Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

200V to 250V HEXFET® Power MOSFETs

Infineon 200V to 250V HEXFET® Power MOSFETs offer a broad range of MOSFETs in various packages, current and R_DS(on) ratings. These 200V to 250V HEXFET Power MOSFETs utilize the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with fast switching speed and ruggedized device design provides an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 26

Filtros aplicados:

Tecnología

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC IRFP260MPBF Infineon Technologies 1: $4.348 23.097En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRFP260MPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRFP260MPBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 200v 250v hexfet mosfets	Hoja de datos	23.097En existencias	$4.348 $2.207 $1.845 $1.559 $1.548	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	200 V	50 A	40 mOhms	20 V	4 V	156 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC IRFP250MPBF Infineon Technologies 1: $3.524 5.425En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IRFP250MPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRFP250MPBF NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 200v 250v hexfet mosfets	Hoja de datos	5.425En existencias	$3.524 $1.757 $1.438 $1.241	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 500	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	200 V	30 A	75 mOhms	20 V	4 V	82 nC	- 55 C	+ 175 C	214 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH >=100V Infineon Technologies IRFB4332PBFXKMA1 IRFB4332PBFXKMA1 Infineon Technologies 1: $5.929 299En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IRFB4332PBFXKMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IRFB4332PBFXKMA1 Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH >=100V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 200v 250v hexfet mosfets	Hoja de datos	299En existencias	Cinta cortada $5.929 $3.085 $2.811 $2.350 Envase tipo carrete $2.350	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.000																Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V IRFP4768PBFXKMA1 Infineon Technologies 1: $8.169 870En existencias 800Se espera el 12-11-2026	N.º de artículo del Fabricante IRFP4768PBFXKMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IRFP4768PBFXKMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 200v 250v hexfet mosfets	Hoja de datos	870En existencias 800Se espera el 12-11-2026	$8.169 $4.381 $4.019 $4.008 $3.623	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247AC-3	N-Channel	1 Channel	250 V	93 A	17.5 mOhms	20 V	5 V	180 nC	- 55 C	+ 175 C	520 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 76A 23.2mOhm 100nC Qg IRFS4127TRLPBF Infineon Technologies 1: $5.786 7.817En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRFS4127TRLPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRFS4127TRLPBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 76A 23.2mOhm 100nC Qg Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 200v 250v hexfet mosfets	Hoja de datos	7.817En existencias	Cinta cortada $5.786 $3.008 $2.745 $2.284 Envase tipo carrete $2.284 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	200 V	72 A	22 mOhms	20 V	1.8 V	100 nC	- 55 C	+ 175 C	375 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 62A 26mOhm 70nC Qg IRFS4227TRLPBF Infineon Technologies 1: $5.018 8.524En existencias 7.200En pedido	N.º de artículo del Fabricante IRFS4227TRLPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRFS4227TRLPBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 62A 26mOhm 70nC Qg Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 200v 250v hexfet mosfets	Hoja de datos	8.524En existencias 7.200En pedido	Cinta cortada $5.018 $2.580 $2.339 $1.878 Envase tipo carrete $1.878 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 2.400 : 800	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	200 V	62 A	26 mOhms	30 V	5 V	70 nC	- 40 C	+ 175 C	330 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V Infineon Technologies IRFB4227PBFXKMA1 IRFB4227PBFXKMA1 Infineon Technologies 1: $3.909 4.406En existencias 4.000Se espera el 07-10-2026	N.º de artículo del Fabricante IRFB4227PBFXKMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IRFB4227PBFXKMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 200v 250v hexfet mosfets		4.406En existencias 4.000Se espera el 07-10-2026	$3.909 $1.965 $1.779 $1.438 Ver $1.329 $1.318 $1.197 $1.153	Min.: 1 Mult.: 1	Si															Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V Infineon Technologies IRFP4668PBFXKMA1 IRFP4668PBFXKMA1 Infineon Technologies 1: $8.092 13.563En existencias 28.400En pedido	N.º de artículo del Fabricante IRFP4668PBFXKMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IRFP4668PBFXKMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 200v 250v hexfet mosfets	Hoja de datos	13.563En existencias 28.400En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IRFP4668PBFXKMA1 Existencias: 13.563 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 8.800 Se espera el 07-10-2026 19.600 Se espera el 20-05-2027 Plazo de entrega de fábrica: 18 Semanas	$8.092 $4.337 $3.975 $3.568	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247AC-3	N-Channel	1 Channel	200 V	130 A	9.7 mOhms	30 V	3 V	161 nC	- 55 C	+ 175 C	520 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V IRFB4127PBFXKMA1 Infineon Technologies 1: $5.654 714En existencias 5.000En pedido	N.º de artículo del Fabricante IRFB4127PBFXKMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IRFB4127PBFXKMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 200v 250v hexfet mosfets	Hoja de datos	714En existencias 5.000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IRFB4127PBFXKMA1 Existencias: 714 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 3.000 Pendiente 2.000 Se espera el 13-10-2026 Plazo de entrega de fábrica: 21 Semanas	$5.654 $2.932 $2.668 $2.207 Ver $2.196 $2.185	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220AB-3	N-Channel	1 Channel	200 V	76 A	20 mOhms	20 V	5 V	69 nC	- 55 C	+ 175 C	375 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 0.6A 2200mOhm 3.9nC IRF5801TRPBF Infineon Technologies 1: $834 21.207En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRF5801TRPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRF5801TRPBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 0.6A 2200mOhm 3.9nC Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 200v 250v hexfet mosfets	Hoja de datos	21.207En existencias	Cinta cortada $834 $377 $332 $253 Envase tipo carrete $193 Ver $184 $168 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	TSOP-6	N-Channel	1 Channel	200 V	600 mA	2.2 Ohms	30 V	2 V	3.9 nC	- 55 C	+ 150 C	2 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC IRF640NPBF Infineon Technologies 1: $2.262 30.167En existencias 18.000Se espera el 28-01-2027	N.º de artículo del Fabricante IRF640NPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRF640NPBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 200v 250v hexfet mosfets	Hoja de datos	30.167En existencias 18.000Se espera el 28-01-2027	$2.262 $1.197 $919 $722 Ver $616 $559 $536	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	200 V	18 A	150 mOhms	20 V	2 V	44.7 nC	- 55 C	+ 175 C	150 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V, 3.7A, 78 mOhm 29 nC Qg, SO-8 IRF7820TRPBF Infineon Technologies 1: $2.657 2.497En existencias 4.000Se espera el 08-10-2026	N.º de artículo del Fabricante IRF7820TRPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRF7820TRPBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V, 3.7A, 78 mOhm 29 nC Qg, SO-8 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 200v 250v hexfet mosfets	Hoja de datos	2.497En existencias 4.000Se espera el 08-10-2026	Cinta cortada $2.657 $1.296 $1.164 $926 Ver Envase tipo carrete $792 $870 $823 $792 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 4.000	Si	SMD/SMT	SOIC-8	N-Channel	1 Channel	200 V	3.7 A	78 mOhms	20 V	4 V	28 nC	- 55 C	+ 150 C	2.5 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 44A 54mOhm 60nC IRFB38N20DPBF Infineon Technologies 1: $3.195 4.279En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRFB38N20DPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRFB38N20DPBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 44A 54mOhm 60nC Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 200v 250v hexfet mosfets	Hoja de datos	4.279En existencias	$3.195 $1.768 $1.405 $1.318 $926	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	200 V	44 A	54 mOhms	30 V	1.8 V	91 nC	- 55 C	+ 175 C	3.8 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 100mOhm 18A 18nC Qg for Aud IRFB4020PBF Infineon Technologies 1: $2.833 8.267En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRFB4020PBF N.º de artículo de Mouser 942-IRFB4020PBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 100mOhm 18A 18nC Qg for Aud Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 200v 250v hexfet mosfets	Hoja de datos	8.267En existencias	$2.833 $1.383 $1.164 $977 Ver $887 $862	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	200 V	18 A	100 mOhms	20 V	1.8 V	18 nC	- 55 C	+ 175 C	100 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC IRFP260NPBF Infineon Technologies 1: $4.304 3.361En existencias 3.200Se espera el 22-10-2026	N.º de artículo del Fabricante IRFP260NPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRFP260NPBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 200v 250v hexfet mosfets	Hoja de datos	3.361En existencias 3.200Se espera el 22-10-2026	$4.304 $2.690 $2.185 $1.779 $1.570	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	200 V	50 A	40 mOhms	20 V	1.8 V	156 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 44A 54mOhm 60nC IRFS38N20DTRLP Infineon Technologies 1: $4.886 2.713En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRFS38N20DTRLP N.º de artículo de Mouser 942-IRFS38N20DTRLP	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 44A 54mOhm 60nC Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 200v 250v hexfet mosfets	Hoja de datos	2.713En existencias	Cinta cortada $4.886 $2.514 $2.284 $1.823 Envase tipo carrete $1.823 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	200 V	44 A	54 mOhms	30 V	5 V	60 nC	- 55 C	+ 175 C	320 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 250V 45A 48mOhm 72nC Qg IRFS4229TRLPBF Infineon Technologies 1: $5.084 6.031En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRFS4229TRLPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRFS4229TRLPBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 250V 45A 48mOhm 72nC Qg Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 200v 250v hexfet mosfets	Hoja de datos	6.031En existencias	Cinta cortada $5.084 $2.613 $2.372 $1.910 Envase tipo carrete $1.910 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	250 V	45 A	48 mOhms	30 V	5 V	72 nC	- 40 C	+ 175 C	330 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC Qg IRFS4620TRLPBF Infineon Technologies 1: $3.810 2.372En existencias 38.400En pedido	N.º de artículo del Fabricante IRFS4620TRLPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRFS4620TRLPBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC Qg Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 200v 250v hexfet mosfets	Hoja de datos	2.372En existencias 38.400En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IRFS4620TRLPBF Existencias: 2.372 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 17.600 Se espera el 11-02-2027 8.000 Se espera el 04-03-2027 12.800 Se espera el 18-03-2027 Plazo de entrega de fábrica: 53 Semanas	Cinta cortada $3.810 $1.910 $1.724 Envase tipo carrete $1.285 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 3.000 : 800	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	200 V	24 A	77.5 mOhms	20 V	5 V	38 nC	- 55 C	+ 175 C	144 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V Infineon Technologies IRFP4227PBFXKMA1 IRFP4227PBFXKMA1 Infineon Technologies 1: $6.741 468En existencias 2.000Se espera el 13-10-2026	N.º de artículo del Fabricante IRFP4227PBFXKMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IRFP4227PBFXKMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 200v 250v hexfet mosfets		468En existencias 2.000Se espera el 13-10-2026	$6.741 $3.546 $3.305 $2.800	Min.: 1 Mult.: 1	Si															Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V Infineon Technologies IRFB4229PBFXKMA1 IRFB4229PBFXKMA1 Infineon Technologies 1: $4.875 822En existencias 2.000En pedido	N.º de artículo del Fabricante IRFB4229PBFXKMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IRFB4229PBFXKMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 200v 250v hexfet mosfets	Hoja de datos	822En existencias 2.000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IRFB4229PBFXKMA1 Existencias: 822 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 1.000 Se espera el 03-12-2026 1.000 A determinar Plazo de entrega de fábrica: 29 Semanas	$4.875 $2.492 $2.262 $2.064 Ver $1.812 $1.801	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220AB-3	N-Channel	1 Channel	250 V	46 A	46 mOhms	30 V	5 V	72 nC	- 40 C	+ 175 C	330 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC IRF630NPBF Infineon Technologies 1: $1.515 70En existencias 10.000Se espera el 28-01-2027	N.º de artículo del Fabricante IRF630NPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRF630NPBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 200v 250v hexfet mosfets	Hoja de datos	70En existencias 10.000Se espera el 28-01-2027	$1.515 $706 $627 $487 $486	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	200 V	9.3 A	300 mOhms	20 V	2 V	23.3 nC	- 55 C	+ 175 C	82 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC IRF640NSTRLPBF Infineon Technologies 1: $2.328 242En existencias 36.800En pedido	N.º de artículo del Fabricante IRF640NSTRLPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRF640NSTRLPBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 200v 250v hexfet mosfets	Hoja de datos	242En existencias 36.800En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IRF640NSTRLPBF Existencias: 242 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 17.600 Se espera el 07-10-2026 19.200 Se espera el 17-06-2027 Plazo de entrega de fábrica: 30 Semanas	Cinta cortada $2.328 $1.120 $1.000 $887 Envase tipo carrete $737 $683 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	200 V	18 A	150 mOhms	20 V	2 V	44.7 nC	- 55 C	+ 175 C	150 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC Qg IRFR4620TRLPBF Infineon Technologies 1: $2.975 1.447En existencias 24.000En pedido	N.º de artículo del Fabricante IRFR4620TRLPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRFR4620TRLPBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC Qg Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 200v 250v hexfet mosfets	Hoja de datos	1.447En existencias 24.000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IRFR4620TRLPBF Existencias: 1.447 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 12.000 Se espera el 10-06-2027 12.000 A determinar Plazo de entrega de fábrica: 31 Semanas	Cinta cortada $2.975 $1.471 $1.230 $1.057 $1.038 Envase tipo carrete $917 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	200 V	24 A	78 mOhms	20 V	1.8 V	25 nC	- 55 C	+ 175 C	144 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC IRFP250NPBF Infineon Technologies 1: $3.217 42.780En pedido	N.º de artículo del Fabricante IRFP250NPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRFP250NPBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 200v 250v hexfet mosfets	Hoja de datos	42.780En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IRFP250NPBF Existencias: 0 En pedido: 34.380 Se espera el 22-10-2026 8.400 Se espera el 19-11-2026 Plazo de entrega de fábrica: 25 Semanas	$3.217 $1.867 $1.548 $1.318 Ver $1.274 $1.186 $1.164	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	200 V	30 A	75 mOhms	20 V	1.8 V	82 nC	- 55 C	+ 175 C	214 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V Infineon Technologies IRFP4229PBFXKMA1 IRFP4229PBFXKMA1 Infineon Technologies 1: $6.632 800En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRFP4229PBFXKMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IRFP4229PBFXKMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 200v 250v hexfet mosfets	Hoja de datos	800En existencias	$6.632 $3.481 $3.162 $2.613	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247AC-3	N-Channel	1 Channel	250 V	44 A	46 mOhms	30 V	5 V	72 nC	- 40 C	+ 175 C	310 W	Enhancement	Tube

200V to 250V HEXFET® Power MOSFETs

Filtros aplicados:

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte