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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 23A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KC6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
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4.580En existencias
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ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KC7 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
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ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 17A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KE6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
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ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 16.5A, Dual Nch+Pch, HSOP8, Power MOSFET: HP8MB5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
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4.945En existencias
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ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 12A, Dual Nch+Pch, HSOP8, Power MOSFET: HP8MC5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
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4.536En existencias
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ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 8.5A, Dual Nch+Pch, HSOP8, Power MOSFET: HP8ME5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
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10.422En existencias
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ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 12A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KB5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
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9.000En existencias
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ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 10A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KC5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
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6.572En existencias
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ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 15A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KC6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
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3.755En existencias
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ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 13A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KE6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
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5.917En existencias
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ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSMT8 100V 1.5A N-CH MOSFET
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4.687En existencias
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ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 8A Dual Nch+Nch, SOP8, Power MOSFET
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4.591En existencias
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ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN 100V 2A DUAL CH
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1.788En existencias
12.000Se espera el 22-02-2027
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V Common Drain MOSFET Rss(on): 1.1mOhm
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17.833En existencias
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR SOP-ADVANCE(N) PD=180W F=1MHZ
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9.447En existencias
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR SOP-ADVANCE(N) PD=170W F=1MHZ
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4.945En existencias
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR SOP Advance(WF) PD=132W F=1MHZ
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4.713En existencias
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR SOP Advance(WF) PD=170W F=1MHZ
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4.603En existencias
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Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
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3.515En existencias
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Máx.: 6.000
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Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAIR3X3 2NCH 30V 15.4A
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9.191En existencias
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Vishay Diodos Schottky de SiC SOT-227 Silicon Carbide Schottky Barrier Diode, 1200 V, 120 A
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Vishay Diodos Schottky de SiC SOT-227 Silicon Carbide Schottky Barrier Diode, 650 V, 120 A
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133En existencias
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Vishay Diodos Schottky de SiC SOT-227 Silicon Carbide Schottky Barrier Diode, 1200 V, 160 A
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132En existencias
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Vishay Diodos Schottky de SiC SOT-227 Silicon Carbide Schottky Barrier Diode, 650 V, 160 A
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129En existencias
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Vishay Diodos Schottky de SiC SOT-227 Silicon Carbide Schottky Barrier Diode, 1200 V, 240 A
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53En existencias
160Se espera el 04-09-2026
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