channel	1 Channel	40 V	66 A	4.9 mOhms	20 V	3.5 V	10.6 nC	- 55 C	+ 175 C	38 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL LFPAK NTMYS003N08LHTWG onsemi 1: $4.842 2.196En existencias	N.º de artículo del Fabricante NTMYS003N08LHTWG N.º de artículo de Mouser 863-NTMYS003N08LHTWG	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL LFPAK Obtenga más información sobre onsemi single n channel power mosfets	Hoja de datos	2.196En existencias	Cinta cortada $4.842 $2.472 $2.233 $1.880 Envase tipo carrete $1.743	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	LFPAK-4	N-Channel	1 Channel	80 V	132 A	4.3 mOhms	20 V	2 V	64 nC	- 55 C	+ 175 C	137 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL LFPAK NTMYS029N08LHTWG onsemi 1: $3.304 2.405En existencias	N.º de artículo del Fabricante NTMYS029N08LHTWG N.º de artículo de Mouser 863-NTMYS029N08LHTWG	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL LFPAK Obtenga más información sobre onsemi single n channel power mosfets	Hoja de datos	2.405En existencias	Cinta cortada $3.304 $1.629 $1.470 $1.185 $1.151 Envase tipo carrete $1.038	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	LFPAK-4	N-Channel	1 Channel	80 V	22 A	38 mOhms	20 V	2 V	4 nC	- 55 C	+ 175 C	33 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T8 IN 3X3 SD PACKAGE NTTFSS002N04HL onsemi 1: $3.429 1.862En existencias	N.º de artículo del Fabricante NTTFSS002N04HL N.º de artículo de Mouser 863-NTTFSS002N04HL	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T8 IN 3X3 SD PACKAGE Obtenga más información sobre onsemi single n channel power mosfets	Hoja de datos	1.862En existencias	Cinta cortada $3.429 $2.210 $1.515 $1.230 Envase tipo carrete $1.106 Ver $1.139 $1.071	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	WDFN-9	N-Channel	1 Channel	40 V	150 A	3.1 mOhms	20 V	2 V	20.3 nC	- 55 C	+ 150 C	84 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PREMIER WF NVMFWS1D9N08XT1G onsemi 1: $4.933 2.616En existencias	N.º de artículo del Fabricante NVMFWS1D9N08XT1G N.º de artículo de Mouser 863-NVMFWS1D9N08XT1G	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PREMIER WF Obtenga más información sobre onsemi single n channel power mosfets	Hoja de datos	2.616En existencias	Cinta cortada $4.933 $3.224 $2.404 $2.017 $1.880 Envase tipo carrete $1.743	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.500	Si	SMD/SMT	DFNW5	N-Channel		80 V	201 A	1.9 mOhms	20 V		39 nC	- 55 C	+ 175 C	164 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PREMIER WF NVMFWS6D2N08XT1G onsemi 1: $2.643 3.307En existencias	N.º de artículo del Fabricante NVMFWS6D2N08XT1G N.º de artículo de Mouser 863-NVMFWS6D2N08XT1G	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PREMIER WF Obtenga más información sobre onsemi single n channel power mosfets	Hoja de datos	3.307En existencias	Cinta cortada $2.643 $1.287 $1.151 $963 Envase tipo carrete $805 Ver $862 $764 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.500	Si	SMD/SMT	DFNW-5	N-Channel	1 Channel	80 V	71 A	6.2 mOhms	20 V	3.6 V	19 nC	- 55 C	+ 175 C	68 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 60V LFPAK 5X7 NVMJST1D4N06CLTXG onsemi 1: $5.389 5.669En existencias	N.º de artículo del Fabricante NVMJST1D4N06CLTXG N.º de artículo de Mouser 863-VMJST1D4N06CLTXG	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 60V LFPAK 5X7 Obtenga más información sobre onsemi single n channel power mosfets	Hoja de datos	5.669En existencias	Cinta cortada $5.389 $3.520 $2.632 $2.199 $2.039 Envase tipo carrete $1.914	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	TCPAK57	N-Channel	1 Channel	60 V	198 A	1.49 mOhms	20 V	2 V	92.2 nC	- 55 C	+ 175 C	113 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL NTTFS6H888NLTAG onsemi 1: $1.219 2.454En existencias	N.º de artículo del Fabricante NTTFS6H888NLTAG N.º de artículo de Mouser 863-NTTFS6H888NLTAG	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL Obtenga más información sobre onsemi single n channel power mosfets	Hoja de datos	2.454En existencias	Cinta cortada $1.219 $754 $496 $390 Envase tipo carrete $302 Ver $342 $270 $259 $251	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.500	Si	SMD/SMT	WDFN-8	N-Channel	1 Channel	80 V	14 A	67 mOhms	20 V	2 V	6 nC	- 55 C	+ 175 C	23 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10S 80V LL NCH MOSFET U8FL HE WF NVTFWS005N08XLTAG onsemi 1: $2.723 509En existencias 4.500Se espera el 11-12-2026	N.º de artículo del Fabricante NVTFWS005N08XLTAG N.º de artículo de Mouser 863-VTFWS005N08XLTAG	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10S 80V LL NCH MOSFET U8FL HE WF Obtenga más información sobre onsemi single n channel power mosfets	Hoja de datos	509En existencias 4.500Se espera el 11-12-2026	Cinta cortada $2.723 $1.732 $1.162 $947 Envase tipo carrete $793 Ver $849 $753 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.500	Si	SMD/SMT	WDFN-8	N-Channel	1 Channel	80 V	79 A	5.3 mOhms	20 V	2.1 V	28 nC	- 55 C	+ 175 C	82 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-D3F 40V NFET NVMFS5C442NAFT1G-YE onsemi 1: $2.005 907En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante NVMFS5C442NAFT1G-YE N.º de artículo de Mouser 863-MFS5C442NAFT1GYE NRND	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-D3F 40V NFET Obtenga más información sobre onsemi single n channel power mosfets	Hoja de datos	907En existencias	Cinta cortada $2.005 $951 $849 $669 $526 Envase tipo carrete $522	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.500	Si	SMD/SMT	DFN-5	N-Channel	1 Channel	40 V	140 A	2.3 mOhms	20 V	4 V	32 nC	- 55 C	+ 175 C	83 W	Enhancement	Reel, Cut Tape