650V CoolMOS™ CFD7A SJ Power MOSFETs

Infineon Technologies 650V CoolMOS™ CFD7A SJ Power MOSFETs address electric vehicle applications such as on-board chargers, HV-LV DC-DC converters, and auxiliary power supplies. Thanks to the improved cosmic radiation robustness, the CoolMOS CFD7A SJ Power MOSFETs allow higher battery voltages to be applied at a reliability rate equal to that of previous generations and other market offerings. CoolMOS CFD7A SJ Power MOSFETs ensure high-efficiency levels in hard- and resonant switching topologies, particularly at light load conditions. Higher switching frequencies at gate loss levels comparable to those of former generations are reached. The reduction in system weight and the smaller occupied space result in more compact designs.

Resultados: 48
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS 786En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 115 mOhms 20 V 4 V 41 nC - 40 C + 150 C 114 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS 783En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 38 A 99 mOhms 20 V 3 V 127 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS 771En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT TO-263-7-11 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 183 mOhms 20 V 4 V 53 nC - 55 C + 150 C 127 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS 1.114En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 45 A 50 mOhms 20 V 4 V 102 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW 3.361En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 14 A 153 mOhms 20 V 3.5 V 28 nC - 40 C + 150 C 85 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS 180En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 63 A 35 mOhms 20 V 4.5 V 145 nC - 55 C + 150 C 305 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS 812En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 14 A 190 mOhms 20 V 4.5 V 28 nC - 55 C + 150 C 77 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS 815En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT TO-263-7-11 N-Channel 1 Channel 650 V 32 A 139 mOhms 20 V 4 V 68 nC - 55 C + 150 C 171 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW 816En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 31 A 70 mOhms 20 V 4.5 V 67 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS 860En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 14 A 190 mOhms 20 V 4.5 V 28 nC - 40 C + 150 C 77 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS 151En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 45 A 50 mOhms 20 V 4.5 V 102 nC - 40 C + 150 C 227 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube
Infineon Technologies IPDQ65R017CFD7AXTMA1
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS 1.409En existencias
750Se espera el 17-12-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 750

Si SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 15 V 58 A 17 mOhms 20 V 1.6 V 29 nC - 55 C + 150 C 89 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW 2.265En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 180 mOhms 20 V 4.7 V 17 nC - 55 C + 150 C 127 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies IPDQ65R040CFD7AXTMA1
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS 955En existencias
1.500Se espera el 06-05-2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 750

Si SMD/SMT HDSOP-22 1 Channel 650 V 64 A 76 mOhms 20 V 4 V 97 nC - 40 C + 150 C 357 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies IPQC65R017CFD7AXTMA1
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS 953En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 750

Si SMD/SMT HDSOP-22 1 Channel 650 V 136 A 31 mOhms 10 V 4 V 236 nC - 40 C + 150 C 694 W Reel, Cut Tape
Infineon Technologies IPQC65R040CFD7AXTMA1
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS 722En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 750

Si SMD/SMT HDSOP-22 1 Channel 650 V 64 A 76 mOhms 10 V 4 V 97 nC - 40 C + 150 C 357 W Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW 1.678En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 180 mOhms 20 V 3.5 V 24 nC - 55 C + 150 C 68 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW 4.443En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 214 mOhms 20 V 3 V 18 nC - 55 C + 150 C 53 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW 480En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 700 V 106 A 18 mOhms 20 V 4.5 V 234 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement Tube
Infineon Technologies IPDQ65R029CFD7AXTMA1
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS 726En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 750

Si SMD/SMT HDSOP-22 1 Channel 650 V 85 A 53 mOhms 20 V 4 V 139 nC - 40 C + 150 C 463 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies IPDQ65R060CFD7AXTMA1
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS 488En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 750

Si SMD/SMT HDSOP-22 1 Channel 650 V 45 A 115 mOhms 20 V 4 V 65 nC - 40 C + 150 C 272 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS 438En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 45 A 50 mOhms 20 V 4 V 102 nC - 40 C + 150 C 227 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Reel, Cut Tape

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS 1.029En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 32 A 75 mOhms 20 V 4.5 V 68 nC - 55 C + 150 C 171 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW 880En existencias
1.000Se espera el 12-10-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 305 mOhms 20 V 3 V 13 nC - 55 C + 150 C 41 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS 152En existencias
1.000Se espera el 01-10-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 230 mOhms 20 V 4 V 23 nC - 40 C + 150 C 63 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel