Diodos Schottky de SiC SIC SBD 1200 V 30 A TO-247
MSC030SDA120BCT
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N.º de artículo de Mouser 494-MSC030SDA120BCT
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Diodos Schottky de SiC SIC SBD 1200 V 30 A TO-247
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N and P Channel
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ZXMC3A16DN8TA
Diodes Incorporated
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N and P Channel
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Circuitos integrados de interruptor USB Dual USB Port Power Switch with Increased Current Limit Threshold
UCS2113T-1C-V/G4
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N.º de artículo de Mouser 579-UCS2113T-1C-V/G4
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Circuitos integrados de interruptor USB Dual USB Port Power Switch with Increased Current Limit Threshold
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Complementary
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CMKT2207 TR PBFREE
Central Semiconductor
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Central Semiconductor
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Complementary
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V SO-8 T&R 2.5K
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DMNH4015SSDQ-13
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V SO-8 T&R 2.5K
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMOS-DUAL
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DMP3098LSD-13
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMOS-DUAL
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Rectificadores y diodos Schottky Super Barrier Rectifier TO252 T&R 2.5K
SBR6100CTLQ-13
Diodes Incorporated
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Rectificadores y diodos Schottky Super Barrier Rectifier TO252 T&R 2.5K
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N and P-Ch 20V 950mA -530mA SOT-363-6
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BSD235C H6327
Infineon Technologies
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N and P-Ch 20V 950mA -530mA SOT-363-6
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSMT8 2NCH 30V 9A
QH8KA3TCR
ROHM Semiconductor
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ROHM Semiconductor
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSMT8 2NCH 30V 9A
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) AUTO AEC-Q PNP + PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-563 (ES6)
HN1A01FE-GR,LXHF
Toshiba
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Toshiba
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) AUTO AEC-Q PNP + PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-563 (ES6)
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Rectificadores SOT-227 - GEN5 FRED IN PARALLE
VS-U5FH150FA60
Vishay Semiconductors
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Vishay Semiconductors
Rectificadores SOT-227 - GEN5 FRED IN PARALLE
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Rectificadores Fred Gen4 Dual Module
VS-UFL450CB60
Vishay Semiconductors
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Vishay Semiconductors
Rectificadores Fred Gen4 Dual Module
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Transistores digitales PEMB10/SOT666/SOT6
PEMB10,115
Nexperia
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NRND
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NRND
Nexperia
Transistores digitales PEMB10/SOT666/SOT6
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Rectificadores y diodos Schottky Schottky (dual) 40A, 100V, VF=0.80V, TJMAX = 175C
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MBR40100PTe3/TU
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Rectificadores y diodos Schottky Schottky (dual) 40A, 100V, VF=0.80V, TJMAX = 175C
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Diodos de Conmutación de Señal Baja SOT-23 120V 200mA
BAS35
onsemi
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BAS35
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onsemi
Diodos de Conmutación de Señal Baja SOT-23 120V 200mA
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Dual 20V NPN Low Sat Ic 4.5A 150mV
ZXTD618MCTA
Diodes Incorporated
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Diodes Incorporated
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Dual 20V NPN Low Sat Ic 4.5A 150mV
3.402 En existencias
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Diodos de Conmutación de Señal Baja Dual Series
CMSD2004S TR PBFREE
Central Semiconductor
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N.º de artículo de Mouser 610-CMSD2004S
Central Semiconductor
Diodos de Conmutación de Señal Baja Dual Series
64.263 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40 V-40V,TO252,2.5K
DMG4511SK4-13
Diodes Incorporated
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2.273 En existencias
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Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40 V-40V,TO252,2.5K
2.273 En existencias
1
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$401
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R 3K
DMP3164LVT-7
Diodes Incorporated
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10.939 En existencias
N.º de artículo de Mouser 621-DMP3164LVT-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R 3K
10.939 En existencias
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1.000
$226
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Diodos de Conmutación de Señal Baja IGBT PRODUCTS
IDW80C65D1XKSA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser 726-IDW80C65D1XKSA1
Infineon Technologies
Diodos de Conmutación de Señal Baja IGBT PRODUCTS
899 En existencias
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$3.734
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Rectificadores Super Fast Recovery Diode
RF601BGE2DTL
ROHM Semiconductor
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1.802 En existencias
N.º de artículo de Mouser 755-RF601BGE2DTL
ROHM Semiconductor
Rectificadores Super Fast Recovery Diode
1.802 En existencias
1
$2.356
10
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$812
1.000
$750
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$673
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Carrete :2.500
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Rectificadores RECT 200V 3A SM SUPER FST
RFN6BGE2DTL
ROHM Semiconductor
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2.471 En existencias
N.º de artículo de Mouser 755-RFN6BGE2DTL
ROHM Semiconductor
Rectificadores RECT 200V 3A SM SUPER FST
2.471 En existencias
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$2.198
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$940
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$751
2.500
$619
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1.000
$684
5.000
$556
10.000
$529
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Transistores digitales SOT-363 BIPOLAR BJT NPN+PNP
UMD22NFHATR
ROHM Semiconductor
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N.º de artículo de Mouser 755-UMD22NFHATR
ROHM Semiconductor
Transistores digitales SOT-363 BIPOLAR BJT NPN+PNP
9.431 En existencias
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$547
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$333
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$211
500
$159
1.000
$142
3.000
$119
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3.000
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN+NPN 12VCEO 1.5A SOT-363T
US6X7TR
ROHM Semiconductor
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N.º de artículo del Fabricante
US6X7TR
N.º de artículo de Mouser 755-US6X7TR
ROHM Semiconductor
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN+NPN 12VCEO 1.5A SOT-363T
5.622 En existencias
1
$1.062
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$663
100
$431
500
$332
3.000
$258
6.000
Ver
1.000
$300
6.000
$242
9.000
$232
24.000
$207
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3.000
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-563 (ES6)
HN1B04FE-GR,LXHF
Toshiba
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7.662 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-HN1B04FE-GRLXHF
Toshiba
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-563 (ES6)
7.662 En existencias
1
$799
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$317
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$241
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$217
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$196
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$167
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :4.000
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