Adaptive LED Lighting Applications

Diodes Inc. Adaptive LED Lighting Applications are in high demand for vehicle lighting, including ambient mood lighting, illuminated sill plates, and puddle lighting, as relatively recent additions. Elegant lighting design, where effects like dimming and fade-in/fade-out are required, needs a dimmable device. The Diodes Inc. LED Drivers with switching regulators allow maximum overall efficiency with the highest degree of control and accuracy. Simple LED lighting solutions can be implemented with a series resistor. However, this has numerous disadvantages in an automotive environment. The LED output will vary with voltage during stop/start events, and VF-matched LEDs may be required for visual matching. LED lifetimes may be reduced due to uncontrolled current spikes. LED Drivers conquer these issues cost-effectively, with a small footprint.

Resultados: 122
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS

Diodes Incorporated Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) General Purpose Transistor
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20.351En existencias
18.000Se espera el 02-07-2027
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Min.: 1
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Máx.: 3.000
: 3.000


Diodes Incorporated Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) SS Low Sat Transistor
Hoja de datos
5.628En existencias
80.000En pedido
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Máx.: 1.740
: 10.000


Diodes Incorporated IC de controladores de iluminación LED Transistor LED Driver
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28En existencias
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Min.: 1
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: 3.000


Diodes Incorporated IC de controladores de iluminación LED 40V Linear LED 1W 10mA 10% 350mA
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1.608.000En pedido
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Máx.: 15.000
: 3.000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BSS Family
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5.150En existencias
45.000Se espera el 04-09-2026
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Min.: 1
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Máx.: 3.000
: 3.000

Diodes Incorporated Rectificadores y diodos Schottky 1.0A High Volt Schot 200Vr 1.0A .85V .1mA
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691En existencias
15.000En pedido
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Máx.: 410
: 3.000

Diodes Incorporated Rectificadores y diodos Schottky 1.0A Schottky Rec 60Vr 50Vf .1mA
Hoja de datos
193En existencias
6.000Se espera el 21-10-2026
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Máx.: 290
: 3.000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS:
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1.639En existencias
3.000Se espera el 25-08-2027
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Máx.: 300
: 3.000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V
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397En existencias
17.500En pedido
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Máx.: 2.500
: 2.500


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Ch Enhancement Mode
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12.050En existencias
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Min.: 1
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Máx.: 3.000
: 3.000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 20Vdss 12Vgss 30A
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1.030En existencias
54.000Se espera el 21-01-2027
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Máx.: 6.000
: 3.000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Dual N-Ch FET 40mOhm 10V 5.0A
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2.256En existencias
2.500Se espera el 31-08-2026
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: 2.500


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS
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1.627En existencias
213.000En pedido
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Máx.: 9.000
: 3.000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: -30V
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34.681En existencias
117.000En pedido
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Máx.: 3.000
: 3.000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS:
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3.322En existencias
2.500Se espera el 21-04-2027
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Máx.: 180
: 2.500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
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55En existencias
5.000En pedido
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Máx.: 310
: 2.500


Diodes Incorporated Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 40Vceo PNP -2A Ic 730mW -225mV 90mOhm
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19En existencias
21.000En pedido
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Máx.: 3.000
: 3.000

Diodes Incorporated Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) SS Mid-Perf Transistor
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5.559En existencias
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Min.: 1
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Máx.: 510
: 3.000


Diodes Incorporated Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 100V NPN Med PWR 1A Ic 2A Icm 500mW
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686En existencias
24.000En pedido
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Min.: 1
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Máx.: 3.000
: 3.000


Diodes Incorporated Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 400V PNP High Volt 500mW -150mA
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7.639En existencias
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Min.: 1
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Máx.: 3.000
: 3.000

Diodes Incorporated Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) SS Hi Voltage Transistor
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4.472En existencias
6.000Se espera el 25-06-2027
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Min.: 1
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Máx.: 460
: 3.000


Diodes Incorporated Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 40V PNP Med PWR 350mOhm -500mV -1A
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4.811En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 510
: 3.000


Diodes Incorporated Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 100V PNP High PWR Ic -1A Icm -2A
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4.002En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 470
: 3.000


Diodes Incorporated Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 40V PNP Low Sat 625mW -1.5A Cont
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4.048En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 370
: 3.000

Diodes Incorporated Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Pwr Mid Perf Transistor
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378En existencias
6.000Se espera el 09-07-2027
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1.000
: 1.000