Adaptive LED Lighting Applications

Diodes Inc. Adaptive LED Lighting Applications are in high demand for vehicle lighting, including ambient mood lighting, illuminated sill plates, and puddle lighting, as relatively recent additions. Elegant lighting design, where effects like dimming and fade-in/fade-out are required, needs a dimmable device. The Diodes Inc. LED Drivers with switching regulators allow maximum overall efficiency with the highest degree of control and accuracy. Simple LED lighting solutions can be implemented with a series resistor. However, this has numerous disadvantages in an automotive environment. The LED output will vary with voltage during stop/start events, and VF-matched LEDs may be required for visual matching. LED lifetimes may be reduced due to uncontrolled current spikes. LED Drivers conquer these issues cost-effectively, with a small footprint.

Resultados: 122
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS

Diodes Incorporated IC de controladores de iluminación LED LED Controller TSSOP TSSOP-16EP T&R 2.5K
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3.738En existencias
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: 2.500

Diodes Incorporated IC de controladores de iluminación LED 60V 1.2W LED Driver Two Term 150mA
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37.430En existencias
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Máx.: 3.000
: 3.000

Diodes Incorporated IC de controladores de iluminación LED LED Linear Driver
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10.085En existencias
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Diodes Incorporated Rectificadores y diodos Schottky 3.0A Schotty Rect 40Vrrm 0.5Vr 0.5mA
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16.799En existencias
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Máx.: 600
: 3.000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch Enh Mode FET VDSS -20V -12VGSS
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17.927En existencias
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Máx.: 480
: 3.000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Dual N-Ch FET 40mOhm 10V 5.0A
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4.629En existencias
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: 2.500

Diodes Incorporated IC de controladores de iluminación LED 60V 1.2W LED Driver Two Term 25mA
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5.672En existencias
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: 3.000

Diodes Incorporated Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 32V PNP Trans -40V 10W -32V VCEO -2A
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7.700En existencias
5.000Se espera el 02-10-2026
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Máx.: 530
: 2.500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 41V-60V
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81.500En existencias
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Máx.: 2.500
: 2.500

Diodes Incorporated IC de controladores de iluminación LED 60V 1.2W LED Driver Two Term 120mA
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12.000En existencias
12.000En pedido
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: 3.000

Diodes Incorporated IC de controladores de iluminación LED 60V 1.2W LED Driver Two Term 40mA
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20.680En existencias
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Máx.: 290
: 3.000

Diodes Incorporated IC de controladores de iluminación LED 60V 1.2W LED Driver Two Term 50mA
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11.741En existencias
15.000Se espera el 27-01-2027
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Máx.: 3.000
: 3.000

Diodes Incorporated Rectificadores y diodos Schottky 1.0A SBR 40Vrrm 28Vr 0.5Vf 0.5mA 30A
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34.429En existencias
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Máx.: 5.000
: 5.000

Diodes Incorporated Rectificadores y diodos Schottky 2.0A Schotty Rect 40Vrrm 28Vr 50Ifsm
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20.166En existencias
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Máx.: 1.250
: 5.000

Diodes Incorporated Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) SS Low Sat Transistor
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35.535En existencias
50.000Se espera el 21-10-2026
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Máx.: 1.740
: 10.000


Diodes Incorporated Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) SS Low Sat Transistor
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42.711En existencias
51.000Se espera el 15-01-2027
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Máx.: 3.000
: 3.000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BSS Family
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45.304En existencias
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Máx.: 3.000
: 3.000

Diodes Incorporated Rectificadores y diodos Schottky SBR Diode
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23.357En existencias
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Máx.: 420
: 3.000

Diodes Incorporated Rectificadores y diodos Schottky 2.0A 100V Schottky 71Vr 40Ifsm 0.86Vf
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18.399En existencias
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Máx.: 350
: 3.000
Diodes Incorporated Rectificadores y diodos Schottky 2.0A Schottky Rec 40vF 0.50V 0.1mA
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6.977En existencias
9.000Se espera el 15-09-2027
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Máx.: 660
: 3.000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS:
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115.080En existencias
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Máx.: 3.000
: 3.000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS
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82.972En existencias
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Máx.: 3.000
: 3.000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Enh Mode FET 12Vgss 470mA 610mW
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17.418En existencias
15.000Se espera el 05-02-2027
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Máx.: 690
: 3.000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Ch Enh FET 250mOhm -10V -2.3A
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7.723En existencias
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Máx.: 270
: 2.500


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -40V 11mOhm 25Vgss 1.45W -10.1A
Hoja de datos
2.629En existencias
2.500Se espera el 09-08-2027
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Min.: 1
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Máx.: 160
: 2.500