Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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π-MOS VII MOSFETs

Toshiba π-MOS VII MOSFETs are 10V Gate Drive, single N-channel devices, combining π-MOS technology with a planar process to provide a wide selection of voltage and R_DS(ON) ratings. These high-voltage MOSFETs offer a drain-source voltage range of 250V up to 650V and a drain current range from 2A to 20A. Vishay π-MOS VII MOSFETs are offered in TO-220-3 and TO-252 through-hole packages and compact DPAK-3 and PW-Mold-3 surface mount packages.

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 70A 410W MOSVII 160nC .0029

TK70J20D,S1Q
Toshiba
1: $9.623
1En existencias
50Se espera el 22-03-2027

N.º de artículo del Fabricante
TK70J20D,S1Q

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757-TK70J20DS1Q

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 70A 410W MOSVII 160nC .0029

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50Se espera el 22-03-2027

$9.623

$6.573

$5.416

$4.817

$4.533

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N-Channel

1 Channel

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70 A

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- 55 C

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410 W

Enhancement

MOSVII

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 2.5A 650V 35W 490pF 2.51

TK3A65DA(STA4,QM)
Toshiba
1: $2.398
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TK3A65DA(STA4,QM)

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757-TK3A65DASTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 2.5A 650V 35W 490pF 2.51

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$1.357

$1.028

$789

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TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

650 V

2.5 A

2.51 Ohms

35 W

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 5A 500V 80W 490pF 1.5 Ohm

TK5P50D(T6RSS-Q)
Toshiba
1: $1.756
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TK5P50D(T6RSS-Q)

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757-TK5P50DT6RSS-Q

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 5A 500V 80W 490pF 1.5 Ohm

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$1.756

$829

$739

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$656

$452

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N-Channel

1 Channel

500 V

5 A

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4.4 V

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80 W

Enhancement

MOSVII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK-OS PD=96W F=1MHZ

TK13P25D,RQ
Toshiba
1: $1.462
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TK13P25D,RQ

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757-TK13P25DRQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK-OS PD=96W F=1MHZ

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$1.462

$684

$608

$473

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$419

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

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1 Channel

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13 A

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1.5 V

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96 W

Enhancement

MOSVII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 3A 500V 60W 280pF 3 Ohm

TK3P50D,RQ(S
Toshiba
1: $1.977
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TK3P50D,RQ(S

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757-TK3P50DRQS

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 3A 500V 60W 280pF 3 Ohm

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$1.977

$1.220

$800

$639

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$487

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1 Channel

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3 A

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2.4 V

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Enhancement

MOSVII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 10A 500V 45W 1050pF 0.72

TK10A50D(STA4,Q,M)
Toshiba
1: $2.955
220En existencias

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TK10A50D(STA4,Q,M)

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757-TK10A50DSTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 10A 500V 45W 1050pF 0.72

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220En existencias

$2.955

$1.462

$1.304

$1.013

$920

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1 Channel

500 V

10 A

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2 V

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+ 150 C

45 W

Enhancement

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 10A 40V 25W 410pF 0.029

TK11A45D(STA4,Q,M)
Toshiba
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TK11A45D(STA4,Q,M)

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757-TK11A45DSTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 10A 40V 25W 410pF 0.029

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$2.913

$1.441

$1.336

$1.034

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11 A

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MOSVII

Tube

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TK12A60D(STA4,Q,M)
Toshiba
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TK12A60D(STA4,Q,M)

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757-TK12A60DSTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 12A 600V 45W 1800pF 0.55

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$4.165

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$2.019

$1.557

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12 A

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45 W

Enhancement

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 13A 500V 45W 1550pF 0.47

TK13A50DA(STA4,Q,M
Toshiba
1: $3.839
112En existencias

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TK13A50DA(STA4,Q,M

N.º de artículo de Mouser
757-TK13A50DASTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 13A 500V 45W 1550pF 0.47

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$3.839

$2.324

$1.809

$1.409

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1 Channel

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45 W

Enhancement

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 13A 500V 45W 1800pF 0.40

TK13A50D(STA4,Q,M)
Toshiba
1: $4.343
148En existencias

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TK13A50D(STA4,Q,M)

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757-TK13A50DSTA4QM

Toshiba

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$4.343

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$1.935

$1.641

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TO-220FP-3

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MOSVII

Tube

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TK13E25D,S1X(S
Toshiba
1: $3.008
40En existencias

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TK13E25D,S1X(S

N.º de artículo de Mouser
757-TK13E25DS1XS

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 13A 250V 102W 1100pF 0.25

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$3.008

$1.935

$1.262

$1.083

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

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13 A

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MOSVII

Tube

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TK18A30D,S5X
Toshiba
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83En existencias

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TK18A30D,S5X

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757-TK18A30DS5X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=45W F=1MHZ

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83En existencias

$2.840

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$1.220

$1.004

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

300 V

18 A

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20 V

1.5 V

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- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 18A 500V 50W 2600pF 0.27

TK18A50D(STA4,Q,M)
Toshiba
1: $5.048
2En existencias
150Se espera el 18-12-2026

N.º de artículo del Fabricante
TK18A50D(STA4,Q,M)

N.º de artículo de Mouser
757-TK18A50DSTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 18A 500V 50W 2600pF 0.27

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2En existencias

150Se espera el 18-12-2026

$5.048

$2.598

$2.356

$1.935

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

18 A

270 mOhms

30 V

2 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

50 W

Enhancement

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 19A 450V 50W 2600pF 0.25

TK19A45D(STA4,Q,M)
Toshiba
1: $5.206
53En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK19A45D(STA4,Q,M)

N.º de artículo de Mouser
757-TK19A45DSTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 19A 450V 50W 2600pF 0.25

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53En existencias

$5.206

$2.692

$2.429

$2.009

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TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

450 V

19 A

250 mOhms

50 W

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 2A 650V 30W 380pF 3.26

TK2A65D(STA4,Q,M)
Toshiba
1: $2.240
191En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK2A65D(STA4,Q,M)

N.º de artículo de Mouser
757-TK2A65DSTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 2A 650V 30W 380pF 3.26

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191En existencias

$2.240

$1.083

$982

$764

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

2 A

3.26 Ohms

30 V

2.4 V

9 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch 600V 2.5A 30w 2.8 Ohm

TK3A60DA(STA4,Q,M)
Toshiba
1: $1.967
41En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK3A60DA(STA4,Q,M)

N.º de artículo de Mouser
757-TK3A60DASTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch 600V 2.5A 30w 2.8 Ohm

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41En existencias

$1.967

$939

$821

$662

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Mult.: 1

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

2.5 A

2.8 Ohms

30 V

2.4 V

9 nC

- 55 C

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30 W

Enhancement

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 3A 650V 35W 540pF 2.25 Ohm

TK3A65D(STA4,Q,M)
Toshiba
1: $2.419
134En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK3A65D(STA4,Q,M)

N.º de artículo de Mouser
757-TK3A65DSTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 3A 650V 35W 540pF 2.25 Ohm

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134En existencias

$2.419

$1.178

$1.083

$837

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Mult.: 1

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

3 A

2.25 Ohms

30 V

2.4 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 4A 500V 30W 380pF 2.0 Ohm

TK4A50D(STA4,Q,M)
Toshiba
1: $1.483
267En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK4A50D(STA4,Q,M)

N.º de artículo de Mouser
757-TK4A50DSTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 4A 500V 30W 380pF 2.0 Ohm

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267En existencias

$1.483

$695

$694

$471

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TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

500 V

4 A

2 Ohms

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MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 3.7A 600V 80W 540pF 2.0 Ohm

TK4P60DB(T6RSS-Q)
Toshiba
1: $2.040
55En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK4P60DB(T6RSS-Q)

N.º de artículo de Mouser
757-TK4P60DBT6RSS-Q

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 3.7A 600V 80W 540pF 2.0 Ohm

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55En existencias

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$2.040

$1.262

$827

$650

Envase tipo carrete

$485

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: 2.000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

3.7 A

2 Ohms

30 V

4.4 V

11 nC

+ 150 C

80 W

Enhancement

MOSVII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DP(OS) MOQ=2000 V=600 PD=80W F=1MHZ

TK4P60D,RQ
Toshiba
1: $1.283
1.354En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK4P60D,RQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK4P60DRQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DP(OS) MOQ=2000 V=600 PD=80W F=1MHZ

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1.354En existencias

Cinta cortada

$1.283

$596

$528

$410

Envase tipo carrete

$408

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Min.: 1
Mult.: 1

: 2.000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

4 A

1.7 Ohms

30 V

2.4 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

100 W

Enhancement

MOSVII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 5A 550V 35W 540pF 1.7 Ohm

TK5A55D(STA4,Q,M)
Toshiba
1: $2.177
250En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK5A55D(STA4,Q,M)

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757-TK5A55DSTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 5A 550V 35W 540pF 1.7 Ohm

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250En existencias

$2.177

$1.262

$953

$739

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TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

550 V

5 A

1.7 Ohms

35 W

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch FET 650V 2.6s IDSS 10 uA 1.2 Ohm

TK5A65D(STA4,Q,M)
Toshiba
1: $2.640
164En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK5A65D(STA4,Q,M)

N.º de artículo de Mouser
757-TK5A65DSTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch FET 650V 2.6s IDSS 10 uA 1.2 Ohm

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164En existencias

$2.640

$1.546

$1.178

$921

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

5 A

1.43 Ohms

30 V

2 V

16 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 5A N-CH MOSFET

TK5A80E,S4X
Toshiba
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TK5A80E,S4X

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757-TK5A80ES4X

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 5A N-CH MOSFET

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TO-220SIS-3

N-Channel

1 Channel

800 V

5 A

2.4 Ohms

30 V

2.5 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch FET 650V 4.0s IDSS 10 uA .95 Ohm

TK6A65D(STA4,Q,M)
Toshiba
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TK6A65D(STA4,Q,M)

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757-TK6A65DSTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch FET 650V 4.0s IDSS 10 uA .95 Ohm

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

6 A

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30 V

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20 nC

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Enhancement

MOSVII

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 7A 500V 35W 600pF 1.22

TK7A50D(STA4,Q,M)
Toshiba
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TK7A50D(STA4,Q,M)

N.º de artículo de Mouser
757-TK7A50DSTA4QM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 7A 500V 35W 600pF 1.22

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

7 A

1 Ohms

30 V

4.4 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

MOSVII

Tube

π-MOS VII MOSFETs

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70 mOhms
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250 mOhms
270 mOhms
330 mOhms
370 mOhms
390 mOhms
400 mOhms
460 mOhms
480 mOhms
500 mOhms
520 mOhms
550 mOhms
570 mOhms
580 mOhms
600 mOhms
620 mOhms
720 mOhms
760 mOhms