Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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OptiMOS™7 Automotive Power MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™7 automotive power MOSFETs help engineers build higher-efficiency and higher-density automotive power systems. The devices combine advanced MOSFET silicon with modern leadless power packaging to reduce conduction and switching losses in compact designs. Built for 12V and 48V vehicle architectures, OptiMOS7 MOSFETs support higher current capability, simplify thermal management, and improve overall system performance.

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Resultados: 70

Filtros aplicados:

Tecnología

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology IAUMN04S7N009GAUMA1 Infineon Technologies 1: $4.205 386En existencias 2.000Se espera el 09-11-2026 Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUMN04S7N009GAUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUMN04S7N009GAU Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 7 power mosfets	Hoja de datos	386En existencias 2.000Se espera el 09-11-2026	Cinta cortada $4.205 $2.745 $1.998 $1.680 Envase tipo carrete $1.449	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.000																OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology IAUMN04S7N011GAUMA1 Infineon Technologies 1: $3.799 130En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUMN04S7N011GAUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUMN04S7N011GAU Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 7 power mosfets	Hoja de datos	130En existencias	Cinta cortada $3.799 $2.459 $1.702 $1.427 Envase tipo carrete $1.230	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.000																OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V OptiMOS 7 Automotive MOSFET, TOLL (10x12) IAUTN08S7N006ATMA1 Infineon Technologies 1: $9.991 3.878En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUTN08S7N006ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUTN08S7N006ATM Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V OptiMOS 7 Automotive MOSFET, TOLL (10x12) Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 7 80v automotive mosfets	Hoja de datos	3.878En existencias	Cinta cortada $9.991 $5.457 $5.029 $4.996 $4.578 Envase tipo carrete $4.073	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.000	Si	SMD/SMT	PG-HSOF-8	N-Channel	1 Channel	40 V	905 A	0.29 mOhms	20 V	3 V	268 nC	- 55 C	+ 175 C	357 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100 V OptiMOS 7 Automotive MOSFET, TOLL (10x12) IAUTN10S7N009ATMA1 Infineon Technologies 1: $10.496 3.835En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUTN10S7N009ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUTN10S7N009ATM Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100 V OptiMOS 7 Automotive MOSFET, TOLL (10x12) Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 7 100v automotive mosfets	Hoja de datos	3.835En existencias	Cinta cortada $10.496 $5.764 $5.336 $4.886 Envase tipo carrete $4.348	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.000	Si	SMD/SMT	PG-HSOF-8	N-Channel	1 Channel	100 V	446 A	0.88 mOhms	20 V	3.2 V	187 nC	- 55 C	+ 175 C	393 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100 V, N-Ch, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T (5x7) IAUCN10S7L290TATMA1 Infineon Technologies 1: $2.174 3.818En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN10S7L290TATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN10S7L290TAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100 V, N-Ch, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T (5x7) Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 7 100v automotive mosfets	Hoja de datos	3.818En existencias	Cinta cortada $2.174 $1.040 $930 $736 Envase tipo carrete $620 Ver $715 $553 $551 $542	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.000	Si	SMD/SMT	LHDSO-10	N-Channel	1 Channel	100 V	27 A	28.6 mOhms	20 V	2 V	9 nC	- 55 C	+ 175 C	45 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility IAUCN04S7L042GATMA1 Infineon Technologies 1: $1.570 1.976En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN04S7L042GATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN04S7L042GAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon iauzn04 optimos power mosfets	Hoja de datos	1.976En existencias	Cinta cortada $1.570 $733 $652 $508 Envase tipo carrete $381 Ver $500 $478 $341 $340	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	THSOG-4	N-Channel	1 Channel	40 V	77 A	4.4 mOhms	20 V	1.8 V	15 nC	- 55 C	+ 175 C	50 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility IAUCN04S7N015GATMA1 Infineon Technologies 1: $2.097 1.984En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN04S7N015GATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN04S7N015GAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon iauzn04 optimos power mosfets	Hoja de datos	1.984En existencias	Cinta cortada $2.097 $1.004 $897 $708 Ver Envase tipo carrete $572 $685 $653 $572	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	THSOG-4	N-Channel	1 Channel	40 V	184 A	1.53 mOhms	20 V	3 V	41 nC	- 55 C	+ 175 C	96 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility IAUCN04S7N019GATMA1 Infineon Technologies 1: $1.899 1.984En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN04S7N019GATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN04S7N019GAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon iauzn04 optimos power mosfets	Hoja de datos	1.984En existencias	Cinta cortada $1.899 $904 $806 $634 Ver Envase tipo carrete $498 $605 $578 $498	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	THSOG-4	N-Channel	1 Channel	40 V	147 A	1.95 mOhms	20 V	3 V	30 nC	- 55 C	+ 175 C	81 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility IAUCN04S7N027GATMA1 Infineon Technologies 1: $1.790 1.984En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN04S7N027GATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN04S7N027GAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon iauzn04 optimos power mosfets	Hoja de datos	1.984En existencias	Cinta cortada $1.790 $845 $753 $591 $565 Envase tipo carrete $458	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	THSOG-4	N-Channel	1 Channel	40 V	117 A	2.67 mOhms	20 V	3 V	23 nC	- 55 C	+ 175 C	70 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility IAUCN04S7N037GATMA1 Infineon Technologies 1: $1.636 1.992En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN04S7N037GATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN04S7N037GAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon iauzn04 optimos power mosfets	Hoja de datos	1.992En existencias	Cinta cortada $1.636 $770 $685 $536 Ver Envase tipo carrete $405 $533 $506 $405	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	THSOG-4	N-Channel	1 Channel	40 V	91 A	3.65 mOhms	20 V	3 V	16 nC	- 55 C	+ 175 C	57 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility IAUCN04S7N047GATMA1 Infineon Technologies 1: $1.570 1.912En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN04S7N047GATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN04S7N047GAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon iauzn04 optimos power mosfets	Hoja de datos	1.912En existencias	Cinta cortada $1.570 $733 $652 $508 Envase tipo carrete $381 Ver $500 $483 $376	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	THSOG-4	N-Channel	1 Channel	40 V	79 A	4.7 mOhms	20 V	3 V	13 nC	- 55 C	+ 175 C	50 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor IAUCN04S7N006TATMA1 Infineon Technologies 1: $4.282 12.653En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN04S7N006TATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN04S7N006TAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon iauzn04 optimos power mosfets	Hoja de datos	12.653En existencias	Cinta cortada $4.282 $2.163 $1.965 $1.614 Envase tipo carrete $1.515 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.000	Si	SMD/SMT	PG-LHDSO-10-3	N-Channel	1 Channel	40 V	425 A	770 uOhms	20 V	3 V	112 nC	- 55 C	+ 175 C	205 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 V, N-Ch, 2.34 m?, Automotive Power MOSFET, SSO8 HB (5x6), OptiMOS-7 IAUCN04S7L023HATMA1 Infineon Technologies 1: $2.888 2.370En existencias 5.000Se espera el 19-10-2026 Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN04S7L023HATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN04S7L023HAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 V, N-Ch, 2.34 m?, Automotive Power MOSFET, SSO8 HB (5x6), OptiMOS-7 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon iauzn04 optimos power mosfets	Hoja de datos	2.370En existencias 5.000Se espera el 19-10-2026	Cinta cortada $2.888 $1.416 $1.274 $1.016 Ver Envase tipo carrete $885 $974 $921 $885 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	PG-TDSON-8	N-Channel	2 Channel	40 V	132 A	2.34 mOhms	16 V	1.8 V	29 nC	- 55 C	+ 175 C	75 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 V, N-Ch, 2.56 m?, Automotive Power MOSFET, SSO8 HB (5x6), OptiMOS-7 IAUCN04S7L025AHATMA1 Infineon Technologies 1: $2.602 5.880En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN04S7L025AHATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN04S7L025AHA Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 V, N-Ch, 2.56 m?, Automotive Power MOSFET, SSO8 HB (5x6), OptiMOS-7 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon iauzn04 optimos power mosfets	Hoja de datos	5.880En existencias	Cinta cortada $2.602 $1.263 $1.131 $901 Ver Envase tipo carrete $766 $875 $798 $766	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	PG-TDSON-8	N-Channel	2 Channel	40 V	127 A	2.56 mOhms	16 V	1.8 V	29 nC	- 55 C	+ 175 C	75 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor IAUCN04S7L050HATMA1 Infineon Technologies 1: $2.119 2.889En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN04S7L050HATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN04S7L050HAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon iauzn04 optimos power mosfets	Hoja de datos	2.889En existencias	Cinta cortada $2.119 $1.350 $903 $714 $610 Envase tipo carrete $570	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	PG-TDSON-8	N-Channel	2 Channel	40 V	65 A	5.04 mOhms	20 V	1.8 V	11 nC	- 55 C	+ 175 C	40 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 V, N-Ch, 2.46 m?, Automotive Power MOSFET, SSO8 HB (5x6), OptiMOS-7 IAUCN04S7N024HATMA1 Infineon Technologies 1: $3.008 10.000En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN04S7N024HATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN04S7N024HAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 V, N-Ch, 2.46 m?, Automotive Power MOSFET, SSO8 HB (5x6), OptiMOS-7 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon iauzn04 optimos power mosfets	Hoja de datos	10.000En existencias	Cinta cortada $3.008 $1.504 $1.318 $1.077 Ver Envase tipo carrete $874 $1.019 $990 $874	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	PG-TDSON-8	N-Channel	2 Channel	40 V	129 A	2.46 mOhms	20 V	3 V	25 nC	- 55 C	+ 175 C	75 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor IAUCN04S7N054HATMA1 Infineon Technologies 1: $2.119 6.103En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN04S7N054HATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN04S7N054HAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon iauzn04 optimos power mosfets	Hoja de datos	6.103En existencias	Cinta cortada $2.119 $1.010 $903 $714 Ver Envase tipo carrete $570 $692 $659 $570	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	PG-TDSON-8	N-Channel	2 Channel	40 V	62 A	5.41 mOhms	20 V	3 V	9 nC	- 55 C	+ 175 C	40 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor IAUCN08S7L018ATMA1 Infineon Technologies 1: $4.238 3.571En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN08S7L018ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN08S7L018ATM Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 7 80v automotive mosfets	Hoja de datos	3.571En existencias	Cinta cortada $4.238 $2.141 $1.943 $1.592 $1.526 Envase tipo carrete $1.493	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	PG-TDSON-8	N-Channel	1 Channel	80 V	210 A	1.8 mOhms	20 V	2 V	79.9 nC	- 55 C	+ 175 C	169 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor IAUCN08S7L024ATMA1 Infineon Technologies 1: $3.711 4.637En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN08S7L024ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN08S7L024ATM Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 7 80v automotive mosfets	Hoja de datos	4.637En existencias	Cinta cortada $3.711 $1.856 $1.680 $1.361 Ver Envase tipo carrete $1.241 $1.340 $1.296 $1.241	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	PG-TDSON-8	N-Channel	1 Channel	80 V	177 A	2.4 mOhms	16 V	2 V	65.2 nC	- 55 C	+ 175 C	148 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor IAUCN08S7L033ATMA1 Infineon Technologies 1: $2.877 5.088En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN08S7L033ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN08S7L033ATM Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 7 80v automotive mosfets	Hoja de datos	5.088En existencias	Cinta cortada $2.877 $1.416 $1.274 $1.013 Ver Envase tipo carrete $883 $989 $945 $883	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	PG-TDSON-8	N-Channel	1 Channel	80 V	130 A	3.3 mOhms	16 V	2 V	44.3 nC	- 55 C	+ 175 C	118 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 1.94 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T, OptiMOS 7 IAUCN08S7N019TATMA1 Infineon Technologies 1: $4.600 5.174En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN08S7N019TATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN08S7N019TAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 1.94 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T, OptiMOS 7 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 7 80v automotive mosfets	Hoja de datos	5.174En existencias	Cinta cortada $4.600 $2.339 $2.119 $1.768 Envase tipo carrete $1.669	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.000	Si	SMD/SMT	PG-LHDSO-10-2	N-Channel	1 Channel	80 V	223 A	1.94 mOhms	20 V	3.2 V	68 nC	- 55 C	+ 175 C	180 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 2.44 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T IAUCN08S7N024TATMA1 Infineon Technologies 1: $4.117 4.842En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN08S7N024TATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN08S7N024TAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 2.44 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 7 80v automotive mosfets	Hoja de datos	4.842En existencias	Cinta cortada $4.117 $2.075 $1.878 $1.526 Envase tipo carrete $1.438	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.000	Si	SMD/SMT	PG-LHDSO-10-1	N-Channel	1 Channel	80 V	186 A	2.44 mOhms	20 V	3.2 V	54 nC	- 55 C	+ 175 C	157 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 4.54 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T, OptiMOS 7 IAUCN08S7N045TATMA1 Infineon Technologies 1: $3.272 4.892En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN08S7N045TATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN08S7N045TAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 4.54 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T, OptiMOS 7 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 7 80v automotive mosfets	Hoja de datos	4.892En existencias	Cinta cortada $3.272 $1.636 $1.460 $1.186 Envase tipo carrete $1.015 Ver $1.142 $1.001	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.000	Si	SMD/SMT	PG-LHDSO-10-1	N-Channel	1 Channel	80 V	103 A	4.54 mOhms	20 V	3.2 V	27 nC	- 55 C	+ 175 C	98 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor IAUCN10S7L040ATMA1 Infineon Technologies 1: $3.678 9.784En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN10S7L040ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN10S7L040ATM Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 7 80v automotive mosfets	Hoja de datos	9.784En existencias	Cinta cortada $3.678 $2.163 $1.647 $1.372 $1.340 Envase tipo carrete $1.197	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	PG-TDSON-8	N-Channel	1 Channel	100 V	130 A	3.3 mOhms	16 V	2 V	44.3 nC	- 55 C	+ 175 C	118 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology IAUMN04S7N005GAUMA1 Infineon Technologies 1: $5.435 3.698En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUMN04S7N005GAUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUMN04S7N005GAU Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 7 power mosfets	Hoja de datos	3.698En existencias	Cinta cortada $5.435 $2.811 $2.558 $2.218 Envase tipo carrete $2.097 $2.075	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.000																OptiMOS	Reel, Cut Tape