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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
2.346En existencias
$14.262
$7.905
$7.543
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 50 A 34 mOhms 20 V 3 V 107 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
6.560En existencias
Cinta cortada
$3.656
$1.932
$1.559
$1.340
$1.318
Envase tipo carrete
$1.318
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 180 mOhms 20 V 3 V 24 nC - 55 C + 150 C 68 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
323En existencias
$11.386
$7.609
$7.038
$6.939
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 50 A 40 mOhms 20 V 3 V 107 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
1.029En existencias
Cinta cortada
$9.904
$5.413
$4.974
$4.941
Envase tipo carrete
$4.666
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 35 A 60 mOhms 20 V 1.7 V 68 nC - 55 C + 150 C 162 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
2.280En existencias
Cinta cortada
$4.436
$2.569
$2.020
$1.724
$1.658
Envase tipo carrete
$1.559
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 185 mOhms 20 V 3 V 24 nC - 40 C + 150 C 77 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
808En existencias
$6.247
$3.865
$3.393
$3.107
$3.096
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 22 A 85 mOhms 20 V 3 V 42 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
850En existencias
$4.282
$2.174
$1.965
$1.592
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 155 mOhms 20 V 3 V 24 nC - 55 C + 150 C 68 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
375En existencias
$7.236
$3.832
$3.513
$3.074
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 650 V 12 A 190 mOhms 20 V 3.5 V 42 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
573En existencias
$6.028
$3.140
$2.866
$2.405
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 19 A 120 mOhms 20 V 3 V 34 nC - 55 C + 150 C 92 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
1.986En existencias
$5.995
$3.129
$2.855
$2.394
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 120 mOhms 20 V 3 V 34 nC - 55 C + 150 C 32 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
1.271En existencias
Cinta cortada
$7.257
$3.854
$3.524
$3.272
Envase tipo carrete
$3.085
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 22 A 99 mOhms 20 V 3 V 42 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
1.593En existencias
Cinta cortada
$4.381
$2.866
$2.086
$1.790
Envase tipo carrete
$1.526
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 180 mOhms 20 V 3.5 V 24 nC - 55 C + 150 C 68 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
1.110En existencias
Cinta cortada
$12.286
$7.455
$7.356
Envase tipo carrete
$7.005
Presupuesto
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 50 A 40 mOhms 20 V 3 V 107 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
2.712En existencias
Cinta cortada
$7.323
$3.887
$3.502
$3.173
Envase tipo carrete
$3.129
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 83 A 104 mOhms 20 V 3.5 V 42 nC - 40 C + 150 C 122 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
611En existencias
720Se espera el 05-11-2026
$24.166
$14.910
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 109 A 17 mOhms 20 V 3 V 240 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
684En existencias
$10.013
$5.808
$5.358
$5.347
$5.226
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 35 A 52 mOhms 20 V 3 V 68 nC - 55 C + 150 C 162 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
221En existencias
$6.884
$3.546
$3.239
$2.844
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 19 A 120 mOhms 20 V 3 V 34 nC - 55 C + 150 C 92 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
180En existencias
$9.936
$5.435
$4.996
$4.699
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 16 A 115 mOhms 20 V 3.5 V 68 nC - 55 C + 150 C 34 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
439En existencias
$4.260
$2.152
$2.053
$1.581
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 346 mOhms 20 V 3.5 V 24 nC - 55 C + 150 C 29 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
293En existencias
$7.839
$4.084
$3.755
$3.426
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 22 A 85 mOhms 20 V 3 V 42 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
27En existencias
240Se espera el 15-10-2026
$5.435
$2.789
$2.394
$2.075
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 180 mOhms 20 V 3 V 24 nC - 55 C + 150 C 68 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
25En existencias
$8.795
$4.655
$4.282
$3.733
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 600 V 22 A 99 mOhms 20 V 3 V 42 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
304En existencias
$9.860
$5.380
$4.952
$4.644
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 35 A 60 mOhms 20 V 3 V 68 nC - 55 C + 150 C 162 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
5En existencias
Cinta cortada
$10.079
$5.567
$5.116
$5.051
$4.513
Envase tipo carrete
$4.513
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 29 A 65 mOhms 20 V 3 V 68 nC - 40 C + 150 C 180 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
479Se espera el 03-11-2026
$24.770
$15.525
$15.492
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 600 V 109 A 17 mOhms 20 V 3 V 240 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement CoolMOS Tube