MOSFETs de SiC – Mouser Chile

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CoolSiC™ 1200V G2 Silicon Carbide MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ 1200V G2 Silicon Carbide MOSFETs offer high-performance solutions for power electronics applications. These MOSFETs demonstrate excellent electrical characteristics and exhibit very low switching losses, enabling efficient operation. The 1200V G2 MOSFETs are designed for overload conditions, supporting operation up to 200°C, and can withstand short circuits for up to 2µs. These devices feature a 4.2V benchmark gate threshold voltage V_GS(th) and ensure precise control. The CoolSiC MOSFET 1200V G2 is available in three packages that build upon the strengths of Generation 1 technology to provide advanced solutions for more cost-optimized, efficient, compact, easy-to-design, and reliable systems. Generation 2 significantly improves key figures of merit for hard-/soft-switching topologies, ideal for all common combinations of DC-DC, AC-DC, and DC-AC stages.

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Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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N.° de pieza

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode

IMY120R018CM2HXKSA1
Infineon Technologies
1: $19.141
188En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMY120R018CM2HXKSA1

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726-IMY120R018CM2HXK

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode

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$19.141

$11.190

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PG-TO-247-4

1 Channel

1.2 kV

80 A

23 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

73 nC

- 40 C

+ 175 C

356 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode

IMY120R036AM2HXKSA1
Infineon Technologies
1: $13.767
215En existencias
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IMY120R036AM2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMY120R036AM2HXK

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode

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215En existencias

$13.767

$7.635

$7.299

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PG-TO-247-4

1 Channel

1.2 kV

44 A

45 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

37 nC

- 40 C

+ 175 C

171 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with .XT interconnection technology

IMZC120R007M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: $43.582
188En existencias
960En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMZC120R007M2HXKSA1

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726-IMZC120R007M2HXK

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with .XT interconnection technology

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188En existencias

960En pedido

$43.582

$32.403

$30.909

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PG-TO247-4-U07

1 Channel

1.2 kV

201 A

20 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

176 nC

- 55 C

+ 175 C

711 W

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode

IMY120R036CM2HXKSA1
Infineon Technologies
1: $13.504
172En existencias
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IMY120R036CM2HXKSA1

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726-IMY120R036CM2HXK

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Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode

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$13.504

$7.478

$7.120

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PG-TO-247-4

1 Channel

1.2 kV

44 A

45 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

37 nC

- 40 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling

IMCQ120R017M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: $20.687
1.453En existencias
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IMCQ120R017M2HXTMA1

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726-IMCQ120R017M2HXT

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Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling

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Cinta cortada

$20.687

$14.482

$13.115

$12.242

Envase tipo carrete

$12.242

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

IMSQ120R012M2HHXUMA1
Infineon Technologies
1: $45.549
556En existencias
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IMSQ120R012M2HHXUMA1

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726-IMSQ120R012M2HHX

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Cinta cortada

$45.549

$35.358

$33.475

Envase tipo carrete

$33.475

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

1.2 kV

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling

IMCQ120R007M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: $44.550
118En existencias
5.250En pedido
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IMCQ120R007M2HXTMA1

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726-IMCQ120R007M2HXT

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MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling

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Cinta cortada

$44.550

$36.357

$32.119

$30.415

Envase tipo carrete

$30.415

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22

1.2 kV

257 A

7.5 mOhms

4.2 V

+ 175 C

- 55 C

1.172 kW

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling

IMCQ120R010M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: $34.159
573En existencias
3.000Se espera el 19-11-2026
Nuevo producto

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IMCQ120R010M2HXTMA1

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726-IMCQ120R010M2HXT

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Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling

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573En existencias

3.000Se espera el 19-11-2026

Cinta cortada

$34.159

$26.871

$23.653

$21.202

Envase tipo carrete

$21.202

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

IMCQ120R026M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: $15.060
1.774En existencias
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IMCQ120R026M2HXTMA1

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726-IMCQ120R026M2HXT

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Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

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Cinta cortada

$15.060

$8.666

$8.498

Envase tipo carrete

$8.203

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22-U03

1 Channel

1.2 kV

82 A

67 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

63.4 nC

- 55 C

+ 175 C

405 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

IMCQ120R034M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: $12.662
1.111En existencias
750En pedido
Nuevo producto

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IMCQ120R034M2HXTMA1

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726-IMCQ120R034M2HXT

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MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

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Cinta cortada

$12.662

$8.414

$7.635

$6.615

Envase tipo carrete

$6.436

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22-U03

1 Channel

1.2 kV

64 A

89 mOhms

- 10 V, + 25 C

5.1 V

48.7 nC

- 55 C

+ 175 C

326 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

IMCQ120R040M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: $11.853
951En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMCQ120R040M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMCQ120R040M2HXT

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

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951En existencias

Cinta cortada

$11.853

$6.615

$6.352

$6.005

Envase tipo carrete

$6.005

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22-U03

1 Channel

1.2 kV

56 A

104 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

42.4 nC

- 55 C

+ 175 C

288 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

IMCQ120R078M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: $9.002
2.299En existencias
Nuevo producto

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IMCQ120R078M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMCQ120R078M2HXT

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

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Hoja de datos

2.299En existencias

Cinta cortada

$9.002

$5.017

$4.606

$4.543

Envase tipo carrete

$4.007

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22-U03

1 Channel

1.2 kV

31 A

205 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

23.2 nC

- 55 C

+ 175 C

176 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

IMZA120R022M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: $18.131
277En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMZA120R022M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZA120R022M2HXK

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

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277En existencias

$18.131

$10.433

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PG-TO247-4-U02

1 Channel

1.2 kV

80 A

29 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

71 nC

- 55 C

+ 175 C

329 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2

IMZC120R012M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: $28.007
235En existencias
960En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMZC120R012M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZC120R012M2HXK

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2

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235En existencias

960En pedido

$28.007

$18.194

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

1 Channel

1.2 kV

129 A

12 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

124 nC

- 55 C

+ 175 C

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2

IMZC120R017M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: $21.959
384En existencias
720En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMZC120R017M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZC120R017M2HXK

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2

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384En existencias

720En pedido

$21.959

$15.859

$13.777

$13.157

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

1 Channel

1.2 kV

97 A

17 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

89 nC

- 55 C

+ 175 C

382 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2

IMZC120R022M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: $19.488
1.335En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMZC120R022M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZC120R022M2HXK

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2

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Hoja de datos

1.335En existencias

$19.488

$13.420

$11.590

$10.801

$10.296

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

1 Channel

1.2 kV

80 A

22 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

71 nC

- 55 C

+ 175 C

329 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2

IMZC120R034M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: $13.188
699En existencias
240Se espera el 01-10-2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMZC120R034M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZC120R034M2HXK

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2

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Hoja de datos

699En existencias

240Se espera el 01-10-2026

$13.188

$7.288

$6.899

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

1 Channel

1.2 kV

55 A

- 10 V, + 25 V

5.1 V

45 nC

- 55 C

+ 175 C

244 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2

IMZC120R053M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: $10.685
632En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMZC120R053M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZC120R053M2HXK

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2

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Hoja de datos

632En existencias

$10.685

$5.774

$5.332

$5.237

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

1 Channel

1.2 kV

38 A

53 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

182 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R008M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: $38.292
740En existencias
2.000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IMBG120R008M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMBG120R008M2HXT

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

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Hoja de datos

740En existencias

2.000En pedido

Cinta cortada

$38.292

$28.480

$28.469

$26.976

Envase tipo carrete

$26.976

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.000

SMD/SMT

TO-263-7

1 Channel

1.2 kV

189 A

7.7 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

195 nC

- 55 C

+ 175 C

800 W

Enhancement

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

IMCQ120R053M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: $9.949
324En existencias
750Se espera el 05-11-2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMCQ120R053M2HXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMCQ120R053M2HXT

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

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Hoja de datos

324En existencias

750Se espera el 05-11-2026

Cinta cortada

$9.949

$5.458

$5.048

$4.764

Envase tipo carrete

$4.764

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22-U03

1 Channel

1.2 kV

43 A

138 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

32.8 nC

- 55 C

+ 175 C

234 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

IMSQ120R026M2HHXUMA1
Infineon Technologies
1: $25.114
692En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMSQ120R026M2HHXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMSQ120R026M2HHX

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

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692En existencias

Cinta cortada

$25.114

$16.732

$15.838

Envase tipo carrete

$15.838

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

1.2 kV

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

IMSQ120R040M2HHXUMA1
Infineon Technologies
1: $19.898
540En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMSQ120R040M2HHXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMSQ120R040M2HHX

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

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Hoja de datos

540En existencias

Cinta cortada

$19.898

$12.431

$12.063

Envase tipo carrete

$11.600

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

1.2 kV

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

IMZA120R017M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: $21.602
47En existencias
480En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IMZA120R017M2HXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IMZA120R017M2HXK

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

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Hoja de datos

47En existencias

480En pedido

$21.602

$14.566

$12.988

$12.715

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PG-TO247-4-U02

1 Channel

1.2 kV

97 A

23 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

89 nC

- 55 C

+ 175 C

382 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2

IMZC120R026M2HXKSA1
Infineon Technologies
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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

1 Channel

1.2 kV

69 A

25 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

124 nC

- 55 C

+ 175 C

289 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R012M2HXTMA1
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Envase tipo carrete

$17.248

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Mult.: 1

: 1.000

SMD/SMT

TO-263-7

1 Channel

1.2 kV

144 A

12.2 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

124 nC

- 55 C

+ 175 C

600 W

Enhancement

CoolSiC™ 1200V G2 Silicon Carbide MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

8.1 A
14.9 A
21.2 A
28 A
29 A
31 A
38 A
41 A
43 A
44 A
48 A
52 A
55 A
56 A
64 A
69 A
75 A
80 A
82 A
87 A

7.5 mOhms
7.7 mOhms
10.4 mOhms
12 mOhms
12.2 mOhms
13.6 mOhms
16 mOhms
17 mOhms
17.1 mOhms
20 mOhms
21.6 mOhms
22 mOhms
23 mOhms
25 mOhms
25.4 mOhms
29 mOhms
34 mOhms
39.6 mOhms
40 mOhms
45 mOhms

7.9 nC
8.1 nC
9.7 nC
14.4 nC
20.6 nC
21 nC
23.2 nC
30 nC
32.8 nC
37 nC
39 nC
42.4 nC
45 nC
48.7 nC
60 nC
63.4 nC
71 nC
73 nC
89 nC
124 nC

80 W
94 W
123 W
143 W
158 W
171 W
176 W
182 W
205 W
218 W
234 W
244 W
250 W
288 W
289 W
326 W
329 W
335 W
356 W
382 W