Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 power MOSFET for automotive applications
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1.8 V
15 nC
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40 V
147 A
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20 V
3 V
30 nC
- 55 C
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40 V
117 A
2.67 mOhms
20 V
3 V
23 nC
- 55 C
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70 W
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40 V
91 A
3.65 mOhms
20 V
3 V
16 nC
- 55 C
+ 175 C
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THSOG-4
N-Channel
1 Channel
40 V
79 A
4.7 mOhms
20 V
3 V
13 nC
- 55 C
+ 175 C
50 W
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SMD/SMT
PG-HSOF-8
N-Channel
1 Channel
40 V
905 A
0.29 mOhms
20 V
3 V
268 nC
- 55 C
+ 175 C
357 W
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SMD/SMT
PG-HSOF-8
N-Channel
1 Channel
40 V
605 A
0.38 mOhms
20 V
3 V
159 nC
- 55 C
+ 175 C
255 W
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SMD/SMT
PG-HSOF-8
N-Channel
1 Channel
40 V
517 A
0.44 mOhms
20 V
3 V
127 nC
- 55 C
+ 175 C
218 W
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PG-LHDSO-10-3
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1 Channel
40 V
425 A
770 uOhms
20 V
3 V
112 nC
- 55 C
+ 175 C
205 W
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PG-TDSON-8
N-Channel
2 Channel
40 V
132 A
2.34 mOhms
16 V
1.8 V
29 nC
- 55 C
+ 175 C
75 W
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SMD/SMT
PG-TDSON-8
N-Channel
2 Channel
40 V
127 A
2.56 mOhms
16 V
1.8 V
29 nC
- 55 C
+ 175 C
75 W
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2 Channel
40 V
65 A
5.04 mOhms
20 V
1.8 V
11 nC
- 55 C
+ 175 C
40 W
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PG-TDSON-8
N-Channel
2 Channel
40 V
129 A
2.46 mOhms
20 V
3 V
25 nC
- 55 C
+ 175 C
75 W
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SMD/SMT
PG-TDSON-8
N-Channel
2 Channel
40 V
62 A
5.41 mOhms
20 V
3 V
9 nC
- 55 C
+ 175 C
40 W
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SMD/SMT
PG-TDSON-8
N-Channel
1 Channel
40 V
199 A
1.25 mOhms
16 V
1.8 V
42 nC
- 55 C
+ 175 C
94 W
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20 V
3 V
16 nC
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
IAUCN04S7N040HATMA1
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726-IAUCN04S7N040HAT
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
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PG-TDSON-8
N-Channel
2 Channel
40 V
82 A
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20 V
3 V
13 nC
- 55 C
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52 W
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IAUZN04S7L019ATMA1
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726-IAUZN04S7L019ATM
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SMD/SMT
PG-TDSON-8
N-Channel
1 Channel
40 V
154 A
1.9 mOhms
16 V
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