Módulos de Diodos Modules Rectifiers - SOT-227 SiC Diode
VS-SC40FA65
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Módulos de Diodos Modules Rectifiers - SOT-227 SiC Diode
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Diodos Schottky de SiC SOT-227 Silicon Carbide Schottky Barrier Diode, 650 V, 80 A
VS-SC80FA65
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Diodos Schottky de SiC SOT-227 Silicon Carbide Schottky Barrier Diode, 650 V, 80 A
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Controladores de puerta con aislamiento galvánico 5 kVRMS Isolated Dual Channel 4.5/9 A Gate Driver
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NCP51563BBDWR2G
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Controladores de puerta con aislamiento galvánico 5 kVRMS Isolated Dual Channel 4.5/9 A Gate Driver
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Controladores de puerta con aislamiento galvánico 5 kVRMS Isolated Dual Channel 4.5/9 A Gate Driver
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NCP51563CADWR2G
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Controladores de puerta con aislamiento galvánico 5 kVRMS Isolated Dual Channel 4.5/9 A Gate Driver
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Módulos de semiconductores discretos SiC, Module, 8mohm, 1200V, 48 mm, GM3, Half-Bridge, Industrial, Gen 3, Pre-Applied TIM
CAB008M12GM3T
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Módulos de semiconductores discretos SiC, Module, 8mohm, 1200V, 48 mm, GM3, Half-Bridge, Industrial, Gen 3, Pre-Applied TIM
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Módulos de semiconductores discretos SiC, Module, 11mohm, 1200V, 33.8 mm, FM3, Half-Bridge, Industrial, Gen 3, Pre-Applied TIM
CAB011M12FM3T
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Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET N-Channel (Dual) -20V Low Noise
IF3602T78
InterFET
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Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET N-Channel (Dual) -20V Low Noise
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 30V 11A 0.016 Ohm STripFET V
STL40DN3LLH5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 30V 11A 0.016 Ohm STripFET V
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Rectificadores y diodos Schottky 2X60 Amp 45 Volt
STPS12045TV
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Rectificadores y diodos Schottky 2X60 Amp 45 Volt
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Rectificadores y diodos Schottky STPS200170TV1
STPS200170TV1
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Rectificadores y diodos Schottky STPS200170TV1
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Rectificadores y diodos Schottky Dual Schottky 200V 640 mV 2 x 30 A
STPS60SM200CW
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Rectificadores y diodos Schottky Dual Schottky 200V 640 mV 2 x 30 A
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V/20V Nch 2xCool PowerTrench MOSFET
FDMS86101DC
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V/20V Nch 2xCool PowerTrench MOSFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 4.5a .62 Ohms/VGS=1V
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FDS3992
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FDS3992
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 4.5a .62 Ohms/VGS=1V
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N/P Channel FET Enhancement Mode
NDC7001C
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N/P Channel FET Enhancement Mode
84.813 En existencias
54.000 Se espera el 11-06-2027
1
$947
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Detector de RF Dual TruPwr RMS Detector
AD8364ACPZ-REEL7
Analog Devices
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N.º de artículo de Mouser 584-AD8364ACPZ-R7
Analog Devices
Detector de RF Dual TruPwr RMS Detector
1.482 En existencias
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$20.192
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$16.059
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V
DMC3071LVT-7
Diodes Incorporated
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N.º de artículo de Mouser 621-DMC3071LVT-7
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V
214.502 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30 5V-30V,TSOT23,3K
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DMG6602SVT-7
Diodes Incorporated
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N.º de artículo de Mouser 621-DMG6602SVT-7
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30 5V-30V,TSOT23,3K
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3.000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch ENH FET -30V 70mOhm -10V -3.9A
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DMP3085LSD-13
Diodes Incorporated
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N.º de artículo de Mouser 621-DMP3085LSD-13
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch ENH FET -30V 70mOhm -10V -3.9A
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500
$262
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$208
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Módulos IGBT 1200 V, 1200 A dual IGBT module
FF1200R12IE5
Infineon Technologies
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Infineon Technologies
Módulos IGBT 1200 V, 1200 A dual IGBT module
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Módulos IGBT IGBT 1200V 300A
FF300R12ME4
Infineon Technologies
1:
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90 Se espera el 21-08-2026
N.º de artículo de Mouser 641-FF300R12ME4
Infineon Technologies
Módulos IGBT IGBT 1200V 300A
14 En existencias
90 Se espera el 21-08-2026
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Módulos IGBT N-CH 1.2KV 520A
FF450R12KE4
Infineon Technologies
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90 Se espera el 08-10-2026
N.º de artículo de Mouser 641-FF450R12KE4
Infineon Technologies
Módulos IGBT N-CH 1.2KV 520A
113 En existencias
90 Se espera el 08-10-2026
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Módulos IGBT IGBT 1200V 450A
FF450R12ME4
Infineon Technologies
1:
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298 En existencias
322 En pedido
N.º de artículo de Mouser 641-FF450R12ME4
Infineon Technologies
Módulos IGBT IGBT 1200V 450A
298 En existencias
322 En pedido
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2 Se espera el 25-08-2026
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24 Semanas
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Módulos IGBT IGBT 1700V 450A
FF450R17ME4
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser 641-FF450R17ME4
Infineon Technologies
Módulos IGBT IGBT 1700V 450A
118 En existencias
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Módulos IGBT IGBT-MODULE
FF900R12IP4
Infineon Technologies
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72 Se espera el 12-11-2026
N.º de artículo de Mouser 641-FF900R12IP4
Infineon Technologies
Módulos IGBT IGBT-MODULE
30 En existencias
72 Se espera el 12-11-2026
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
BSG0810NDIATMA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser 726-BSG0810NDIATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
13.765 En existencias
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$3.807
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$1.735
500
$1.409
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$1.304
5.000
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