Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS
NVMFD5C680NLET1G
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V LL SO8FL DUAL
NVMFD020N10MCLT1G
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V LL SO8FL DUAL
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Diodos Schottky de SiC 1200V 20A, TO247-3L, Industrial Grade
ASA020V120E5
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Diodos Schottky de SiC 1200V 30A, TO247-3L, Industrial Grade
ASA030V120E5
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Diodos Schottky de SiC 1200V 40A, TO247-3L, Industrial Grade
ASA040V120E5
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Diodos Schottky de SiC 1200V 40A, TO247-3L, Industrial Grade
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Módulos MOSFET 1200V 5mohm Half-Bridge SiCPAK G SiC Module
G3F05MT12GB2
GeneSiC Semiconductor
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Módulos MOSFET 1200V 5mohm Half-Bridge SiCPAK G SiC Module
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Módulos MOSFET 1200V 5mohm Half-Bridge SiCPAK G SiC Module, TIM
G3F05MT12GB2-T
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Módulos MOSFET 1200V 5mohm Half-Bridge SiCPAK G SiC Module, TIM
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650V, 56 mOhm typ., 53 A MDmesh DM6 Power MOSFET
SH63N65DM6AG
STMicroelectronics
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650V, 56 mOhm typ., 53 A MDmesh DM6 Power MOSFET
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IGBTs Automotive ACEPACK SMIT half-bridge 650 V, 80 A HB series IGBT with diode
STGSH80HB65DAG
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IGBTs Automotive ACEPACK SMIT half-bridge 650 V, 80 A HB series IGBT with diode
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Rectificadores y diodos Schottky Rad-Hard 150V - 2x30A Schottky rectifier - Engineering model
STPS60A150CS1
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Rectificadores y diodos Schottky Rad-Hard 150V - 2x30A Schottky rectifier - Engineering model
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Controladores de puerta con aislamiento galvánico 251 V, 5 A/9 A high-side and low-side gate driver ICs
2EDF5215GXTMA1
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726-2EDF5215GXTMA1
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Controladores de puerta con aislamiento galvánico 251 V, 5 A/9 A high-side and low-side gate driver ICs
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Módulos MOSFET EASY
FF17MR12W1M1HB17BPSA1
Infineon Technologies
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726-FF17MR12W1M1HB17
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Módulos MOSFET EASY
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Módulos IGBT 1700 V, 1800 A dual IGBT module
FF1800XTR17T2P5BPSA1
Infineon Technologies
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726-FF1800XTR17T2P5B
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Módulos IGBT 1700 V, 1800 A dual IGBT module
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Módulos IGBT 1200 V, 2400 A dual IGBT module
FF2400R12IP7BPSA1
Infineon Technologies
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726-FF2400R12IP7BPSA
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Módulos IGBT 1200 V, 2400 A dual IGBT module
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Módulos de semiconductores discretos 1200V, 62mm Module with CoolSiC Trench MOSFET
FF2MR12KM1HHPSA1
Infineon Technologies
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Módulos de semiconductores discretos 1200V, 62mm Module with CoolSiC Trench MOSFET
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Módulos IGBT MEDIUM POWER ECONO
FF450R12ME7BPSA1
Infineon Technologies
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726-FF450R12ME7BPSA1
Infineon Technologies
Módulos IGBT MEDIUM POWER ECONO
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Módulos IGBT 4500 V, 450 A dual IGBT module
FF450R45T3E4B5BPSA1
Infineon Technologies
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726-FF450R45T3E4B5B
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Módulos IGBT 4500 V, 450 A dual IGBT module
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Módulos MOSFET CoolSiC MOSFET half-bridge module 1200 V
FF4MR12W2M1HB70BPSA1
Infineon Technologies
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726-FF4MR12W2M1HB70B
Infineon Technologies
Módulos MOSFET CoolSiC MOSFET half-bridge module 1200 V
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Módulos IGBT MEDIUM POWER ECONO
FF600R12ME7BPSA1
Infineon Technologies
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726-FF600R12ME7BPSA1
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Módulos IGBT MEDIUM POWER ECONO
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Módulos IGBT MEDIUM POWER ECONO
FF900R12ME7BPSA1
Infineon Technologies
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726-FF900R12ME7BPSA1
Infineon Technologies
Módulos IGBT MEDIUM POWER ECONO
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Módulos IGBT 1700 V, 900 A dual IGBT module
FF900R17ME7WB11BPSA1
Infineon Technologies
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726-FF900R17ME7WB11B
Infineon Technologies
Módulos IGBT 1700 V, 900 A dual IGBT module
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Módulos MOSFET 1200V, 567A, Half bridge, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET
BSM600D12P4G103
ROHM Semiconductor
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755-BSM600D12P4G103
ROHM Semiconductor
Módulos MOSFET 1200V, 567A, Half bridge, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -100V 12.5A, Dual Pch+Pch, HSOP8, Power MOSFET: HP8JE5 is a low on-resistance MOSFET ideal for Switching and Motor drives applications.
HP8JE5TB1
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755-HP8JE5TB1
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -100V 12.5A, Dual Pch+Pch, HSOP8, Power MOSFET: HP8JE5 is a low on-resistance MOSFET ideal for Switching and Motor drives applications.
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KB6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
HP8KB6TB1
ROHM Semiconductor
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755-HP8KB6TB1
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KB6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KB7 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
HP8KB7TB1
ROHM Semiconductor
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N.º de artículo de Mouser
755-HP8KB7TB1
ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KB7 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
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$1.441
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Carrete :
2.500
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