MOSFETs de SiC – Mouser Chile

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CoolSiC™ 1200V G2 Silicon Carbide MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ 1200V G2 Silicon Carbide MOSFETs offer high-performance solutions for power electronics applications. These MOSFETs demonstrate excellent electrical characteristics and exhibit very low switching losses, enabling efficient operation. The 1200V G2 MOSFETs are designed for overload conditions, supporting operation up to 200°C, and can withstand short circuits for up to 2µs. These devices feature a 4.2V benchmark gate threshold voltage V_GS(th) and ensure precise control. The CoolSiC MOSFET 1200V G2 is available in three packages that build upon the strengths of Generation 1 technology to provide advanced solutions for more cost-optimized, efficient, compact, easy-to-design, and reliable systems. Generation 2 significantly improves key figures of merit for hard-/soft-switching topologies, ideal for all common combinations of DC-DC, AC-DC, and DC-AC stages.

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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N.° de pieza

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

IMCQ120R078M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: $8.729
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2.250Se espera el 09-08-2027
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IMCQ120R078M2HXTMA1

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726-IMCQ120R078M2HXT

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MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

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Cinta cortada

$8.729

$5.932

$4.365

Envase tipo carrete

$3.965

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22-U03

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

31 A

205 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

23.2 nC

- 55 C

+ 175 C

176 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

IMZA120R017M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: $21.149
35En existencias
480Se espera el 08-10-2026
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MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

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35En existencias

480Se espera el 08-10-2026

$21.149

$13.220

$12.547

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PG-TO247-4-U02

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

97 A

23 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

89 nC

- 55 C

+ 175 C

382 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

IMZA120R026M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: $15.712
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IMZA120R026M2HXKSA1

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MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

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162En existencias

$15.712

$9.570

$8.561

Min.: 1
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Through Hole

PG-TO247-4-U02

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

69 A

34 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

289 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

IMZA120R034M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: $13.188
138En existencias
240Se espera el 24-09-2026
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IMZA120R034M2HXKSA1

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MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

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240Se espera el 24-09-2026

$13.188

$7.919

$6.815

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PG-TO247-4-U02

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

55 A

45 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

45 nC

- 55 C

+ 175 C

244 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2

IMZC120R026M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: $16.196
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MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2

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18En existencias

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$16.196

$11.484

$9.739

$8.561

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

69 A

25 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

124 nC

- 55 C

+ 175 C

289 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R012M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: $27.386
121En existencias
1.000Se espera el 07-01-2027

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IMBG120R012M2HXTMA1

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MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

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121En existencias

1.000Se espera el 07-01-2027

Cinta cortada

$27.386

$19.856

$18.899

$18.657

Envase tipo carrete

$17.237

Min.: 1
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: 1.000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

144 A

12.2 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

124 nC

- 55 C

+ 175 C

600 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R022M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: $17.016
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726-IMBG120R022M2HXT

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MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

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Cinta cortada

$17.016

$12.000

$10.286

Envase tipo carrete

$9.591

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

87 A

21.6 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

71 nC

- 55 C

+ 175 C

385 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R026M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: $14.724
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IMBG120R026M2HXTMA1

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Cinta cortada

$14.724

$8.424

Envase tipo carrete

$7.856

Min.: 1
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: 1.000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

75 A

25.4 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

335 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R040M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: $11.390
310En existencias

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IMBG120R040M2HXTMA1

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Cinta cortada

$11.390

$7.856

$6.100

Envase tipo carrete

$5.690

Min.: 1
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: 1.000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

52 A

39.6 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

8.1 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R053M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: $9.581
1.968En existencias

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IMBG120R053M2HXTMA1

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MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

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$9.581

$5.237

$4.817

Envase tipo carrete

$4.470

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

41 A

52.6 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

205 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R116M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: $7.120
599En existencias

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IMBG120R116M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
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Infineon Technologies

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599En existencias

Cinta cortada

$7.120

$4.785

$3.460

$3.271

Envase tipo carrete

$3.050

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

21.2 A

115.7 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

14.4 nC

- 55 C

+ 175 C

123 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R181M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: $6.079
1.027En existencias
1.000Se espera el 18-03-2027

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IMBG120R181M2HXTMA1

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1.027En existencias

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Cinta cortada

$6.079

$4.060

$2.903

$2.650

Envase tipo carrete

$2.471

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

14.9 A

181.4 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

9.7 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R234M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: $5.490
5.511En existencias

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IMBG120R234M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG120R234M2HXT

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

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5.511En existencias

Cinta cortada

$5.490

$3.649

$2.598

$2.314

Envase tipo carrete

$2.303

$2.177

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

8.1 A

233.9 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

7.9 nC

- 55 C

+ 175 C

80 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R078M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: $8.571
41En existencias
2.000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IMBG120R078M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG120R078M2HXT

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

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41En existencias

2.000En pedido

Cinta cortada

$8.571

$5.763

$4.459

$4.123

Envase tipo carrete

$3.723

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

29 A

78.1 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

20.6 nC

- 55 C

+ 175 C

158 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

IMCQ120R004M2HXUMA1
Infineon Technologies
1: $73.092
1.500En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMCQ120R004M2HXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMCQ120R004M2HXU

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

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1.500En pedido

Cinta cortada

$73.092

$58.905

$55.782

Envase tipo carrete

$55.782

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22-U03

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

403 A

10.4 mOhms

- 10 V, 25 V

5.1 V

348 nC

- 55 C

+ 175 C

1.5 kW

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

IMCQ120R005M2HXUMA1
Infineon Technologies
1: $60.062
492Se espera el 15-07-2027
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMCQ120R005M2HXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMCQ120R005M2HXU

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

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Hoja de datos

492Se espera el 15-07-2027

Cinta cortada

$60.062

$51.228

$45.254

$42.257

Envase tipo carrete

$42.257

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

342 A

13.6 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

261 nC

- 55 C

+ 175 C

1.364 kW

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling

IMCQ120R017M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: $20.529
1.500En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMCQ120R017M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMCQ120R017M2HXT

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling

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1.500En pedido

Cinta cortada

$20.529

$14.629

$12.936

$12.084

Envase tipo carrete

$12.084

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

IMZA120R053M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: $11.158
1.440En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMZA120R053M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZA120R053M2HXK

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

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1.440En pedido

$11.158

$6.121

$5.658

$5.248

$5.237

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PG-TO247-4-U02

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

38 A

69 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

182 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 40 mohm G2

IMZC120R040M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: $12.557
1.992En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMZC120R040M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZC120R040M2HXK

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 40 mohm G2

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1.992En pedido

$12.557

$7.499

$6.394

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

48 A

40 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

218 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

IMZA120R078M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: $9.875
240Se espera el 22-10-2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMZA120R078M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZA120R078M2HXK

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

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Hoja de datos

240Se espera el 22-10-2026

$9.875

$6.952

$5.627

$4.480

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PG-TO247-4-U02

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

28 A

103 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

21 nC

- 55 C

+ 175 C

143 W

Enhancement

CoolSiC

CoolSiC™ 1200V G2 Silicon Carbide MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

8.1 A
14.9 A
21.2 A
28 A
29 A
31 A
38 A
41 A
43 A
44 A
48 A
52 A
55 A
56 A
64 A
69 A
75 A
80 A
82 A
87 A

7.5 mOhms
7.7 mOhms
10.4 mOhms
12 mOhms
12.2 mOhms
13.6 mOhms
16 mOhms
17 mOhms
17.1 mOhms
20 mOhms
21.6 mOhms
22 mOhms
23 mOhms
25 mOhms
25.4 mOhms
29 mOhms
34 mOhms
39.6 mOhms
40 mOhms
45 mOhms

7.9 nC
8.1 nC
9.7 nC
14.4 nC
20.6 nC
21 nC
23.2 nC
30 nC
32.8 nC
37 nC
39 nC
42.4 nC
45 nC
48.7 nC
60 nC
63.4 nC
71 nC
73 nC
89 nC
124 nC

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