Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=375W F=1MHZ AEC-Q101
TK160F10N1L,LXGQ
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=375W F=1MHZ AEC-Q101
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TO-220SM-3
N-Channel
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160 A
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3.5 V
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375 W
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AEC-Q101
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSON N-CH 60V 20A
XPN12006NC,L1XHQ
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TSON-8
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20 V
2.5 V
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=180W F=1MHZ AEC-Q101
TK60S10N1L,LXHQ
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N-Channel
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AEC-Q101
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=132W F=1MHZ AEC-Q101
XPH6R30ANB,L1XHQ
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SOP-Advance-8
N-Channel
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AEC-Q101
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=50W F=1MHZ AEC-Q101
TK7S10N1Z,LXHQ
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=50W F=1MHZ AEC-Q101
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DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
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100 V
7 A
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AEC-Q101
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR DSOP Advance(WF)M PD=170W F=1MHZ
XPW4R10ANB,L1XHQ
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR DSOP Advance(WF)M PD=170W F=1MHZ
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DSOP-8
N-Channel
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100 V
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4.1 mOhms
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3.5 V
75 nC
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=170W F=1MHZ AEC-Q101
XPH4R10ANB,L1XHQ
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=170W F=1MHZ AEC-Q101
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SMD/SMT
SOP-Advance-8
N-Channel
1 Channel
100 V
70 A
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AEC-Q101
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=46W F=1MHZ AEC-Q101
TK15S04N1L,LXHQ
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=46W F=1MHZ AEC-Q101
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SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
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AEC-Q101
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=205W F=1MHZ AEC-Q101
TK60F10N1L,LXGQ
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=205W F=1MHZ AEC-Q101
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SMD/SMT
TO-220SM-3
N-Channel
1 Channel
100 V
60 A
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AEC-Q101
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:60V IC:6.0A PD:1.5W TSOP6F
SSM6K809R,LXHF
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:60V IC:6.0A PD:1.5W TSOP6F
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SMD/SMT
TSOP6F
N-Channel
1 Channel
60 V
6 A
36 mOhms
20 V
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9.3 nC
+ 175 C
1.5 W
Enhancement
AEC-Q101
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:100V IC:3.5A PD:1.5W TSOP6F
SSM6K810R,LXHF
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757-SSM6K810RLXHF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:100V IC:3.5A PD:1.5W TSOP6F
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SMD/SMT
TSOP6F
N-Channel
1 Channel
100 V
3.5 A
51 mOhms
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3.2 nC
+ 175 C
1.5 W
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AEC-Q101
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TK40S06N1L,LXHQ
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757-TK40S06N1L,LXHQ
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
60 V
40 A
10.5 mOhms
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+ 175 C
88.2 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 30 V, 3.0 A, 0.095 ohm at 10V, DFN2020B(WF)
XSM6K336NW,LXHF
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757-XSM6K336NWLXHF
Nuevo producto
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 30 V, 3.0 A, 0.095 ohm at 10V, DFN2020B(WF)
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Si
SMD/SMT
DFN-6
N-Channel
1 Channel
30 V
3 A
95 mOhms
20 V
2.5 V
1.7 nC
+ 150 C
3.3 W
Enhancement
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 100 V, 3.5 A, 0.069 ohm at 10V, DFN2020B(WF)
XSM6K361NW,LXHF
Toshiba
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$1.265
2.270 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
757-XSM6K361NWLXHF
Nuevo producto
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 100 V, 3.5 A, 0.069 ohm at 10V, DFN2020B(WF)
2.270 En existencias
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Si
SMD/SMT
DFN-6
N-Channel
1 Channel
100 V
3.5 A
69 mOhms
20 V
2.5 V
3.2 nC
+ 175 C
4.3 W
Enhancement
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 40 V, 8.0 A, 0.0118 ohm at 10V, DFN2020B(WF)
XSM6K519NW,LXHF
Toshiba
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$1.276
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N.º de artículo de Mouser
757-XSM6K519NWLXHF
Nuevo producto
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 40 V, 8.0 A, 0.0118 ohm at 10V, DFN2020B(WF)
2.313 En existencias
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Si
SMD/SMT
DFN-6
N-Channel
1 Channel
40 V
8 A
17.8 mOhms
20 V
2.5 V
6.5 nC
+ 175 C
4.3 W
Enhancement
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V U-MOS VIII-H SOP-Advance(N) 15.4mohm
TPH1500CNH1,LQ
Toshiba
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757-TPH1500CNH1LQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V U-MOS VIII-H SOP-Advance(N) 15.4mohm
3.803 En existencias
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Si
SMD/SMT
SOP-8
N-Channel
1 Channel
150 V
38 A
15.4 mOhms
20 V
4 V
22 nC
- 55 C
+ 150 C
170 W
Enhancement
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:100V IC:10A PD:1.5W TSOP6F
SSM6K819R,LXHF
Toshiba
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757-SSM6K819RLXHF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:100V IC:10A PD:1.5W TSOP6F
5.063 En existencias
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Si
SMD/SMT
TSOP6F
N-Channel
1 Channel
100 V
10 A
20.9 mOhms
20 V
2.5 V
8.5 nC
+ 175 C
1.5 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TK100S04N1L,LXHQ
Toshiba
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$2.746
4.390 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-TK100S04N1L,LXHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101
Comentarios de Producto
4.390 En existencias
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Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
40 V
100 A
2.3 mOhms
20 V
2.5 V
76 nC
+ 175 C
180 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS8 SOP-ADV(N) 100V 4.5mohm
+1 imagen
TPH4R50ANH1,LQ
Toshiba
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$2.723
3.578 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-TPH4R50ANH1LQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS8 SOP-ADV(N) 100V 4.5mohm
3.578 En existencias
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Si
SMD/SMT
SOP-8
N-Channel
1 Channel
100 V
92 A
4.5 mOhms
20 V
4 V
58 nC
+ 150 C
170 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=40W F=1MHZ AEC-Q101
TK33S10N1L,LXHQ
Toshiba
1:
$2.267
877 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-TK33S10N1LLXHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=40W F=1MHZ AEC-Q101
Comentarios de Producto
877 En existencias
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Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
100 V
33 A
9.7 mOhms
20 V
2.5 V
33 nC
- 55 C
+ 175 C
125 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS Dual N-ch Low drain-source on-resistance VDSS:100V ID:3.5A PD:1.5W TSOP6F
SSM6N813R,LXHF
Toshiba
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1.244 En existencias
6.000 Se espera el 23-10-2026
N.º de artículo de Mouser
757-SSM6N813RLXHF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS Dual N-ch Low drain-source on-resistance VDSS:100V ID:3.5A PD:1.5W TSOP6F
1.244 En existencias
6.000 Se espera el 23-10-2026
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Si
SMD/SMT
TSOP6F
N-Channel
2 Channel
100 V
3.5 A
88 mOhms
20 V
2.5 V
3.6 nC
+ 175 C
1.5 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=65W F=1MHZ AEC-Q101
TK11S10N1L,LXHQ
Toshiba
1:
$1.823
2.828 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-TK11S10N1LLXHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=65W F=1MHZ AEC-Q101
Comentarios de Producto
2.828 En existencias
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Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
100 V
11 A
28 mOhms
20 V
2.5 V
15 nC
- 55 C
+ 175 C
65 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR SOP-8-ADV PD=78W F=1MHZ
TPHR9003NL1,LQ
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$3.156
94 En existencias
10.000 Se espera el 26-02-2027
N.º de artículo de Mouser
757-TPHR9003NL1LQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR SOP-8-ADV PD=78W F=1MHZ
94 En existencias
10.000 Se espera el 26-02-2027
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Si
SMD/SMT
SOP-8
N-Channel
1 Channel
30 V
320 A
770 uOhms
20 V
2.3 V
74 nC
+ 150 C
170 W
Enhancement
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101
XPN6R706NC,L1XHQ
Toshiba
1:
$1.914
2.722 En existencias
5.000 Se espera el 09-11-2026
N.º de artículo de Mouser
757-XPN6R706NC,L1XHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101
Comentarios de Producto
2.722 En existencias
5.000 Se espera el 09-11-2026
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Mult.: 1
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5.000
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Si
SMD/SMT
TSON-Advance-8
N-Channel
1 Channel
60 V
40 A
6.7 mOhms
20 V
2.5 V
35 nC
+ 175 C
100 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 57W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TK25S06N1L,LXHQ
Toshiba
1:
$1.868
4.000 Se espera el 23-10-2026
N.º de artículo de Mouser
757-TK25S06N1L,LXHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 57W 1MHz Automotive; AEC-Q101
Comentarios de Producto
4.000 Se espera el 23-10-2026
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Mult.: 1
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2.000
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
60 V
25 A
36.8 mOhms
20 V
1.5 V
15 nC
- 55 C
+ 175 C
57 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape