Resultados: 5.125
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Sync Buck NexFET 2.939En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Sync Buck NexFET Power Block 2.312En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V N channel NexF ET power MOSFET du A A 595-CSD87502Q2T 11.612En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Diodes Incorporated Diodos de Conmutación de Señal Baja 150MW 85V 59.778En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Diodes Incorporated Diodos de Conmutación de Señal Baja Switch Diod BVR 100V 37.325En existencias
540.000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 6.000
: 3.000

Diodes Incorporated Diodos de Conmutación de Señal Baja Switching Diode BVR <= 100V 79.907En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3.000
: 3.000

Diodes Incorporated Diodos de Conmutación de Señal Baja 75V 350mW 797.742En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 6.000
: 3.000

Diodes Incorporated Diodos de Conmutación de Señal Baja 85V 150mW 68.249En existencias
66.000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3.490
: 3.000


Diodes Incorporated Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 45V Matched Pair PNP Bvceo -45V -100mA 80.127En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3.000
: 3.000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BSS Family 14.864En existencias
130.000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 10.000
: 10.000

Diodes Incorporated Transistores digitales COMP NPN/PNP 200mW 82.274En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 6.000
: 3.000

Diodes Incorporated Transistores digitales PREBIASED TRANSISTOR SOT-363 200MW 27.904En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Diodes Incorporated Transistores digitales DUAL NPN SOT-363 27.314En existencias
42.000Se espera el 26-02-2027
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3.000
: 3.000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R 3K 26.600En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Comp ENH Mode FET 12V Vdss 8V VGss 7.997En existencias
10.000Se espera el 05-03-2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 10.000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250mW 20V 13.627En existencias
18.000Se espera el 21-05-2027
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3.000
: 3.000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS 15.959En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1.130
: 10.000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS 30V Comp Pair 14.540En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2.500
: 2.500


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Comp Pair Enh FET 30Vdss 20Vgss 6.365En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 250
: 2.500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V 16.851En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 760
: 10.000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N & P Enh FET Low RDSon 22.2pF 15.345En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1.470
: 10.000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Comp Pair Enh FET 40Vdss 20Vgss 3.527En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 190
: 2.500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60 1V-60V,SOT563,3K 38.901En existencias
33.000Se espera el 23-08-2027
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 6.000
: 3.000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Comp Pair ENH 1.7 Ohm 10V 500mA 60.660En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3.000
: 3.000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Enh FET 30V 9.8A 20Vdss 4.759En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 210
: 2.500