Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with superior soft body diode. The Trench6 N-Channel MV MOSFETs from onsemi are available in a wide range of small-footprint packages for design flexibility.

Resultados: 450
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN U8FL 1.040En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 150
: 1.500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 107 A 3.1 mOhms 20 V 2 V 35 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V S08FL 906En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 160
: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 130 A 2.5 mOhms 20 V 2 V 50 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN S08FL 1.442En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 200
: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 87 A 3.7 mOhms 20 V 2 V 18 nC - 55 C + 175 C 55 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO 25.406En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 60 V 24 A 22.6 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 5.7 nC - 55 C + 175 C 28 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL PQFN8*8 EXPANSION 3.582En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT PQFN-88-8 N-Channel 1 Channel 40 V 554.5 A 420 uOhms - 20 V, 20 V 2 V 126 nC - 55 C + 175 C 245.4 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 69A 4MOHM 67.588En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 320
: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 30 V 69 A 3.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 26 nC - 55 C + 150 C 30.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL 8.807En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 277 A 1 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 100 nC - 55 C + 175 C 146 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET TOLL 60V 1.0MO 4.440En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT TO-LL8-8 N-Channel 1 Channel 60 V 422 A 1 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 143 nC - 55 C + 175 C 284 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-D3F 40V NFET 13.563En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 102 A 2.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 23 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V NCH LL IN U8FL 51.344En existencias
237.000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 4.500
: 1.500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 13.3 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 9.5 nC - 55 C + 175 C 46 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) WIDE SOA 1.405En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500
Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 30 V 409 A 650 uOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 147 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 78A 3.4MOH 15.386En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 400
: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL N-Channel 1 Channel 30 V 21.7 A 2.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 14 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL LFPAK 1.559En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT LFPAK-8 N-Channel 1 Channel 60 V 262 A 1.3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 103 nC - 55 C + 175 C 180 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SL DPAK 2.956En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 59 A 4.8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 20 nC - 55 C + 175 C 40 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 8.1 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8 1.487En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 40 V 49 A 8.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 11 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-D3F 40V NFET 805En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL N-Channel 1 Channel 40 V 300 A 760 uOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 86 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 1.2 MOHM T6 S08FL SIN 1.384En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 237 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 93 nC - 55 C + 175 C 128 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 620En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500
Si SMD/SMT SO-8FL N-Channel 1 Channel 60 V 250 A 1.13 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 91 nC - 55 C + 175 C 3.8 W, 167 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET U8FL 30V 102 A 3.6MOH 2.219En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500
Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 30 V 102 A 3.6 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 31 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi NVMFS5C420NLWFT1G
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL 10.243En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 40 V 277 A 1 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 100 nC - 55 C + 175 C 146 W Enhancement Reel, Cut Tape

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL PQFN8*8 EXPANSION 2.977En existencias
3.000Se espera el 31-08-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT Power-88-8 N-Channel 1 Channel 60 V 398.2 A 810 uOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 165 nC - 55 C + 175 C 244 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V SG NCH 1.581En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT DFNW-8 N-Channel 1 Channel 40 V 420 A 670 uOhms - 20 V, 20 V 4 V 140 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 7.3 mOhm 52A Single N-Channel 4.007En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 40 V 52 A 7.3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 7 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL DPAK 1.684En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 40
: 2.500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 155 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 78 nC - 55 C + 175 C 4 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 40V SL NFET 9.254En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT LFPAK-8 N-Channel 1 Channel 40 V 185 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 47 nC - 55 C + 175 C 106 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel