Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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π-MOS VII MOSFETs

Toshiba π-MOS VII MOSFETs are 10V Gate Drive, single N-channel devices, combining π-MOS technology with a planar process to provide a wide selection of voltage and R_DS(ON) ratings. These high-voltage MOSFETs offer a drain-source voltage range of 250V up to 650V and a drain current range from 2A to 20A. Vishay π-MOS VII MOSFETs are offered in TO-220-3 and TO-252 through-hole packages and compact DPAK-3 and PW-Mold-3 surface mount packages.

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Resultados: 68

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 8A 450V 35W 700pF 0.9 Ohm

TK8A45D(STA4,Q,M)
Toshiba
1: $2.408
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TK8A45D(STA4,Q,M)

N.º de artículo de Mouser
757-TK8A45DSTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 8A 450V 35W 700pF 0.9 Ohm

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TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

450 V

8 A

900 mOhms

- 30 V, 30 V

4.4 V

16 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch FET 500V 4.0s IDSS 10 uA 0.7 Ohm

TK8A50D(STA4,Q,M)
Toshiba
1: $2.493
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N.º de artículo del Fabricante
TK8A50D(STA4,Q,M)

N.º de artículo de Mouser
757-TK8A50DSTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch FET 500V 4.0s IDSS 10 uA 0.7 Ohm

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$915

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TO-220-3

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1 Channel

500 V

8 A

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- 30 V, 30 V

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16 nC

- 55 C

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Enhancement

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 13A 250V 102W 1100pF 0.25

TK13E25D,S1X(S
Toshiba
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TK13E25D,S1X(S

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757-TK13E25DS1XS

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 13A 250V 102W 1100pF 0.25

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40Se espera el 17-08-2026

$2.882

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TO-220-3

N-Channel

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13 A

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102 W

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 5A 600V 35W 700pF 1.43 Ohm

TK5A60D(STA4,Q,M)
Toshiba
1: $2.493
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TK5A60D(STA4,Q,M)

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757-TK5A60DSTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 5A 600V 35W 700pF 1.43 Ohm

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TO-220FP-3

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600 V

5 A

1.2 Ohms

- 30 V, 30 V

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16 nC

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+ 150 C

35 W

Enhancement

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 7.5A 500V 35W 700pF 1.04 Ohm

TK8A50DA(STA4,Q,M)
Toshiba
1: $2.408
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TK8A50DA(STA4,Q,M)

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757-TK8A50DASTA4QM

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 7.5A 500V 35W 700pF 1.04 Ohm

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TO-220-3

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1 Channel

500 V

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- 30 V, 30 V

4.4 V

16 nC

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+ 150 C

35 W

Enhancement

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 13A 500V 45W 1800pF 0.40

TK13A50D(STA4,Q,M)
Toshiba
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148Se espera el 17-08-2026

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TK13A50D(STA4,Q,M)

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757-TK13A50DSTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 13A 500V 45W 1800pF 0.40

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TO-220FP-3

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1 Channel

500 V

13 A

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45 W

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch FET 650V 4.5s IDSS 10 uA 0.7 Ohm

TK8A65D(STA4,Q,M)
Toshiba
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TK8A65D(STA4,Q,M)

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757-TK8A65DSTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch FET 650V 4.5s IDSS 10 uA 0.7 Ohm

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TO-220-3

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650 V

8 A

840 mOhms

- 30 V, 30 V

2 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V FET Vgss 30V 45W .45 ohm

TK11A50D(STA4,Q,M)
Toshiba
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TK11A50D(STA4,Q,M)

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757-TK11A50DSTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V FET Vgss 30V 45W .45 ohm

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$1.220

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1 Channel

500 V

11 A

600 mOhms

45 W

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 12A 550V 45W 1550pF 0.57

TK12A55D(STA4,Q,M)
Toshiba
1: $3.986
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TK12A55D(STA4,Q,M)

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757-TK12A55DSTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 12A 550V 45W 1550pF 0.57

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TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

550 V

12 A

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45 W

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 4.5A 450V 30W 380pF 1.75

TK5A45DA(STA4,Q,M)
Toshiba
1: $1.893
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TK5A45DA(STA4,Q,M)

N.º de artículo de Mouser
757-TK5A45DASTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 4.5A 450V 30W 380pF 1.75

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$1.893

$901

$786

$620

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TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

450 V

4.5 A

1.75 Ohms

30 W

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 6A 525V 35W 600pF 1.3 Ohm

TK6A53D(STA4,Q,M)
Toshiba
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TK6A53D(STA4,Q,M)

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757-TK6A53DSTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 6A 525V 35W 600pF 1.3 Ohm

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$2.293

$1.115

$992

$788

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TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

525 V

6 A

1.3 Ohms

35 W

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 6.5A 450V 35W 540pF 1.2 Ohm

TK7A45DA(STA4,Q,M)
Toshiba
1: $2.188
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK7A45DA(STA4,Q,M)

N.º de artículo de Mouser
757-TK7A45DASTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 6.5A 450V 35W 540pF 1.2 Ohm

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$2.188

$1.052

$940

$746

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TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

450 V

6.5 A

1.2 Ohms

35 W

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 7A 550V 35W 700pF 1.25

TK7A55D(STA4,Q,M)
Toshiba
1: $2.408
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK7A55D(STA4,Q,M)

N.º de artículo de Mouser
757-TK7A55DSTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 7A 550V 35W 700pF 1.25

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$2.408

$1.167

$1.043

$831

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

550 V

7 A

1.25 Ohms

35 W

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 7A 500V 100W 600pF 1.22

TK7P50D(T6RSS-Q)
Toshiba
2.000: $715
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK7P50D(T6RSS-Q)

N.º de artículo de Mouser
757-TK7P50DT6RSS-Q

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 7A 500V 100W 600pF 1.22

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Envase tipo carrete

$715

Min.: 2.000
Mult.: 2.000

: 2.000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

7 A

1.22 Ohms

100 W

MOSVII

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 7.5A 550V 40W 800pF 1.07 Ohm

TK8A55DA(STA4,Q,M)
Toshiba
1: $2.955
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK8A55DA(STA4,Q,M)

N.º de artículo de Mouser
757-TK8A55DASTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 7.5A 550V 40W 800pF 1.07 Ohm

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Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

$2.955

$1.472

$1.283

$1.052

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Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

550 V

7.5 A

1.07 Ohms

40 W

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V VDSS 700V 45W 1200pF 10A

TK10A55D(STA4,Q,M)
Toshiba
1: $3.407
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK10A55D(STA4,Q,M)

N.º de artículo de Mouser
757-TK10A55DSTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V VDSS 700V 45W 1200pF 10A

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Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

$3.407

$1.704

$1.525

$1.230

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

550 V

10 A

720 mOhms

45 W

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 10A 40V 25W 410pF 520 mOhms

TK11A55D(STA4,Q,M)
Toshiba
1: $3.723
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK11A55D(STA4,Q,M)

N.º de artículo de Mouser
757-TK11A55DSTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 10A 40V 25W 410pF 520 mOhms

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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

$3.723

$1.872

$1.683

$1.367

$1.262

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

500 V

11 A

520 mOhms

25 W

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 12A 450V 45W 1200pF 0.52

TK12A45D,S5Q(J
Toshiba
1: $3.355
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK12A45D,S5Q(J

N.º de artículo de Mouser
757-TK12A45DS5QJ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 12A 450V 45W 1200pF 0.52

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No en existencias

$3.355

$2.177

$1.493

$1.241

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Mult.: 1

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 12A 450V 45W 1200pF 0.52

TK12A45D(STA4,Q,M)
Toshiba
1: $3.334
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK12A45D(STA4,Q,M)

N.º de artículo de Mouser
757-TK12A45DSTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 12A 450V 45W 1200pF 0.52

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$3.334

$1.662

$1.483

$1.199

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Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

450 V

12 A

520 mOhms

45 W

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 12A 525V 45W 1350pF .58

TK12A53D(STA4,Q,M)
Toshiba
1: $3.712
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK12A53D(STA4,Q,M)

N.º de artículo de Mouser
757-TK12A53DSTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 12A 525V 45W 1350pF .58

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$3.712

$1.861

$1.672

$1.357

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TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

525 V

12 A

580 mOhms

45 W

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 13A 450V 45W 1350pF 0.46

TK13A45D(STA4,Q,M)
Toshiba
1: $3.755
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK13A45D(STA4,Q,M)

N.º de artículo de Mouser
757-TK13A45DSTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 13A 450V 45W 1350pF 0.46

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$3.755

$1.904

$1.672

$1.378

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TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

450 V

13 A

460 mOhms

45 W

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 12.5A 550V 45W 1800pF 0.48

TK13A55DA(STA4,QM)
Toshiba
1: $4.322
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK13A55DA(STA4,QM)

N.º de artículo de Mouser
757-TK13A55DASTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 12.5A 550V 45W 1800pF 0.48

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$4.322

$2.198

$1.988

$1.620

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

550 V

13.5 A

480 mOhms

45 W

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 14A 550V 50W 2300pF 0.37

TK14A55D(STA4,Q,M)
Toshiba
1: $4.869
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK14A55D(STA4,Q,M)

N.º de artículo de Mouser
757-TK14A55DSTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 14A 550V 50W 2300pF 0.37

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$4.869

$2.524

$2.282

$1.872

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

550 V

14 A

370 mOhms

50 W

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 16A 550V 50W 2600pF 0.33

TK16A55D(STA4,Q,M)
Toshiba
1: $2.366
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK16A55D(STA4,Q,M)

N.º de artículo de Mouser
757-TK16A55DSTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 16A 550V 50W 2600pF 0.33

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TO-220FP-3

N-Channel

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550 V

16 A

330 mOhms

50 W

MOSVII

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=45W F=1MHZ

TK25A20D,S5X
Toshiba
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N.º de artículo del Fabricante
TK25A20D,S5X

N.º de artículo de Mouser
757-TK25A20DS5X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=45W F=1MHZ

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

25 A

70 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

60 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

MOSVII

Tube

π-MOS VII MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

2 A
2.5 A
3 A
3.5 A
3.7 A
4 A
4.5 A
5 A
5.5 A
6 A
6.5 A
7 A
7.5 A
8 A
8.5 A
9 A
10 A
11 A
12 A
12.5 A

27 mOhms
70 mOhms
139 mOhms
250 mOhms
270 mOhms
330 mOhms
370 mOhms
390 mOhms
400 mOhms
460 mOhms
480 mOhms
500 mOhms
520 mOhms
550 mOhms
570 mOhms
580 mOhms
600 mOhms
620 mOhms
720 mOhms
760 mOhms