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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
2.296En existencias
$14.799
$8.203
$7.827
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 50 A 34 mOhms 20 V 3 V 107 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
6.555En existencias
Cinta cortada
$3.794
$2.005
$1.618
$1.390
$1.367
Envase tipo carrete
$1.367
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 180 mOhms 20 V 3 V 24 nC - 55 C + 150 C 68 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
293En existencias
$11.814
$7.895
$7.291
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 50 A 40 mOhms 20 V 3 V 107 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
1.029En existencias
Cinta cortada
$10.276
$5.617
$5.161
$5.127
Envase tipo carrete
$4.842
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 35 A 60 mOhms 20 V 1.7 V 68 nC - 55 C + 150 C 162 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
2.280En existencias
Cinta cortada
$4.614
$2.711
$2.096
$1.823
$1.720
Envase tipo carrete
$1.618
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 185 mOhms 20 V 3 V 24 nC - 40 C + 150 C 77 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
808En existencias
$6.482
$4.010
$3.657
$3.315
$3.213
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 22 A 85 mOhms 20 V 3 V 42 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
850En existencias
$4.443
$2.256
$2.039
$1.652
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 155 mOhms 20 V 3 V 24 nC - 55 C + 150 C 68 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
365En existencias
$7.508
$3.976
$3.646
$3.190
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 650 V 12 A 190 mOhms 20 V 3.5 V 42 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
573En existencias
$6.255
$3.258
$2.974
$2.495
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 19 A 120 mOhms 20 V 3 V 34 nC - 55 C + 150 C 92 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
1.984En existencias
$6.220
$3.247
$2.962
$2.484
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 120 mOhms 20 V 3 V 34 nC - 55 C + 150 C 32 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
1.246En existencias
Cinta cortada
$7.531
$3.999
$3.657
$3.395
Envase tipo carrete
$3.201
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 22 A 99 mOhms 20 V 3 V 42 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
1.593En existencias
Cinta cortada
$4.546
$2.974
$2.165
$1.857
Envase tipo carrete
$1.584
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 180 mOhms 20 V 3.5 V 24 nC - 55 C + 150 C 68 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
1.110En existencias
Cinta cortada
$13.204
$7.872
$7.690
Envase tipo carrete
$7.269
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 50 A 40 mOhms 20 V 3 V 107 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
2.712En existencias
Cinta cortada
$7.599
$4.033
$3.634
$3.293
Envase tipo carrete
$3.247
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 83 A 104 mOhms 20 V 3.5 V 42 nC - 40 C + 150 C 122 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
591En existencias
720Se espera el 05-11-2026
$25.075
$15.471
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 109 A 17 mOhms 20 V 3 V 240 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
674En existencias
$10.390
$6.027
$5.560
$5.548
$5.423
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 35 A 52 mOhms 20 V 3 V 68 nC - 55 C + 150 C 162 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
221En existencias
$7.143
$3.680
$3.361
$2.951
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 19 A 120 mOhms 20 V 3 V 34 nC - 55 C + 150 C 92 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
170En existencias
$10.310
$5.639
$5.184
$4.876
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 16 A 115 mOhms 20 V 3.5 V 68 nC - 55 C + 150 C 34 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
439En existencias
$4.420
$2.233
$2.130
$1.641
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 346 mOhms 20 V 3.5 V 24 nC - 55 C + 150 C 29 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
293En existencias
$8.134
$4.238
$3.896
$3.555
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 22 A 85 mOhms 20 V 3 V 42 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
27En existencias
240Se espera el 05-11-2026
$5.639
$3.406
$2.586
$2.176
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 180 mOhms 20 V 3 V 24 nC - 55 C + 150 C 68 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
25En existencias
$9.126
$4.831
$4.443
$3.874
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 600 V 22 A 99 mOhms 20 V 3 V 42 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
5En existencias
Cinta cortada
$10.459
$5.776
$5.309
$5.241
$4.682
Envase tipo carrete
$4.682
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 29 A 65 mOhms 20 V 3 V 68 nC - 40 C + 150 C 180 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
304En existencias
500Se espera el 05-11-2026
$10.231
$5.582
$5.138
$4.819
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 35 A 60 mOhms 20 V 3 V 68 nC - 55 C + 150 C 162 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
479Se espera el 29-10-2026
$25.702
$16.109
$16.075
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 600 V 109 A 17 mOhms 20 V 3 V 240 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement CoolMOS Tube