Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

MOSFETs for Seat Control

MOSFETs are also for power switching circuits. Unlike bipolar junction transistors (BJTs), the competing type of power transistor, MOSFETs do not require a continuous flow of drive current to remain in the ON state. Additionally, MOSFETs can offer higher switching speeds, lower switching power losses, lower on-resistances, and reduced susceptibility to thermal runaway. In switched-mode power supplies (SMPSs), MOSFETS are often used as the switching elements for regulation as well as for power factor correction (PFC).

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.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 52

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Fabricante

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Calificación	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 SIR470DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors 1: $4.150 26.648En existencias	N.º de artículo del Fabricante SIR470DP-T1-GE3 N.º de artículo de Mouser 781-SIR470DP-T1-GE3	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 Obtenga más información sobre Vishay Semiconductors vishayThunderFET	Hoja de datos	26.648En existencias	Cinta cortada $4.150 $2.712 $1.976 $1.658 $1.537 Envase tipo carrete $1.449 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	PowerPAK-SO-8	N-Channel	1 Channel	40 V	60 A	1.9 mOhms	20 V	1 V	155 nC	- 55 C	+ 150 C	104 W	Enhancement		TrenchFET, PowerPAK	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 81A TDSON-8 OptiMOS 3 BSC054N04NS G Infineon Technologies 1: $1.329 119.947En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante BSC054N04NS G N.º de artículo de Mouser 726-BSC054N04NSG NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 81A TDSON-8 OptiMOS 3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineonOptiMOS	Hoja de datos	119.947En existencias	Cinta cortada $1.329 $942 $586 $404 Envase tipo carrete $260 Ver $340 $305 $243 $221 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	40 V	81 A	5.4 mOhms	20 V	2 V	26 nC	- 55 C	+ 150 C	57 W	Enhancement		OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan PowerTrench MOSFET 80V, 22A FDMS86320 onsemi 1: $3.008 6.603En existencias	N.º de artículo del Fabricante FDMS86320 N.º de artículo de Mouser 512-FDMS86320	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan PowerTrench MOSFET 80V, 22A Obtenga más información sobre onsemi fairchild powertrench mosfets	Hoja de datos	6.603En existencias	Cinta cortada $3.008 $1.482 $1.340 $1.068 $968 Envase tipo carrete $941 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	Power-56-8	N-Channel	1 Channel	80 V	22 A	11.7 mOhms	20 V	2.4 V	41 nC	- 55 C	+ 150 C	69 W	Enhancement		PowerTrench	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel PowerTrench MOSFET FDMS86520 onsemi 1: $2.284 2.971En existencias	N.º de artículo del Fabricante FDMS86520 N.º de artículo de Mouser 512-FDMS86520	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel PowerTrench MOSFET Obtenga más información sobre onsemi fairchild powertrench mosfets	Hoja de datos	2.971En existencias	Cinta cortada $2.284 $1.405 $1.120 $966 $889 Envase tipo carrete $852 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	Power-56-8	N-Channel	1 Channel	60 V	42 A	7.4 mOhms	20 V	2.5 V	28 nC	- 55 C	+ 150 C	69 W	Enhancement		PowerTrench	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 80a .38 Ohms/VGS=1V FDP038AN06A0 onsemi 1: $5.160 3.726En existencias	N.º de artículo del Fabricante FDP038AN06A0 N.º de artículo de Mouser 512-FDP038AN06A0	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 80a .38 Ohms/VGS=1V Obtenga más información sobre onsemi fairchild powertrench mosfets	Hoja de datos	3.726En existencias	$5.160 $2.525 $2.229 $2.207	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	60 V	80 A	3.8 mOhms	20 V	2 V	124 nC	- 55 C	+ 175 C	310 W	Enhancement		PowerTrench	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 N-CH 60V 37A IRFIZ48GPBF Vishay Semiconductors 1: $3.799 7.703En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRFIZ48GPBF N.º de artículo de Mouser 844-IRFIZ48GPBF	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 N-CH 60V 37A	Hoja de datos	7.703En existencias	$3.799 $2.437 $2.053 $1.768 Ver $1.647 $1.592	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	60 V	37 A	18 mOhms	20 V	2 V	110 nC	- 55 C	+ 175 C	50 W	Enhancement			Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75V 80a .6Ohms/VGS=1V FDP060AN08A0 onsemi 1: $4.348 2.685En existencias	N.º de artículo del Fabricante FDP060AN08A0 N.º de artículo de Mouser 512-FDP060AN08A0	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75V 80a .6Ohms/VGS=1V Obtenga más información sobre onsemi fairchild powertrench mosfets	Hoja de datos	2.685En existencias	$4.348 $2.218 $2.009 $1.768	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	75 V	80 A	6 mOhms	20 V	2 V	95 nC	- 55 C	+ 175 C	255 W	Enhancement		PowerTrench	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3 IPB011N04L G Infineon Technologies 1: $4.216 1.740En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IPB011N04L G N.º de artículo de Mouser 726-IPB011N04LG NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3	Hoja de datos	1.740En existencias	Cinta cortada $4.216 $2.756 $2.009 $1.680 Envase tipo carrete $1.548 $1.460 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.000	Si	SMD/SMT	TO-263-7	N-Channel	1 Channel	40 V	180 A	800 uOhms	20 V	1.2 V	346 nC	- 55 C	+ 175 C	250 W	Enhancement		OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Enhancement, Logic Level 60V, D2PAK-3 NDB5060L onsemi 1: $4.304 910En existencias	N.º de artículo del Fabricante NDB5060L N.º de artículo de Mouser 512-NDB5060L	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Enhancement, Logic Level 60V, D2PAK-3	Hoja de datos	910En existencias	Cinta cortada $4.304 $2.185 $1.878 $1.526 Envase tipo carrete $1.526 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	Si	SMD/SMT	D2PAK-3	N-Channel	1 Channel	60 V	26 A	42 mOhms	16 V	1 V	24 nC	- 65 C	+ 175 C	68 W	Enhancement			Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 50A, Dual N-Channel Power MOSFET TQM110NB04DCR RLG Taiwan Semiconductor 1: $2.921 5.202En existencias	N.º de artículo del Fabricante TQM110NB04DCR RLG N.º de artículo de Mouser 821-TQM110NB04DCRRLG	Taiwan Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 50A, Dual N-Channel Power MOSFET Obtenga más información sobre Taiwan Semiconductor taiwan semi tqmx power mosfets	Hoja de datos	5.202En existencias	Cinta cortada $2.921 $1.779 $1.285 $1.083 Envase tipo carrete $906 Ver $959 $872 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.500	Si	SMD/SMT	PDFN56U-8	N-Channel	2 Channel	40 V	10 A	11 mOhms	20 V	3.8 V	26 nC	- 55 C	+ 175 C	2.5 W	Enhancement	AEC-Q101		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 30A, Dual N-Channel Power MOSFET TQM250NB06DCR RLG Taiwan Semiconductor 1: $2.262 4.915En existencias	N.º de artículo del Fabricante TQM250NB06DCR RLG N.º de artículo de Mouser 821-TQM250NB06DCRRLG	Taiwan Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 30A, Dual N-Channel Power MOSFET Obtenga más información sobre Taiwan Semiconductor taiwan semi tqmx power mosfets	Hoja de datos	4.915En existencias	Cinta cortada $2.262 $1.120 $949 $792 Envase tipo carrete $681 Ver $729 $655 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.500	Si	SMD/SMT	PDFN56U-8	N-Channel	2 Channel	60 V	6 A	25 mOhms	20 V	3.8 V	24 nC	- 55 C	+ 175 C	2.5 W	Enhancement	AEC-Q101		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 25A, Dual N-Channel Power MOSFET TQM300NB06DCR RLG Taiwan Semiconductor 1: $2.119 4.630En existencias	N.º de artículo del Fabricante TQM300NB06DCR RLG N.º de artículo de Mouser 821-TQM300NB06DCRRLG	Taiwan Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 25A, Dual N-Channel Power MOSFET Obtenga más información sobre Taiwan Semiconductor taiwan semi tqmx power mosfets	Hoja de datos	4.630En existencias	Cinta cortada $2.119 $1.230 $862 $742 Envase tipo carrete $613 Ver $672 $593 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.500	Si	SMD/SMT	PDFN56U-8	N-Channel	2 Channel	60 V	6 A	30 mOhms	20 V	3.8 V	20 nC	- 55 C	+ 175 C	2.5 W	Enhancement	AEC-Q101		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 50A, Single N-Channel Power MOSFET TQM130NB06CR RLG Taiwan Semiconductor 1: $2.174 3.687En existencias	N.º de artículo del Fabricante TQM130NB06CR RLG N.º de artículo de Mouser 821-TQM130NB06CRRLG	Taiwan Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 50A, Single N-Channel Power MOSFET Obtenga más información sobre Taiwan Semiconductor taiwan semi tqmx power mosfets	Hoja de datos	3.687En existencias	Cinta cortada $2.174 $1.041 $898 $752 Envase tipo carrete $632 Ver $606 $599 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.500	Si	SMD/SMT	PDFN56U-8	N-Channel	1 Channel	60 V	10 A	13 Ohms	20 V	3.8 V	40 nC	- 55 C	+ 175 C	3.1 W	Enhancement	AEC-Q101		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 157A, Single N-Channel Power MOSFET TQM025NB04CR RLG Taiwan Semiconductor 1: $3.382 4.700En existencias	N.º de artículo del Fabricante TQM025NB04CR RLG N.º de artículo de Mouser 821-TQM025NB04CRRLG	Taiwan Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 157A, Single N-Channel Power MOSFET Obtenga más información sobre Taiwan Semiconductor taiwan semi tqmx power mosfets	Hoja de datos	4.700En existencias	Cinta cortada $3.382 $2.053 $1.493 $1.329 $1.252 Envase tipo carrete $1.186 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.500	Si	SMD/SMT	PDFN56U-8	N-Channel	1 Channel	40 V	24 A	2.5 mOhms	20 V	3.8 V	118 nC	- 55 C	+ 175 C	3.1 W	Enhancement	AEC-Q101		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 75A, Single N-Channel Power MOSFET TQM070NB04CR RLG Taiwan Semiconductor 1: $1.954 5.000En existencias	N.º de artículo del Fabricante TQM070NB04CR RLG N.º de artículo de Mouser 821-TQM070NB04CRRLG	Taiwan Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 75A, Single N-Channel Power MOSFET Obtenga más información sobre Taiwan Semiconductor taiwan semi tqmx power mosfets	Hoja de datos	5.000En existencias	Cinta cortada $1.954 $941 $800 $662 Envase tipo carrete $542 Ver $614 $527 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.500	Si	SMD/SMT	PDFN56U-8	N-Channel	1 Channel	40 V	15 A	7 mOhms	20 V	3.8 V	42 nC	- 55 C	+ 175 C	3.1 W	Enhancement	AEC-Q101		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 121A, Single N-Channel Power MOSFET TQM033NB04CR RLG Taiwan Semiconductor 1: $2.569 3.901En existencias	N.º de artículo del Fabricante TQM033NB04CR RLG N.º de artículo de Mouser 821-TQM033NB04CRRLG	Taiwan Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 121A, Single N-Channel Power MOSFET Obtenga más información sobre Taiwan Semiconductor taiwan semi tqmxnb04cr tqmxnb06cr mosfets	Hoja de datos	3.901En existencias	Cinta cortada $2.569 $1.383 $1.083 $898 $850 Envase tipo carrete $763 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.500	Si	SMD/SMT	PDFN56U-8	N-Channel	1 Channel	40 V	121 A	3.3 mOhms	20 V	3.8 V	87 nC	- 55 C	+ 175 C	107 W	Enhancement	AEC-Q101		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET TQM110NB04CR RLG Taiwan Semiconductor 1: $2.152 4.924En existencias	N.º de artículo del Fabricante TQM110NB04CR RLG N.º de artículo de Mouser 821-TQM110NB04CRRLG	Taiwan Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET Obtenga más información sobre Taiwan Semiconductor taiwan semi tqmx power mosfets	Hoja de datos	4.924En existencias	Cinta cortada $2.152 $1.031 $887 $729 Envase tipo carrete $605 Ver $691 $593 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.500	Si	SMD/SMT	PDFN56U-8	N-Channel	1 Channel	40 V	12 A	11 mOhms	20 V	3.8 V	25 nC	- 55 C	+ 175 C	3.1 W	Enhancement	AEC-Q101		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 41A, Single N-Channel Power MOSFET TQM150NB04CR RLG Taiwan Semiconductor 1: $1.801 7.210En existencias	N.º de artículo del Fabricante TQM150NB04CR RLG N.º de artículo de Mouser 821-TQM150NB04CRRLG	Taiwan Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 41A, Single N-Channel Power MOSFET Obtenga más información sobre Taiwan Semiconductor taiwan semi tqmxnb04cr tqmxnb06cr mosfets	Hoja de datos	7.210En existencias	Cinta cortada $1.801 $850 $758 $594 Envase tipo carrete $484 Ver $573 $461 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.500	Si	SMD/SMT	PDFN56U-8	N-Channel	1 Channel	40 V	41 A	15 mOhms	20 V	3.8 V	20 nC	- 55 C	+ 175 C	56 W	Enhancement	AEC-Q101		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 27A, Single N-Channel Power MOSFET TQM300NB06CR RLG Taiwan Semiconductor 1: $1.724 4.196En existencias	N.º de artículo del Fabricante TQM300NB06CR RLG N.º de artículo de Mouser 821-TQM300NB06CRRLG	Taiwan Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 27A, Single N-Channel Power MOSFET Obtenga más información sobre Taiwan Semiconductor taiwan semi tqmx power mosfets	Hoja de datos	4.196En existencias	Cinta cortada $1.724 $811 $722 $565 Envase tipo carrete $486 Ver $543 $434 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.500	Si	SMD/SMT	PDFN56U-8	N-Channel	1 Channel	60 V	6 A	30 mOhms	20 V	3.8 V	20 nC	- 55 C	+ 175 C	3.1 W	Enhancement	AEC-Q101		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55 Volt 80 Amp STB80NF55-06T4 STMicroelectronics 1: $4.062 1.444En existencias	N.º de artículo del Fabricante STB80NF55-06T4 N.º de artículo de Mouser 511-STB80NF55-06	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55 Volt 80 Amp Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm standard products	Hoja de datos	1.444En existencias	Cinta cortada $4.062 $2.053 $1.856 $1.515 Envase tipo carrete $1.405 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	55 V	80 A	6.5 mOhms	20 V	2 V	189 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement			Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch PowerTrench MOSFET FDB050AN06A0 onsemi 1: $4.216 2.564En existencias	N.º de artículo del Fabricante FDB050AN06A0 N.º de artículo de Mouser 512-FDB050AN06A0	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch PowerTrench MOSFET Obtenga más información sobre onsemi fairchild powertrench mosfets	Hoja de datos	2.564En existencias	Cinta cortada $4.216 $2.745 $1.932 $1.614 Envase tipo carrete $1.504 $1.405 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	Si	SMD/SMT	D2PAK-3	N-Channel	1 Channel	60 V	80 A	4.3 mOhms	20 V	2 V	80 nC	- 55 C	+ 175 C	245 W	Enhancement		PowerTrench	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 50a .15 Ohms/VGS=1V FDD10AN06A0 onsemi 1: $3.349 5.887En existencias	N.º de artículo del Fabricante FDD10AN06A0 N.º de artículo de Mouser 512-FDD10AN06A0	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 50a .15 Ohms/VGS=1V Obtenga más información sobre onsemi fairchild powertrench mosfets	Hoja de datos	5.887En existencias	Cinta cortada $3.349 $1.658 $1.526 $1.241 $1.230 Envase tipo carrete $1.120 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 2.500 : 2.500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	60 V	50 A	9.4 mOhms	20 V	2 V	37 nC	- 55 C	+ 175 C	135 W	Enhancement		PowerTrench	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel PowerTrench FDP050AN06A0 onsemi 1: $4.073 1.377En existencias	N.º de artículo del Fabricante FDP050AN06A0 N.º de artículo de Mouser 512-FDP050AN06A0	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel PowerTrench Obtenga más información sobre onsemi fairchild powertrench mosfets	Hoja de datos	1.377En existencias	$4.073 $2.075 $1.867 $1.614	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	60 V	80 A	5 mOhms	20 V	2 V	80 nC	- 55 C	+ 175 C	245 W	Enhancement		PowerTrench	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220AB N-Ch Power RFP12N10L onsemi 1: $2.328 4.133En existencias	N.º de artículo del Fabricante RFP12N10L N.º de artículo de Mouser 512-RFP12N10L	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220AB N-Ch Power	Hoja de datos	4.133En existencias	$2.328 $1.219 $931 $788	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 800	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	100 V	12 A	200 mOhms	10 V	1 V		- 55 C	+ 150 C	60 W	Enhancement			Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3 BSZ097N04LS G Infineon Technologies 1: $1.340 49.403En existencias	N.º de artículo del Fabricante BSZ097N04LS G N.º de artículo de Mouser 726-BSZ097N04LSG	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineonOptiMOS	Hoja de datos	49.403En existencias	Cinta cortada $1.340 $822 $541 $425 Envase tipo carrete $285 Ver $373 $337 $282 $277 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	TSDSON-8	N-Channel	1 Channel	40 V	40 A	14.2 mOhms	20 V	1.2 V	18 nC	- 55 C	+ 150 C	35 W	Enhancement		OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel