Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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600V Single N-Channel Power MOSFETs

Taiwan Semiconductor 600V Single N-channel power MOSFETs incorporate super-junction technology and operate within the -55°C to 150°C temperature range. These MOSFETs are Pb-free, RoHS-compliant, and halogen-free. Typical applications include lighting, industrial, and switching applications.

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Resultados: 29

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Calificación	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 3A, Single N-Channel Power MOSFET TSM60NC1R5CP ROG Taiwan Semiconductor 1: $2.096 5.000En existencias	N.º de artículo del Fabricante TSM60NC1R5CP ROG N.º de artículo de Mouser 821-TSM60NC1R5CPROG	Taiwan Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 3A, Single N-Channel Power MOSFET Obtenga más información sobre Taiwan Semiconductor taiwan 600v n ch power mosfets	Hoja de datos	5.000En existencias	Cinta cortada $2.096 $997 $890 $702 Envase tipo carrete $575 Ver $654 $561 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	3 A	1.5 Ohms	20 V	5.5 V	8.1 nC	- 55 C	+ 150 C	55 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 11A, Single N-Channel Power MOSFET TSM60NC390CP ROG Taiwan Semiconductor 1: $3.862 4.774En existencias	N.º de artículo del Fabricante TSM60NC390CP ROG N.º de artículo de Mouser 821-TSM60NC390CPROG	Taiwan Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 11A, Single N-Channel Power MOSFET Obtenga más información sobre Taiwan Semiconductor taiwan 600v n ch power mosfets	Hoja de datos	4.774En existencias	Cinta cortada $3.862 $1.937 $1.743 $1.424 $1.390 Envase tipo carrete $1.299 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	11 A	390 mOhms	20 V	5 V	21 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 4A, Single N-Channel Power MOSFET TSM60NC980CP ROG Taiwan Semiconductor 1: $2.358 4.477En existencias	N.º de artículo del Fabricante TSM60NC980CP ROG N.º de artículo de Mouser 821-TSM60NC980CPROG	Taiwan Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 4A, Single N-Channel Power MOSFET Obtenga más información sobre Taiwan Semiconductor taiwan 600v n ch power mosfets	Hoja de datos	4.477En existencias	Cinta cortada $2.358 $1.132 $1.013 $803 $737 Envase tipo carrete $662 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	4 A	980 mOhms	20 V	5 V	11 nC	- 55 C	+ 150 C	57 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 3A, Single N-Channel Power MOSFET TSM60NC1R5CH C5G Taiwan Semiconductor 1: $2.096 3.658En existencias	N.º de artículo del Fabricante TSM60NC1R5CH C5G N.º de artículo de Mouser 821-TSM60NC1R5CHC5G	Taiwan Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 3A, Single N-Channel Power MOSFET Obtenga más información sobre Taiwan Semiconductor taiwan 600v n ch power mosfets	Hoja de datos	3.658En existencias	$2.096 $997 $890 $702 Ver $654 $597 $573 $561	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-251-3	N-Channel	1 Channel	600 V	3 A	1.5 Ohms	20 V	4.3 V	7.6 nC	- 55 C	+ 150 C	39 W	Enhancement	AEC-Q101	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 11A, Single N-Channel Power MOSFET TSM60NC390CI C0G Taiwan Semiconductor 1: $4.170 3.890En existencias	N.º de artículo del Fabricante TSM60NC390CI C0G N.º de artículo de Mouser 821-TSM60NC390CIC0G	Taiwan Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 11A, Single N-Channel Power MOSFET Obtenga más información sobre Taiwan Semiconductor taiwan 600v n ch power mosfets	Hoja de datos	3.890En existencias	$4.170 $2.108 $1.903 $1.549 Ver $1.538 $1.447	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	ITO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	11 A	390 mOhms	20 V	5 V	21.3 nC	- 55 C	+ 150 C	78 W	Enhancement	AEC-Q101	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 7A, Single N-Channel Power MOSFET TSM60NC620CI C0G Taiwan Semiconductor 1: $3.315 3.713En existencias	N.º de artículo del Fabricante TSM60NC620CI C0G N.º de artículo de Mouser 821-TSM60NC620CIC0G	Taiwan Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 7A, Single N-Channel Power MOSFET Obtenga más información sobre Taiwan Semiconductor taiwan 600v n ch power mosfets	Hoja de datos	3.713En existencias	$3.315 $2.142 $1.481 $1.196 Ver $1.094 $1.050	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	ITO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	4 A	980 mOhms	20 V	5 V	11 nC	- 55 C	+ 150 C	57 W	Enhancement	AEC-Q101	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 42A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSM60NE084PW C0G Taiwan Semiconductor 1: $12.316 287En existencias	N.º de artículo del Fabricante TSM60NE084PW C0G N.º de artículo de Mouser 821-TSM60NE084PWC2G	Taiwan Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 42A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Obtenga más información sobre Taiwan Semiconductor taiwan 600v n ch power mosfets	Hoja de datos	287En existencias	$12.316 $6.847 $6.152	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	600 V	42 A	84 mOhms	30 V	6 V	68 nC	- 55 C	+ 150 C	357 W	Enhancement	AEC-Q101	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 14.5A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSM60NE145CIT C0G Taiwan Semiconductor 1: $7.007 1.979En existencias	N.º de artículo del Fabricante TSM60NE145CIT C0G N.º de artículo de Mouser 821-TSM60NE145CITC0G	Taiwan Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 14.5A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Obtenga más información sobre Taiwan Semiconductor taiwan 600v n ch power mosfets	Hoja de datos	1.979En existencias	$7.007 $3.691 $3.372 $2.905	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	ITO-220TL-3	N-Channel	1 Channel	600 V	14.5 A	145 mOhms	30 V	6 V	40 nC	- 55 C	+ 150 C	69 W	Enhancement	AEC-Q101	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 13A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSM60NE180CIT C0G Taiwan Semiconductor 1: $6.482 1.988En existencias	N.º de artículo del Fabricante TSM60NE180CIT C0G N.º de artículo de Mouser 821-TSM60NE180CITC0G	Taiwan Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 13A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Obtenga más información sobre Taiwan Semiconductor taiwan 600v n ch power mosfets	Hoja de datos	1.988En existencias	$6.482 $3.395 $3.087 $2.620	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	ITO-220TL-3	N-Channel	1 Channel	600 V	13 A	180 mOhms	30 V	6 V	34 nC	- 55 C	+ 150 C	63 W	Enhancement	AEC-Q101	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 9.5A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSM60NE285CIT C0G Taiwan Semiconductor 1: $4.979 1.982En existencias	N.º de artículo del Fabricante TSM60NE285CIT C0G N.º de artículo de Mouser 821-TSM60NE285CITC0G	Taiwan Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 9.5A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Obtenga más información sobre Taiwan Semiconductor taiwan 600v n ch power mosfets	Hoja de datos	1.982En existencias	$4.979 $2.552 $2.313 $1.903 $1.834	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	ITO-220TL-3	N-Channel	1 Channel	600 V	9.5 A	285 mOhms	30 V	6 V	22 nC	- 55 C	+ 150 C	56 W	Enhancement	AEC-Q101	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 61A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSM60NE048PW C0G Taiwan Semiconductor 1: $17.693 298En existencias	N.º de artículo del Fabricante TSM60NE048PW C0G N.º de artículo de Mouser 821-TSM60NE048PWC2G	Taiwan Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 61A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Obtenga más información sobre Taiwan Semiconductor taiwan 600v n ch power mosfets	Hoja de datos	298En existencias	$17.693 $12.441 $9.798	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	600 V	61 A	48 mOhms	30 V	6 V	114 nC	- 55 C	+ 150 C	431 W	Enhancement	AEC-Q101	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 51A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSM60NE069PW C0G Taiwan Semiconductor 1: $13.968 300En existencias	N.º de artículo del Fabricante TSM60NE069PW C0G N.º de artículo de Mouser 821-TSM60NE069PWC2G	Taiwan Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 51A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Obtenga más información sobre Taiwan Semiconductor taiwan 600v n ch power mosfets	Hoja de datos	300En existencias	$13.968 $7.861 $7.257	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	600 V	51 A	69 mOhms	30 V	6 V	86 nC	- 55 C	+ 150 C	417 W	Enhancement	AEC-Q101	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 12A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSM60NE200CIT C0G Taiwan Semiconductor 1: $5.890 1.984En existencias	N.º de artículo del Fabricante TSM60NE200CIT C0G N.º de artículo de Mouser 821-TSM60NE200CITC0G	Taiwan Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 12A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Obtenga más información sobre Taiwan Semiconductor taiwan 600v n ch power mosfets	Hoja de datos	1.984En existencias	$5.890 $3.908 $2.780 $2.301 $2.290	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	ITO-220TL-3	N-Channel	1 Channel	600 V	12 A	200 mOhms	30 V	6 V	30 nC	- 55 C	+ 150 C	63 W	Enhancement	AEC-Q101	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 7A, Single N-Channel Power MOSFET TSM60NC620CH C5G Taiwan Semiconductor 1: $3.030 2.547En existencias	N.º de artículo del Fabricante TSM60NC620CH C5G N.º de artículo de Mouser 821-TSM60NC620CHC5G	Taiwan Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 7A, Single N-Channel Power MOSFET Obtenga más información sobre Taiwan Semiconductor taiwan 600v n ch power mosfets	Hoja de datos	2.547En existencias	$3.030 $1.515 $1.333 $1.085 Ver $1.023 $993 $924 Presupuesto	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-251-3	N-Channel	1 Channel	600 V	7 A	620 mOhms	20 V	5 V	15 nC	- 55 C	+ 150 C	78 W	Enhancement	AEC-Q101	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 7A, Single N-Channel Power MOSFET TSM60NC620CP ROG Taiwan Semiconductor 1: $2.917 7.500En existencias	N.º de artículo del Fabricante TSM60NC620CP ROG N.º de artículo de Mouser 821-TSM60NC620CPROG	Taiwan Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 7A, Single N-Channel Power MOSFET Obtenga más información sobre Taiwan Semiconductor taiwan 600v n ch power mosfets	Hoja de datos	7.500En existencias	Cinta cortada $2.917 $1.424 $1.287 $1.023 $996 Envase tipo carrete $885 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	7 A	620 mOhms	20 V	5 V	15 nC	- 55 C	+ 150 C	78 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 4A, Single N-Channel Power MOSFET TSM60NC980CH C5G Taiwan Semiconductor 1: $2.358 3.747En existencias	N.º de artículo del Fabricante TSM60NC980CH C5G N.º de artículo de Mouser 821-TSM60NC980CHC5G	Taiwan Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 4A, Single N-Channel Power MOSFET Obtenga más información sobre Taiwan Semiconductor taiwan 600v n ch power mosfets	Hoja de datos	3.747En existencias	$2.358 $1.504 $1.014 $803 Ver $736 $653	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-251-3	N-Channel	1 Channel	600 V	4 A	980 mOhms	20 V	5 V	11 nC	- 55 C	+ 150 C	57 W	Enhancement	AEC-Q101	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 14A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSM60NC165CF C0G Taiwan Semiconductor 4.000: $2.244 Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante TSM60NC165CF C0G N.º de artículo de Mouser 821-TSM60NC165CFC0G Nuevo producto	Taiwan Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 14A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Obtenga más información sobre Taiwan Semiconductor taiwan 600v n ch power mosfets	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas	Cinta cortada $2.244	Min.: 4.000 Mult.: 2.000 : 2.000	Si	Through Hole	ITO-220S-3	N-Channel	1 Channel	600 V	14 A	165 mOhms	20 V, 30 V	5 V	48 nC	- 55 C	+ 150 C	81 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 14A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSM60NC165CIT C0G Taiwan Semiconductor 4.000: $2.222 Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante TSM60NC165CIT C0G N.º de artículo de Mouser 821-TSM60NC165CITC0G Nuevo producto	Taiwan Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 14A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Obtenga más información sobre Taiwan Semiconductor taiwan 600v n ch power mosfets	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas	Cinta cortada $2.222	Min.: 4.000 Mult.: 2.000 : 2.000	Si	Through Hole	ITO-220S-3	N-Channel	1 Channel	600 V	14 A	165 mOhms	20 V, 30 V	5 V	48 nC	- 55 C	+ 150 C	81 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 12A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSM60NC196CF C0G Taiwan Semiconductor 4.000: $1.994 Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante TSM60NC196CF C0G N.º de artículo de Mouser 821-TSM60NC196CFC0G Nuevo producto	Taiwan Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 12A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Obtenga más información sobre Taiwan Semiconductor taiwan 600v n ch power mosfets	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas	Cinta cortada $1.994	Min.: 4.000 Mult.: 2.000 : 2.000	Si	Through Hole	ITO-220S-3	N-Channel	1 Channel	600 V	12 A	165 mOhms	20 V, 30 V	5 V	42 nC	- 55 C	+ 150 C	74 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 12A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSM60NC196CIT C0G Taiwan Semiconductor 4.000: $1.481 Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante TSM60NC196CIT C0G N.º de artículo de Mouser 821-TSM60NC196CITC0G Nuevo producto	Taiwan Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 12A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Obtenga más información sobre Taiwan Semiconductor taiwan 600v n ch power mosfets	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas	Cinta cortada $1.481	Min.: 4.000 Mult.: 2.000 : 2.000	Si	Through Hole	ITO-220TL-3	N-Channel	1 Channel	600 V	12 A	196 mOhms	20 V, 30 V	5 V	42 nC	- 55 C	+ 150 C	74 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 21A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSM60NE084CIT C0G Taiwan Semiconductor 4.000: $5.639 Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas	N.º de artículo del Fabricante TSM60NE084CIT C0G N.º de artículo de Mouser 821-TSM60NE084CITC0G	Taiwan Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 21A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Obtenga más información sobre Taiwan Semiconductor taiwan 600v n ch power mosfets	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas	$5.639	Min.: 4.000 Mult.: 2.000	Si	Through Hole	ITO-220TL-3	N-Channel	1 Channel	600 V	21 A	84 mOhms	30 V	6 V	69 nC	- 55 C	+ 150 C	83 W	Enhancement	AEC-Q101	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 24A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSM60NE069CIT C0G Taiwan Semiconductor 4.000: $6.722 Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas	N.º de artículo del Fabricante TSM60NE069CIT C0G N.º de artículo de Mouser 821-TSM60NE069CITC0G	Taiwan Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 24A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Obtenga más información sobre Taiwan Semiconductor taiwan 600v n ch power mosfets	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas	$6.722	Min.: 4.000 Mult.: 2.000	Si	Through Hole	ITO-220TL-3	N-Channel	1 Channel	600 V	24 A	69 mOhms	30 V	6 V	89 nC	- 55 C	+ 150 C	89 W	Enhancement	AEC-Q101	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 47A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET), TOLL TSM60NE084TL RAG Taiwan Semiconductor 4.000: $4.557 Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante TSM60NE084TL RAG N.º de artículo de Mouser 821-TSM60NE084TLRAG Nuevo producto	Taiwan Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 47A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET), TOLL Obtenga más información sobre Taiwan Semiconductor taiwan 600v n ch power mosfets	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas	Cinta cortada $4.557	Min.: 4.000 Mult.: 2.000 : 2.000	Si	SMD/SMT	TOLL-8	N-Channel	1 Channel	600 V	47 A	84 mOhms	20 V	6 V	69 nC	- 55 C	+ 150 C	431 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 27A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET), PDFN88 TSM60NE110CE RVG Taiwan Semiconductor 6.000: $3.463 Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante TSM60NE110CE RVG N.º de artículo de Mouser 821-TSM60NE110CERVG Nuevo producto	Taiwan Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 27A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET), PDFN88 Obtenga más información sobre Taiwan Semiconductor taiwan 600v n ch power mosfets	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas	Cinta cortada $3.463	Min.: 6.000 Mult.: 3.000 : 3.000	Si	SMD/SMT	PDFN88-4	N-Channel	1 Channel	600 V	27 A	110 mOhms	30 V	6 V	56 nC	- 55 C	+ 150 C	178 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 17A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSM60NE110CIT C0G Taiwan Semiconductor 4.000: $4.363 Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas	N.º de artículo del Fabricante TSM60NE110CIT C0G N.º de artículo de Mouser 821-TSM60NE110CITC0G	Taiwan Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 17A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Obtenga más información sobre Taiwan Semiconductor taiwan 600v n ch power mosfets	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas	$4.363	Min.: 4.000 Mult.: 2.000	Si	Through Hole	ITO-220TL-3	N-Channel	1 Channel	600 V	17 A	110 mOhms	30 V	6 V	55 nC	- 55 C	+ 150 C	73 W	Enhancement	AEC-Q101	Tube