Resultados: 5.105
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 38A, Dual N-Channel Power MOSFET 4.964En existencias
Min.: 1
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: 2.500


Central Semiconductor Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Dual - NPN/PNP Switching 6.114En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Linear Integrated Systems Diodos de Conmutación de Señal Baja Low Leakage, Monolithic Dual, Pico-Amp Diode 430En existencias
Min.: 1
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Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 37A, Dual N-Channel Power MOSFET 2.580En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500


Central Semiconductor Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Dual - NPN/NPN Switching 5.816En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Central Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Ch P-Ch FET 8.0Vgs 125mW 7.298En existencias
Min.: 1
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: 8.000

Linear Integrated Systems Diodos de Conmutación de Señal Baja Low Leakage, Monolithic Dual, Pico-Amp Diode 453En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 5A, -60V, -4A, Complementary N & P-Channel Power MOSFET 4.654En existencias
Min.: 1
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: 2.500

ROHM Semiconductor Módulos MOSFET half-bridge module consisting of SiC-MOSFETs, suitable for Automotive application, Inverter, Converter, and (Hybrid) electrical vehicles EV/HEV. 80En existencias
Min.: 1
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onsemi Módulos IGBT 1200V 800A QDUAL3 146En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 15

Central Semiconductor CMXD2004SR TR PBFREE
Central Semiconductor Diodos de Conmutación de Señal Baja Dual 240Vr 300Vrrm 200mA 225mA 625mA 2.000En existencias
Min.: 1
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: 3.000

Nexperia Diodos de Conmutación de Señal Baja BAV170QA/SOT1215/DFN1010D-3 34En existencias
5.000Se espera el 15-02-2027
Min.: 1
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: 5.000

Toshiba Transistores digitales Gen Trans PNP x 2 SMV, -50V, -100A 2En existencias
6.000En pedido
Min.: 1
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: 3.000

Nexperia Diodos de Conmutación de Señal Baja BAV99QA/SOT1215/DFN1010D-3 2En existencias
10.000Se espera el 05-04-2027
Min.: 1
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: 5.000

Nexperia Diodos de Conmutación de Señal Baja BAV199W-Q/SOT323/SC-70 11En existencias
24.000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual MOSFET ARRAY Vt=2.70V 42En existencias
Min.: 1
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Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual SAB MOSFET ARRAY VT=2.20V 109En existencias
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Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual EPAD(R) N-Ch 4En existencias
50Se espera el 25-09-2026
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Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch EPAD FET Array VGS=0.0V 17En existencias
Min.: 1
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Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual MOSFET ARRAY Vt=2.50V 50En existencias
Min.: 1
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Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 29A, Dual N-Channel Power MOSFET 2.011En existencias
Min.: 1
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: 2.500

Linear Integrated Systems Diodos de Conmutación de Señal Baja Low Leakage, Monolithic Dual, Pico-Amp Diode 361En existencias
Min.: 1
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Wolfspeed Módulos de semiconductores discretos 1200V, 530A SiC 24En existencias
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Linear Integrated Systems Diodos de Conmutación de Señal Baja Low Leakage, Monolithic Dual, Pico-Amp Diode 370En existencias
Min.: 1
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Infineon Technologies Módulos IGBT EASY PLUS 16En existencias
Min.: 1
Mult.: 1