CoolMOS™ N-Channel MOSFETs

Infineon CoolMOS™ N-Channel Power MOSFETs set the standard for high performance and energy efficiency. The Infineon OptiMOS low voltage MOSFET family demonstrates a combination of the industry's lowest on-state resistance and best switching performance in the voltage range from 20V up to 250V. The new OptiMOS 25V and 30V product family sets new standards in power density and energy efficiency for discrete power MOSFETs. These devices are application-specific optimized for power supplies of servers, notebooks, telecom / datacom switches, and more. The revolutionary Infineon CoolMOS power family sets new standards in energy efficiency and is a technology leader in high voltage MOSFETs. The CoolMOS offers a significant reduction of conduction and switching losses and enables high power density and efficiency for superior power conversion systems. CoolMOS C6 / E6 Power MOSFETs combine the advantage of state-of-the-art superjunction devices with the strengths of conventional power semiconductors. Infineon Technologies CoolMOS™ Power Transistors use the revolutionary CoolMOS™ technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. CoolMOS™ C6 and E6 power transistor series combine the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. The resulting devices provide all the benefits of a fast switching SJ MOSFET while not sacrificing ease of use. Extremely low switching and conduction losses make switching applications even more efficient, more compact, lighter, and cooler.

Resultados: 33
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 100A TDSON-8 OptiMOS 3 3.510En existencias
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 120A TO220-3 OptiMOS 3 988En existencias
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3 1.953En existencias
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V 2.137En existencias
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 60A TO220FP-3 OptiMOS 3 3.439En existencias
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3 910En existencias
1.000Se espera el 13-08-2026
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 34A D2PAK-2 OptiMOS 3 2.845En existencias
2.000Se espera el 30-07-2026
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 100A TO220-3 OptiMOS 3 682En existencias
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 64A TO220-3 OptiMOS 3 192En existencias
1.000En pedido
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 2 4.913En existencias
5.000Se espera el 17-09-2026
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 45A TO220FP-3 OptiMOS 3 6.139En existencias
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 64A D2PAK-2 OptiMOS 3 1.650En existencias
13.998En pedido
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 84A TO220FP-3 OptiMOS 3 371En existencias
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 44A TDSON-8 OptiMOS 3 4.044En existencias
30.000Se espera el 17-09-2026
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MV POWER MOS 390En existencias
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MV POWER MOS 118En existencias
500Se espera el 24-08-2026
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3 540En existencias
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 36A TDSON-8 OptiMOS 3 2.571En existencias
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 25A TDSON-8 OptiMOS 3 3.402En existencias
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 21A TSDSON-8 OptiMOS 3 22.807En existencias
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 64A TO220FP-3 OptiMOS 3 52En existencias
1.500En pedido
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 160A D2PAK-6 OptiMOS 3 1.194En existencias
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 100A TO220-3 OptiMOS 3 635En existencias
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 100A TO220-3 OptiMOS 3 239En existencias
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 34A TO220-3 OptiMOS 3 14En existencias
500Se espera el 10-09-2026
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