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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS Dual power MOSFET 40V
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4.335En existencias
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: 4.000

ams OSRAM Luces LED blancas OSLON Submount PL
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1.992En existencias
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: 2.000

ams OSRAM Luces LED blancas OSLON Submount PL
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1.949En existencias
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: 2.000

Rectron Diodos de Conmutación de Señal Baja 215mA 75V Dl Switch
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7.781En existencias
MouseReel Disponible
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: 3.000

Rectron Diodos de Conmutación de Señal Baja 100V Small Signal Dual CC Diodes
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5.870En existencias
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Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch EPAD FET Array VGS=0.0V
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25En existencias
Min.: 1
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Rectron Diodos de Conmutación de Señal Baja 100V Small Signal Dual Diodes
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5.590En existencias
Min.: 1
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Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
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6En existencias
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STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 1200 V, 50 A, low-loss M series IGBT ACEPACK SMIT
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400En existencias
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: 200

Texas Instruments Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Dual ultra-low nois e low-gate-current
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2.748En existencias
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Máx.: 1.001
: 3.000

Infineon Technologies Módulos MOSFET EconoDUAL 3 CoolSiC MOSFET 1200 V module
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5En existencias
20Se espera el 06-05-2027
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Infineon Technologies Módulos IGBT MEDIUM POWER ECONO
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Min.: 1
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Infineon Technologies Módulos IGBT EconoDUAL3 module with TRENCHSTOPIGBT7 and emitter controlled 8 diode and NTC
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30En existencias
Min.: 1
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Infineon Technologies Módulos IGBT IHV IHM T
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2En existencias
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Mult.: 1
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
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5.289En existencias
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Mult.: 1
: 5.000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
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6.153En existencias
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Mult.: 1
: 5.000

Infineon Technologies GaN FETs Two 140 mohm / 650 V GaN transistors in half-bridge configuration
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: 3.000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS Dual power MOSFET 40V
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3.842En existencias
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: 4.000

ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) WLCSP 2NCH 30V 20A
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2.837En existencias
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: 3.000
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSOP8 150V DUAL 18.5A
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2.457En existencias
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: 2.500
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 2NCH 40V 8A
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2.780En existencias
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: 3.000

ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMTR 100V 6.5A N CHAN MOS
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3.000En existencias
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: 3.000

ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 100V 12.5A N CHAN
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2.972En existencias
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: 3.000

ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 150V DUAL 7.A
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3.000En existencias
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: 3.000
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 NPCH 40V 12A
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2.990En existencias
Min.: 1
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: 3.000