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SMD/SMT
VSON-4
N-Channel
1 Channel
600 V
14 A
153 mOhms
20 V
3.5 V
28 nC
- 40 C
+ 150 C
85 W
Enhancement
CoolMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPA60R125CFD7XKSA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R125CFD7XKS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
11 A
125 mOhms
20 V
3.5 V
36 nC
- 55 C
+ 150 C
32 W
Enhancement
CoolMOS
Tube