650V CoolMOS™ CFD7A SJ Power MOSFETs

Infineon Technologies 650V CoolMOS™ CFD7A SJ Power MOSFETs address electric vehicle applications such as on-board chargers, HV-LV DC-DC converters, and auxiliary power supplies. Thanks to the improved cosmic radiation robustness, the CoolMOS CFD7A SJ Power MOSFETs allow higher battery voltages to be applied at a reliability rate equal to that of previous generations and other market offerings. CoolMOS CFD7A SJ Power MOSFETs ensure high-efficiency levels in hard- and resonant switching topologies, particularly at light load conditions. Higher switching frequencies at gate loss levels comparable to those of former generations are reached. The reduction in system weight and the smaller occupied space result in more compact designs.

Resultados: 48
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
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795En existencias
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 38 A 99 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 127 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
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771En existencias
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: 1.000

Si SMD/SMT TO-263-7-11 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 183 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 53 nC - 55 C + 150 C 127 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
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826En existencias
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: 1.000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 115 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 41 nC - 40 C + 150 C 114 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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3.361En existencias
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: 3.000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 14 A 153 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 28 nC - 40 C + 150 C 85 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
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180En existencias
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 63 A 35 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 145 nC - 55 C + 150 C 305 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
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812En existencias
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Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 14 A 190 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 28 nC - 55 C + 150 C 77 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
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815En existencias
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: 1.000

Si SMD/SMT TO-263-7-11 N-Channel 1 Channel 650 V 32 A 139 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 68 nC - 55 C + 150 C 171 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
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335En existencias
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Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 115 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 41 nC - 40 C + 150 C 114 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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831En existencias
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: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 31 A 70 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 67 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
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860En existencias
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: 1.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 14 A 190 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 28 nC - 40 C + 150 C 77 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
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151En existencias
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Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 45 A 50 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 102 nC - 40 C + 150 C 227 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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1.682En existencias
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: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 180 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 24 nC - 55 C + 150 C 68 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
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5.548En existencias
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: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 214 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 18 nC - 55 C + 150 C 53 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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480En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole N-Channel 1 Channel 700 V 106 A 18 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 234 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement Tube
Infineon Technologies IPDQ65R017CFD7AXTMA1
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
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661En existencias
1.500Se espera el 17-09-2026
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: 750

Si SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 15 V 58 A 17 mOhms - 20 V, 20 V 1.6 V 29 nC - 55 C + 150 C 89 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies IPDQ65R029CFD7AXTMA1
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
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728En existencias
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: 750

Si SMD/SMT HDSOP-22 1 Channel 650 V 85 A 53 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 139 nC - 40 C + 150 C 463 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies IPDQ65R040CFD7AXTMA1
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
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955En existencias
1.500Se espera el 10-09-2026
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: 750

Si SMD/SMT HDSOP-22 1 Channel 650 V 64 A 76 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 97 nC - 40 C + 150 C 357 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies IPDQ65R060CFD7AXTMA1
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
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488En existencias
Min.: 1
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: 750

Si SMD/SMT HDSOP-22 1 Channel 650 V 45 A 115 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 65 nC - 40 C + 150 C 272 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies IPQC65R017CFD7AXTMA1
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
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996En existencias
Min.: 1
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: 750

Si SMD/SMT HDSOP-22 1 Channel 650 V 136 A 31 mOhms - 10 V, 10 V 4 V 236 nC - 40 C + 150 C 694 W Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
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558En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 45 A 50 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 102 nC - 40 C + 150 C 227 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Reel, Cut Tape

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
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1.126En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 45 A 50 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 102 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
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1.030En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 32 A 75 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 68 nC - 55 C + 150 C 171 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube
Infineon Technologies IPDQ65R080CFD7AXTMA1
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
Hoja de datos
61En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 750

Si SMD/SMT HDSOP-22 1 Channel 650 V 36 A 150 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 50 nC - 40 C + 150 C 223 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
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164En existencias
1.000Se espera el 29-07-2026
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 230 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 23 nC - 40 C + 150 C 63 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
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854En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 14 A 190 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 28 nC - 40 C + 150 C 77 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube