CoolMOS™ Superjunction MOSFETs

Infineon CoolMOS™ Power Transistors provide all the benefits of a fast-switching SJ MOSFET. Combined with the generation CoolMOS 7, Infineon continues to set price, performance, and quality benchmarks.

Resultados: 175
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW 13.902En existencias
Cinta cortada
$15.825
$9.479
$9.308
$8.989
$8.715
Envase tipo carrete
$8.396
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000
Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 23 A 22 mOhms 20 V 4.5 V 150 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW 4.610En existencias
Cinta cortada
$3.839
$1.925
$1.732
$1.401
$1.367
Envase tipo carrete
$1.287
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 13 A 310 mOhms 20 V 2.5 V 30 nC - 55 C + 150 C 84 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW 3.868En existencias
Cinta cortada
$2.495
$1.208
$1.077
$856
$794
Envase tipo carrete
$713
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 950 V 6 A 1.2 Ohms 20 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW 1.568En existencias
Cinta cortada
$8.613
$4.625
$4.238
$4.067
$3.839
Envase tipo carrete
$3.839
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 33 A 66 mOhms 20 V 3.5 V 67 nC - 40 C + 150 C 189 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS 1.114En existencias
$13.056
$7.143
$6.653
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 45 A 50 mOhms 20 V 4 V 102 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 4.850En existencias
$1.948
$922
$821
$654
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 700 V 8.5 A 490 mOhms 30 V 2.5 V 10.5 nC - 40 C + 150 C 24.9 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW 9.128En existencias
Cinta cortada
$1.584
$743
$661
$515
Envase tipo carrete
$412
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 2.5 A 2 Ohms 20 V 2.5 V 7.5 nC - 55 C + 150 C 22 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW 4.448En existencias
Cinta cortada
$2.472
$1.196
$1.068
$849
$787
Envase tipo carrete
$706
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 7 A 640 mOhms 20 V 2.5 V 17 nC - 55 C + 150 C 51 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW 7.426En existencias
Cinta cortada
$2.290
$1.101
$983
$779
$743
Envase tipo carrete
$637
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 6 A 770 mOhms 20 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW 3.440En existencias
Cinta cortada
$9.160
$4.944
$4.546
$4.409
$4.158
Envase tipo carrete
$4.158
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 40 A 60 mOhms 20 V 3.5 V 79 nC - 40 C + 150 C 219 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW 2.695En existencias
Cinta cortada
$4.842
$2.860
$2.336
$1.948
$1.880
Envase tipo carrete
$1.766
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 160 mOhms 20 V 3.5 V 31 nC - 40 C + 150 C 95 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW 959En existencias
Cinta cortada
$7.303
$4.341
$2.939
Envase tipo carrete
$2.939
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000
Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 8 A 65 mOhms 12 V 3.5 V 51 nC - 55 C + 150 C 167 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW 816En existencias
Cinta cortada
$8.465
$4.534
$4.158
$3.965
Envase tipo carrete
$3.748
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 31 A 70 mOhms 20 V 4.5 V 67 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW 8.670En existencias
Cinta cortada
$2.039
$970
$865
$681
Envase tipo carrete
$554
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 4.5 A 1 Ohms 20 V 2.5 V 11 nC - 55 C + 150 C 37 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW 3.336En existencias
Cinta cortada
$4.079
$2.210
$1.834
$1.595
$1.538
Envase tipo carrete
$1.538
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 14 A 153 mOhms 20 V 3.5 V 28 nC - 40 C + 150 C 85 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW 697En existencias
$12.008
$6.517
$5.981
$5.879
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 50 A 40 mOhms 20 V 3.5 V 109 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW 3.410En existencias
$8.043
$4.193
$3.839
$3.498
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 37 A 69 mOhms 20 V 3 V 51 nC - 55 C + 150 C 129 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW 1.132En existencias
Cinta cortada
$6.084
$3.213
$2.837
$2.552
Envase tipo carrete
$2.256
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 31 A 77 mOhms 20 V 3 V 45 nC - 55 C + 150 C 117 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS 786En existencias
Cinta cortada
$6.847
$3.600
$2.825
Envase tipo carrete
$2.825
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 115 mOhms 20 V 4 V 41 nC - 40 C + 150 C 114 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW 1.133En existencias
Cinta cortada
$8.977
$4.842
$4.443
$4.044
Envase tipo carrete
$4.044
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.700
Si SMD/SMT HDSOP-10 N-Channel 1 Channel 600 V 29 A 80 mOhms 20 V 3 V 42 nC - 55 C + 150 C 174 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW 3.413En existencias
Cinta cortada
$9.194
$4.990
$4.580
$4.455
$4.204
Envase tipo carrete
$4.204
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 41 A 53 mOhms 20 V 3 V 67 nC - 40 C + 150 C 201 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW 5.576En existencias
Cinta cortada
$2.176
$1.041
$931
$735
$693
Envase tipo carrete
$594
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 950 V 6 A 1.2 Ohms 20 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 150 C 7 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW 678En existencias
$5.856
$3.030
$2.757
$2.415
$2.267
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 125 mOhms 20 V 3.5 V 36 nC - 55 C + 150 C 32 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW 1.216En existencias
$2.586
$1.253
$1.121
$857
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 6 A 770 mOhms 20 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 150 C 26 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW 734En existencias
$3.976
$1.994
$1.800
$1.435
$1.390
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 800 V 13 A 310 mOhms 20 V 2.5 V 30 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement CoolMOS Tube