Resultados: 5.105
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS 1.676En existencias
1.500Se espera el 16-10-2026
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Máx.: 318
: 1.500

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V LL SO8FL DUAL 1.251En existencias
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Máx.: 125
: 1.500

APC-E Diodos Schottky de SiC 1200V 20A, TO247-3L, Industrial Grade 244En existencias
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APC-E Diodos Schottky de SiC 1200V 30A, TO247-3L, Industrial Grade 274En existencias
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APC-E Diodos Schottky de SiC 1200V 40A, TO247-3L, Industrial Grade 271En existencias
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GeneSiC Semiconductor Módulos MOSFET 1200V 5mohm Half-Bridge SiCPAK G SiC Module 96En existencias
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GeneSiC Semiconductor Módulos MOSFET 1200V 5mohm Half-Bridge SiCPAK G SiC Module, TIM 88En existencias
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650V, 56 mOhm typ., 53 A MDmesh DM6 Power MOSFET 174En existencias
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: 200

STMicroelectronics IGBTs Automotive ACEPACK SMIT half-bridge 650 V, 80 A HB series IGBT with diode 189En existencias
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: 200

STMicroelectronics Rectificadores y diodos Schottky Rad-Hard 150V - 2x30A Schottky rectifier - Engineering model 9En existencias
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Infineon Technologies Controladores de puerta con aislamiento galvánico 251 V, 5 A/9 A high-side and low-side gate driver ICs 4.985En existencias
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: 5.000

Infineon Technologies Módulos MOSFET EASY 28En existencias
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Infineon Technologies Módulos IGBT 1700 V, 1800 A dual IGBT module 11En existencias
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Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 2400 A dual IGBT module 6En existencias
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Infineon Technologies Módulos de semiconductores discretos 1200V, 62mm Module with CoolSiC Trench MOSFET 10En existencias
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Infineon Technologies Módulos IGBT MEDIUM POWER ECONO 14En existencias
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Infineon Technologies Módulos IGBT 4500 V, 450 A dual IGBT module 8En existencias
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Infineon Technologies Módulos MOSFET CoolSiC MOSFET half-bridge module 1200 V 38En existencias
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Infineon Technologies Módulos IGBT MEDIUM POWER ECONO 16En existencias
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Infineon Technologies Módulos IGBT MEDIUM POWER ECONO 14En existencias
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Infineon Technologies Módulos IGBT 1700 V, 900 A dual IGBT module 11En existencias
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ROHM Semiconductor Módulos MOSFET 1200V, 567A, Half bridge, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET 4En existencias
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ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -100V 12.5A, Dual Pch+Pch, HSOP8, Power MOSFET: HP8JE5 is a low on-resistance MOSFET ideal for Switching and Motor drives applications. 1.956En existencias
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: 2.500

ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KB6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. 5.000En existencias
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: 2.500

ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KB7 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. 4.969En existencias
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: 2.500