Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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IPP60R060C7XKSA1
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436En existencias

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231En existencias
960Se espera el 23-09-2026

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960Se espera el 23-09-2026

$23.989

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CoolMOS

Tube

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IPW60R060C7XKSA1
Infineon Technologies
1: $10.328
710En existencias

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IPW60R060C7XKSA1

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726-IPW60R060C7XKSA1

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$10.328

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Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPZ60R040C7XKSA1
Infineon Technologies
1: $14.145
240En existencias

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IPZ60R040C7XKSA1

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240En existencias

$14.145

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Tube

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IPA60R060C7XKSA1
Infineon Technologies
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192En existencias

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IPA60R060C7XKSA1

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192En existencias

$9.518

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Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPA60R180C7XKSA1
Infineon Technologies
1: $4.081
648En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R180C7XKSA1

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726-IPA60R180C7XKSA1

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648En existencias

$4.081

$2.061

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CoolMOS

Tube

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IPW60R099C7XKSA1
Infineon Technologies
1: $7.509
153En existencias

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IPW60R099C7XKSA1

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726-IPW60R099C7XKSA1

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153En existencias

$7.509

$4.301

$3.597

$3.239

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22 A

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CoolMOS

Tube

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IPW60R180C7XKSA1
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1: $5.206
177En existencias

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IPW60R180C7XKSA1

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726-IPW60R180C7XKSA1

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177En existencias

$5.206

$2.903

$2.387

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IPL60R065C7AUMA1
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1: $9.413
5En existencias

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IPL60R065C7AUMA1

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726-IPL60R065C7AUMA1

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5En existencias

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$6.531

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$4.270

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IPP60R120C7XKSA1
Infineon Technologies
1: $5.774
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IPP60R120C7XKSA1

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583En existencias

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19 A

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CoolMOS

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IPP60R180C7XKSA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo del Fabricante
IPP60R180C7XKSA1

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600 V

13 A

155 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

24 nC

- 55 C

+ 150 C

68 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPZ60R099C7XKSA1
Infineon Technologies
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IPZ60R099C7XKSA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

600 V

22 A

99 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

42 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

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