Dual Semiconductores

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET 2.289En existencias
3.000En pedido
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Vishay Diodos Schottky de SiC SOT-227 Silicon Carbide Schottky Barrier Diode, 1200 V, 200 A 158En existencias
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Infineon Technologies Módulos IGBT 1700 V, 200 A dual IGBT module 13En existencias
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Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL DEPLETION MODE 20.602En existencias
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Panjit Rectificadores y diodos Schottky Automotive 60V, Schottky, 10A 6.235En existencias
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: 800

onsemi Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN MULTI-CHIP 2.784En existencias
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: 3.000

Infineon Technologies Rectificadores THYR / DIODE MODULE DK 13En existencias
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Toshiba Diodos de Conmutación de Señal Baja High-speed switching USM IO-0.1A, VR-80V 609.916En existencias
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: 3.000

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.8A VDSS=20V 243.536En existencias
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: 4.000

Nexperia Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PMD2001D/SOT457/SC-74 186.193En existencias
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: 3.000

Nexperia Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PMP4201Y/SOT363/SC-88 286.281En existencias
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: 10.000

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs Thin PowerPAK SC-70 110.643En existencias
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: 3.000

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified 301.813En existencias
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: 3.000

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual Nch 40V Vds PowerPAK SO-8L 71.040En existencias
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: 3.000

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel 75V AEC-Q101 Qualified 28.794En existencias
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: 3.000

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Asymmetric Dual N-Channel Pwr Trench 42.680En existencias
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: 3.000
Diodes Incorporated Diodos de Conmutación de Señal Baja 85V 150mW 331.839En existencias
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Máx.: 1.380
: 3.000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30 5V-30V,TSOT23,3K 378.643En existencias
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Máx.: 3.000
: 3.000


Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified 143.156En existencias
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: 3.000

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified 110.353En existencias
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: 3.000


Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Chnl 30-V D-S AEC-Q101 Qualified 31.294En existencias
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: 2.500

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch P Ch 100/-100V AEC-Q101 Qualified 33.879En existencias
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: 3.000

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 8A 34W AEC-Q101 Qualified 77.816En existencias
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: 3.000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+P-CH 67.694En existencias
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: 3.000

Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7K15-80E/SOT1205/LFPAK56D 29.872En existencias
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: 1.500