Resultados: 5.104
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Complementary N ch + P ch 100V/-1 2.948En existencias
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: 3.000

YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Complementary N ch + P ch 30V/-30 2.890En existencias
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Complementary N ch + P ch 30V/-30 1.554En existencias
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Infineon Technologies Módulos MOSFET EasyPACK module with CoolSiC Trench MOSFET 29En existencias
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Infineon Technologies Módulos MOSFET CoolSiC MOSFET half bridge module 2000 V 1En existencias
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Infineon Technologies Módulos MOSFET EASY 2En existencias
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Infineon Technologies Módulos de semiconductores discretos CoolSiC MOSFET half-bridge module 1200 V 7En existencias
18Se espera el 15-02-2027
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Infineon Technologies Módulos MOSFET CoolSiC MOSFET half-bridge module 1200 V 5En existencias
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Infineon Technologies Módulos MOSFET 1200 V CoolSiC Mosfet Half-Bridge Module 4En existencias
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Infineon Technologies Módulos MOSFET EASY 3En existencias
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V 381En existencias
3.000Se espera el 03-06-2027
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V 195En existencias
3.000Se espera el 21-09-2026
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ROHM Semiconductor Módulos MOSFET 1200V, 291A, Half bridge, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET 1En existencias
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ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KE7 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. 4.724En existencias
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: 2.500

ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 7A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KE5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. 5.978En existencias
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: 3.000

ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Dual Pch+Pch, TSMT8, Power MOSFET 2.705En existencias
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: 3.000

ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 2.0A, Dual Nch+Nch, TSMT8, Power MOSFET: The Power MOSFET QH8KE5 is suitable for switching power supply and motor drive. 4.442En existencias
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ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 4A, Dual Nch+Nch, TSMT8, Power MOSFET 2.974En existencias
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: 3.000

ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 2A, Dual Nch+Pch, TSMT8, Power MOSFET 2.730En existencias
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: 3.000

ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 4.5A/5.5A, Dual Nch+Pch, SOP8, Power MOSFET 1.968En existencias
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: 2.500

ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 3.5A/4A, Dual Nch+Pch, SOP8, Power MOSFET 2.467En existencias
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: 2.500

ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 4.5A Dual Nch+Pch, SOP8, Power MOSFET 1.028En existencias
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: 2.500

ROHM Semiconductor Luces LED multicolor The factory is currently not accepting orders for this product. 3.861En existencias
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: 4.000

ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -100V 1.0A, Dual Pch+Pch, DFN2020-8D, Power MOSFET Plazo de entrega 28 Semanas
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: 3.000

ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 2.0A Dual Nch+Nch, DFN2020-8D, Power MOSFET 1.017En existencias
3.000Se espera el 10-11-2026
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