Resultados: 5.125
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS
Infineon Technologies Módulos IGBT IGBT Module 300A 1700V 44En existencias
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Infineon Technologies Módulos IGBT 1700 V, 600 A dual IGBT module Plazo de entrega 24 Semanas
Min.: 1
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Infineon Technologies Módulos IGBT N-CH 1.7KV 930A 5En existencias
Min.: 1
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Infineon Technologies Módulos de Tiristores 1600V 520A DUAL 16En existencias
51En pedido
Min.: 1
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EPC GaN FETs EPC eGaN Symetrical Half Bridge80 V, 5.5 milliohm at 5 V, BGA 6.05 x 2.3 734En existencias
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Mult.: 1
: 500

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V) 2.205En existencias
5.000En pedido
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: 5.000


Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch DPAK-2 64.671En existencias
138.000En pedido
Min.: 1
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: 3.000


Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N and P-Ch 20V 950mA -530mA SOT-363-6 95.357En existencias
126.000Se espera el 22-10-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 5.000
: 3.000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH 8.725En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH 36.781En existencias
24.000Se espera el 15-10-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH 41.090En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH 5.307En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 450 A dual IGBT module 1En existencias
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Infineon Technologies Módulos IGBT MEDIUM POWER ECONO 35En existencias
Min.: 1
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Infineon Technologies Módulos IGBT MEDIUM POWER 62MM 20En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 900 A dual IGBT module 52En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100+ 6.478En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000


IXYS Rectificadores 1200V 30A 233En existencias
Min.: 1
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IXYS Rectificadores 1600V 2X28A 207En existencias
300Se espera el 30-12-2026
Min.: 1
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IXYS Rectificadores Power Diode Discretes-Rectifier TO-247AD 415En existencias
60Se espera el 07-09-2026
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Littelfuse Rectificadores y diodos Schottky 150V 2X100A 73En existencias
210Se espera el 20-01-2027
Min.: 1
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ROHM Semiconductor Módulos MOSFET Mod: 1200V 120A (w/ Diode) 6En existencias
Min.: 1
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ROHM Semiconductor Módulos MOSFET Half Bridge Module SiC UMOSFET & SBD 8En existencias
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ROHM Semiconductor Diodos de Conmutación de Señal Baja SWITCH 80V 100MA 88.567En existencias
96.000Se espera el 19-10-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

ROHM Semiconductor Diodos de Conmutación de Señal Baja SWITCH 80V 100MA 108.679En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000