Resultados: 5.101
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS
Toshiba Transistores digitales BRT PNP NPN 100mA -50V 3.477En existencias
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: 3.000

Nexperia Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) BCM857BSH-Q/SOT363/SC-88 3.309En existencias
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: 3.000

Nexperia Transistores digitales PBLS6005D/SOT457/SC-74 2.857En existencias
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: 3.000

Nexperia Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PBSS4230PAN/SOT1118/HUSON6 1.139En existencias
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: 3.000

Nexperia Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PMBT3906YS-Q/SOT363/SC-88 2.801En existencias
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: 3.000

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET 1.319En existencias
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onsemi Transistores digitales 100mA 50V BRT Dual PNP 13.248En existencias
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: 3.000

onsemi Transistores digitales 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP 4.000En existencias
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: 4.000

onsemi Transistores digitales SS BR XSTR DUAL 50V 130En existencias
15.000En pedido
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Máx.: 3.000
: 3.000

Mitsubishi Electric Módulos IGBT IGBT MODULE S-SERIES NX TYPE DUAL 8En existencias
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Infineon Technologies FF450R12KE4_E
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 450 A common emitter IGBT module 15En existencias
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Infineon Technologies FF900R12IP4D
Infineon Technologies Módulos IGBT N-CH 1.2KV 900A 3En existencias
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onsemi MCH5908H-TL-E
onsemi Transistor de unión de efecto de campo (JFET) NCH+NCH J-FET 5.695En existencias
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: 3.000

ROHM Semiconductor US6M2GTR
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2.5v Nch+Pch 6pin TUMT6; w/G-S Diode 8.586En existencias
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: 3.000

Allegro MicroSystems Controladores de puerta con aislamiento galvánico PRIMARY QFN OF SIC HV ISOLATED GATE DRIVER CHIPSET COMBO 18V 8.570En existencias
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: 1.500

Infineon Technologies TT215N22KOF
Infineon Technologies Módulos de Tiristores 2200V 410A DUAL 56En existencias
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onsemi MBT3904DW1T1H
onsemi Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) SS SC88 GP XSTR NPN 50.743En existencias
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Máx.: 1.060
: 3.000

STMicroelectronics Rectificadores y diodos Schottky Low drop power Schottky rectifier 1.981En existencias
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: 3.000

STMicroelectronics Diodos Schottky de SiC Dual 650V Pwr Schtky Silicn Carbide Diod 619En existencias
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V Asymmetric 2xNCh MOSFET PowerTrench 1.740En existencias
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Máx.: 110
: 3.000

Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Ch Enh-Mode M OSFET A 595-TPS1120 A 595-TPS1120DR 624En existencias
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Diodes Incorporated Diodos de Conmutación de Señal Baja 0.715V at 1mA 4ns 1.5pF Diode Array 8.625En existencias
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: 3.000

Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 900 A dual IGBT module 6En existencias
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ROHM Semiconductor Transistores digitales DUAL PNP/NPN 8.927En existencias
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: 8.000

ROHM Semiconductor Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Isolated DC/DC Converter 3.009En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000