EF High Voltage Power MOSFETs

Vishay / Siliconix EF High Voltage Power MOSFETs with Fast Body Diode are N-Channel power MOSFETs with low reverse recovery charge (Qrr) than standard MOSFETs. The EF power MOSFETs come with low Qrr that allows the devices to avoid failure from shoot-through, thermal overstress, and provide low reverse recovery losses. These devices possess ultra-low on-resistance and gate charge that translate into extremely low conduction and switching losses to save energy in high-power, high-performance switch mode applications.

Resultados: 31
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode
Hoja de datos
7.426En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 600 V 29 A 102 mOhms 30 V 5 V 35 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Bulk
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
Hoja de datos
950En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 180 mOhms 30 V 4 V 71 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V Vds 30V Vgs TO-220; w/diode
Hoja de datos
1.042En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 19 A 182 mOhms 30 V 2 V 96 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V Vds 30V Vgs TO-263; w/diode
Hoja de datos
1.695En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 19 A 182 mOhms 30 V 2 V 96 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode
Hoja de datos
461En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 48 A 52 mOhms 30 V 5 V 67 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement Bulk

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
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289En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247AC-3 Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V
Hoja de datos
7.606En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 21 A 176 mOhms 30 V 4 V 84 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement Bulk
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode
Hoja de datos
2.218En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 29 A 102 mOhms 30 V 5 V 35 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V Vds 30V Vgs TO-220AB; w/diode
Hoja de datos
1.710En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 19 A 182 mOhms 30 V 2 V 96 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 8.4A N-CH MOSFET
Hoja de datos
1.516En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 650 V 8.4 A 193 mOhms 30 V 5 V 32 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement Tube

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
Hoja de datos
475En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 63 mOhms 30 V 4 V 185 nC - 55 C + 150 C 417 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
Hoja de datos
2.873En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-8x8-4 N-Channel 1 Channel 650 V 23 A 130 mOhms 30 V 4 V 77 nC - 55 C + 150 C 202 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds 30V Vgs TO-247AD
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409En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
Hoja de datos
2.927En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-8x8-4 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 332 mOhms 30 V 4 V 35 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
Hoja de datos
835En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 156 mOhms 30 V 2 V 122 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
Hoja de datos
2.996En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-8x8-4 N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 220 mOhms 30 V 4 V 41 nC - 55 C + 150 C 147 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
Hoja de datos
440En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247AC-3 Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode
Hoja de datos
969En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 48 A 52 mOhms 30 V 5 V 67 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 800V 20A N-CH MOSFET
Hoja de datos
1.387En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 800 V 20 A 170 mOhms 30 V 4 V 60 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 20A N-CH MOSFET
Hoja de datos
1.620En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 20 A 170 mOhms 30 V 4 V 60 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 600V 8.4A N-CH MOSFET
Hoja de datos
332En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 8.4 A 168 mOhms 30 V 5 V 32 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC
Hoja de datos
59En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 600 V 80 A 32 mOhms 30 V 2 V 400 nC - 55 C + 150 C 520 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 600V 8.4A N-CH MOSFET
Hoja de datos
953Se espera el 21-12-2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 8.4 A 168 mOhms 30 V 5 V 32 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V Vds 30V Vgs TO-247AC; w/diode
Hoja de datos
500Existencias disponibles
Más información disponible
Min.: 50
Mult.: 50

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 19 A 182 mOhms 30 V 2 V 96 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1.000
Mult.: 1.000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 700 V 24 A 156 mOhms 30 V 4 V 81 nC - 55 C + 150 C 39 W Enhancement Tube