Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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OptiMOS™ 7 40V Automotive Power MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 7 40V Automotive Power MOSFETs are high-current low R_DS(on) MOSFETs with optimized switching behavior. These N-channel automotive MOSFETs offer high power density, low conduction losses, and high current density. The OptiMOS™ 7 MOSFETs come in a 3mm x 3mm advanced leadless package with Cu-Clip for low package Ron and minimum stray inductance. These MOSFETs are 100% avalanche tested and RoHS compliant. The OptiMOS™ 7 MOSFETs are ideal for applications such as power distribution, window-lift, power-seat, high-redundancy EPS, and body control modules.

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Resultados: 31

Filtros aplicados:

Tecnología

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 power MOSFET for automotive applications IAUCN04S7N010GATMA1 Infineon Technologies 1: $2.598 3.399En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN04S7N010GATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN04S7N010GAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 power MOSFET for automotive applications Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon iauzn04 optimos power mosfets	Hoja de datos	3.399En existencias	Cinta cortada $2.598 $1.458 $1.109 $898 Ver Envase tipo carrete $783 $882 $783 Presupuesto	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	PG-THSOG-4-1	N-Channel	1 Channel	40 V	252 A	1.04 mOhms	20 V	3 V	59 nC	- 55 C	+ 175 C	123 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Automotive Power MOSFET, 40 V IAUCN04S7L018DATMA1 Infineon Technologies 1: $3.441 795En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN04S7L018DATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN04S7L018DAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Automotive Power MOSFET, 40 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon iauzn04 optimos power mosfets	Hoja de datos	795En existencias	Cinta cortada $3.441 $1.709 $1.538 $1.242 Ver Envase tipo carrete $1.112 $1.208 $1.185 $1.112	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	PG-TDSON-8	N-Channel	2 Channel	40 V	166 A	2.36 mOhms	16 V	1.8 V\	43 nC	- 55 C	+ 175 C	96 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Automotive Power MOSFET, 40 V IAUCN04S7L024DATMA1 Infineon Technologies 1: $2.928 766En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN04S7L024DATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN04S7L024DAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Automotive Power MOSFET, 40 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon iauzn04 optimos power mosfets	Hoja de datos	766En existencias	Cinta cortada $2.928 $1.435 $1.287 $1.031 Ver Envase tipo carrete $894 $1.004 $974 $894	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	PG-TDSON-8	N-Channel	2 Channel	40 V	125 A	3.26 mOhms	16 V	1.8 V	27 nC	- 55 C	+ 175 C	72 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Automotive Power MOSFET, 40 V IAUCN04S7L038DATMA1 Infineon Technologies 1: $2.620 599En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN04S7L038DATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN04S7L038DAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Automotive Power MOSFET, 40 V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon iauzn04 optimos power mosfets	Hoja de datos	599En existencias	Cinta cortada $2.620 $1.123 $1.005 $796 Ver Envase tipo carrete $654 $777 $718 $654	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	PG-TDSON-8	N-Channel	2 Channel	40 V	84 A	5.54 mOhms	16 V	1.8 V	15 nC	- 55 C	+ 175 C	51 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility IAUCN04S7L042GATMA1 Infineon Technologies 1: $1.629 1.976En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN04S7L042GATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN04S7L042GAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon iauzn04 optimos power mosfets	Hoja de datos	1.976En existencias	Cinta cortada $1.629 $761 $677 $527 Envase tipo carrete $395 Ver $518 $496 $354 $353	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	THSOG-4	N-Channel	1 Channel	40 V	77 A	4.4 mOhms	20 V	1.8 V	15 nC	- 55 C	+ 175 C	50 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility IAUCN04S7N015GATMA1 Infineon Technologies 1: $2.176 1.984En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN04S7N015GATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN04S7N015GAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon iauzn04 optimos power mosfets	Hoja de datos	1.984En existencias	Cinta cortada $2.176 $1.041 $931 $735 Ver Envase tipo carrete $594 $711 $678 $594	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	THSOG-4	N-Channel	1 Channel	40 V	184 A	1.53 mOhms	20 V	3 V	41 nC	- 55 C	+ 175 C	96 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility IAUCN04S7N019GATMA1 Infineon Technologies 1: $1.971 1.984En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN04S7N019GATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN04S7N019GAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon iauzn04 optimos power mosfets	Hoja de datos	1.984En existencias	Cinta cortada $1.971 $938 $836 $657 Ver Envase tipo carrete $517 $628 $599 $517	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	THSOG-4	N-Channel	1 Channel	40 V	147 A	1.95 mOhms	20 V	3 V	30 nC	- 55 C	+ 175 C	81 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility IAUCN04S7N027GATMA1 Infineon Technologies 1: $1.857 1.984En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN04S7N027GATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN04S7N027GAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon iauzn04 optimos power mosfets	Hoja de datos	1.984En existencias	Cinta cortada $1.857 $877 $782 $613 $587 Envase tipo carrete $475	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	THSOG-4	N-Channel	1 Channel	40 V	117 A	2.67 mOhms	20 V	3 V	23 nC	- 55 C	+ 175 C	70 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility IAUCN04S7N037GATMA1 Infineon Technologies 1: $1.698 1.992En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN04S7N037GATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN04S7N037GAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon iauzn04 optimos power mosfets	Hoja de datos	1.992En existencias	Cinta cortada $1.698 $799 $711 $556 Ver Envase tipo carrete $420 $553 $525 $420	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	THSOG-4	N-Channel	1 Channel	40 V	91 A	3.65 mOhms	20 V	3 V	16 nC	- 55 C	+ 175 C	57 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility IAUCN04S7N047GATMA1 Infineon Technologies 1: $1.629 1.912En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN04S7N047GATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN04S7N047GAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon iauzn04 optimos power mosfets	Hoja de datos	1.912En existencias	Cinta cortada $1.629 $761 $677 $527 Envase tipo carrete $395 Ver $518 $501 $390	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	THSOG-4	N-Channel	1 Channel	40 V	79 A	4.7 mOhms	20 V	3 V	13 nC	- 55 C	+ 175 C	50 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40 V TOLL 10x12 IAUTN04S7N003ATMA1 Infineon Technologies 1: $8.328 319En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUTN04S7N003ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUTN04S7N003ATM Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40 V TOLL 10x12 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon iauzn04 optimos power mosfets	Hoja de datos	319En existencias	Cinta cortada $8.328 $4.455 $4.090 $3.885 $3.691 Envase tipo carrete $3.156	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.000	Si	SMD/SMT	PG-HSOF-8	N-Channel	1 Channel	40 V	905 A	0.29 mOhms	20 V	3 V	268 nC	- 55 C	+ 175 C	357 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40 V TOLL 10x12 IAUTN04S7N004ATMA1 Infineon Technologies 1: $6.619 339En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUTN04S7N004ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUTN04S7N004ATM Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40 V TOLL 10x12 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon iauzn04 optimos power mosfets	Hoja de datos	339En existencias	Cinta cortada $6.619 $3.463 $3.167 $2.860 $2.757 Envase tipo carrete $2.324	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.000	Si	SMD/SMT	PG-HSOF-8	N-Channel	1 Channel	40 V	605 A	0.38 mOhms	20 V	3 V	159 nC	- 55 C	+ 175 C	255 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40 V TOLL 10x12 IAUTN04S7N005ATMA1 Infineon Technologies 1: $6.608 350En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUTN04S7N005ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUTN04S7N005ATM Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40 V TOLL 10x12 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon iauzn04 optimos power mosfets	Hoja de datos	350En existencias	Cinta cortada $6.608 $3.748 $3.236 $2.518 Envase tipo carrete $2.051	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.000	Si	SMD/SMT	PG-HSOF-8	N-Channel	1 Channel	40 V	517 A	0.44 mOhms	20 V	3 V	127 nC	- 55 C	+ 175 C	218 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor IAUCN04S7N006TATMA1 Infineon Technologies 1: $4.443 12.599En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN04S7N006TATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN04S7N006TAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon iauzn04 optimos power mosfets	Hoja de datos	12.599En existencias	Cinta cortada $4.443 $2.244 $2.039 $1.675 Envase tipo carrete $1.572 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.000	Si	SMD/SMT	PG-LHDSO-10-3	N-Channel	1 Channel	40 V	425 A	770 uOhms	20 V	3 V	112 nC	- 55 C	+ 175 C	205 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 V, N-Ch, 2.34 m?, Automotive Power MOSFET, SSO8 HB (5x6), OptiMOS-7 IAUCN04S7L023HATMA1 Infineon Technologies 1: $2.996 7.370En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN04S7L023HATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN04S7L023HAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 V, N-Ch, 2.34 m?, Automotive Power MOSFET, SSO8 HB (5x6), OptiMOS-7 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon iauzn04 optimos power mosfets	Hoja de datos	7.370En existencias	Cinta cortada $2.996 $1.470 $1.322 $1.054 Ver Envase tipo carrete $918 $1.011 $956 $918 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	PG-TDSON-8	N-Channel	2 Channel	40 V	132 A	2.34 mOhms	16 V	1.8 V	29 nC	- 55 C	+ 175 C	75 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 V, N-Ch, 2.56 m?, Automotive Power MOSFET, SSO8 HB (5x6), OptiMOS-7 IAUCN04S7L025AHATMA1 Infineon Technologies 1: $2.700 5.879En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN04S7L025AHATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN04S7L025AHA Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 V, N-Ch, 2.56 m?, Automotive Power MOSFET, SSO8 HB (5x6), OptiMOS-7 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon iauzn04 optimos power mosfets	Hoja de datos	5.879En existencias	Cinta cortada $2.700 $1.310 $1.173 $935 Ver Envase tipo carrete $795 $908 $828 $795	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	PG-TDSON-8	N-Channel	2 Channel	40 V	127 A	2.56 mOhms	16 V	1.8 V	29 nC	- 55 C	+ 175 C	75 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor IAUCN04S7L050HATMA1 Infineon Technologies 1: $2.199 2.889En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN04S7L050HATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN04S7L050HAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon iauzn04 optimos power mosfets	Hoja de datos	2.889En existencias	Cinta cortada $2.199 $1.401 $936 $741 $633 Envase tipo carrete $591	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	PG-TDSON-8	N-Channel	2 Channel	40 V	65 A	5.04 mOhms	20 V	1.8 V	11 nC	- 55 C	+ 175 C	40 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 V, N-Ch, 2.46 m?, Automotive Power MOSFET, SSO8 HB (5x6), OptiMOS-7 IAUCN04S7N024HATMA1 Infineon Technologies 1: $3.122 10.000En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN04S7N024HATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN04S7N024HAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 V, N-Ch, 2.46 m?, Automotive Power MOSFET, SSO8 HB (5x6), OptiMOS-7 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon iauzn04 optimos power mosfets	Hoja de datos	10.000En existencias	Cinta cortada $3.122 $1.561 $1.367 $1.118 Ver Envase tipo carrete $907 $1.057 $1.028 $907	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	PG-TDSON-8	N-Channel	2 Channel	40 V	129 A	2.46 mOhms	20 V	3 V	25 nC	- 55 C	+ 175 C	75 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor IAUCN04S7N054HATMA1 Infineon Technologies 1: $2.199 5.778En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN04S7N054HATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN04S7N054HAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon iauzn04 optimos power mosfets	Hoja de datos	5.778En existencias	Cinta cortada $2.199 $1.048 $936 $741 Ver Envase tipo carrete $591 $718 $684 $591	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	PG-TDSON-8	N-Channel	2 Channel	40 V	62 A	5.41 mOhms	20 V	3 V	9 nC	- 55 C	+ 175 C	40 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor IAUZN04S7L012ATMA1 Infineon Technologies 1: $2.290 4.768En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUZN04S7L012ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUZN04S7L012ATM Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon iauzn04 optimos power mosfets	Hoja de datos	4.768En existencias	Cinta cortada $2.290 $1.096 $980 $832 Ver Envase tipo carrete $633 $792 $787 $633	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	PG-TDSON-8	N-Channel	1 Channel	40 V	199 A	1.25 mOhms	16 V	1.8 V	42 nC	- 55 C	+ 175 C	94 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 A, 40 V Automotive Power MOSFET with OptiMOS -7 Technology IAUZN04S7L046ATMA1 Infineon Technologies 1: $1.572 44.835En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUZN04S7L046ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUZN04S7L046ATM Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 A, 40 V Automotive Power MOSFET with OptiMOS -7 Technology Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon iauzn04 optimos power mosfets	Hoja de datos	44.835En existencias	Cinta cortada $1.572 $734 $651 $506 Envase tipo carrete $367 Ver $480 $456 $349	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000																OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor IAUZN04S7N032ATMA1 Infineon Technologies 1: $1.652 4.993En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUZN04S7N032ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUZN04S7N032ATM Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon iauzn04 optimos power mosfets	Hoja de datos	4.993En existencias	Cinta cortada $1.652 $774 $688 $537 Envase tipo carrete $402 Ver $530 $520 $361	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	PG-TDSON-8	N-Channel	1 Channel	40 V	97 A	3.25 mOhms	20 V	3 V	16 nC	- 55 C	+ 175 C	58 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 A, 40 V Automotive Power MOSFET with OptiMOS -7 Technology IAUZN04S7N049ATMA1 Infineon Technologies 1: $1.481 10.132En existencias 68Se espera el 18-11-2026 Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUZN04S7N049ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUZN04S7N049ATM Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 A, 40 V Automotive Power MOSFET with OptiMOS -7 Technology Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon iauzn04 optimos power mosfets	Hoja de datos	10.132En existencias 68Se espera el 18-11-2026	Cinta cortada $1.481 $692 $614 $477 Envase tipo carrete $367 Ver $467 $443 $344	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000																OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor IAUCN04S7N040HATMA1 Infineon Technologies 1: $2.449 927En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUCN04S7N040HATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUCN04S7N040HAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon iauzn04 optimos power mosfets	Hoja de datos	927En existencias	Cinta cortada $2.449 $1.185 $1.058 $841 Ver Envase tipo carrete $698 $805 $778 $698	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	PG-TDSON-8	N-Channel	2 Channel	40 V	82 A	4.01 mOhms	20 V	3 V	13 nC	- 55 C	+ 175 C	52 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor IAUZN04S7L019ATMA1 Infineon Technologies 1: $2.028 878En existencias 5.000Se espera el 03-12-2026 Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IAUZN04S7L019ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUZN04S7L019ATM Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon iauzn04 optimos power mosfets	Hoja de datos	878En existencias 5.000Se espera el 03-12-2026	Cinta cortada $2.028 $966 $862 $679 Ver Envase tipo carrete $539 $647 $591 $539	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	PG-TDSON-8	N-Channel	1 Channel	40 V	154 A	1.9 mOhms	16 V	1.8 V	34 nC	- 55 C	+ 175 C	83 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape