Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

200V to 250V HEXFET® Power MOSFETs

Infineon 200V to 250V HEXFET® Power MOSFETs offer a broad range of MOSFETs in various packages, current and R_DS(on) ratings. These 200V to 250V HEXFET Power MOSFETs utilize the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with fast switching speed and ruggedized device design provides an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 26

Filtros aplicados:

Tecnología

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC

IRFP260MPBF
Infineon Technologies
1: $4.165
23.396En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFP260MPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFP260MPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC

Obtenga más información

Hoja de datos

23.396En existencias

$4.165

$2.345

$1.641

$1.430

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

200 V

50 A

40 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

156 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 76A 23.2mOhm 100nC Qg

IRFS4127TRLPBF
Infineon Technologies
1: $5.143
8.319En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFS4127TRLPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFS4127TRLPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 76A 23.2mOhm 100nC Qg

Obtenga más información

Hoja de datos

8.319En existencias

Cinta cortada

$5.143

$3.197

$2.514

$2.166

Envase tipo carrete

$1.883

$1.840

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

72 A

22 mOhms

- 20 V, 20 V

1.8 V

100 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH >=100V

IRFB4332PBFXKMA1
Infineon Technologies
1: $5.679
1.000En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IRFB4332PBFXKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IRFB4332PBFXKMA1

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH >=100V

Obtenga más información

Hoja de datos

1.000En existencias

Cinta cortada

$5.679

$2.955

$2.692

$2.230

Envase tipo carrete

$2.219

$1.946

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.000

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

IRFP4768PBFXKMA1
Infineon Technologies
1: $7.825
1.029En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFP4768PBFXKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IRFP4768PBFXKMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

Obtenga más información

Hoja de datos

1.029En existencias

$7.825

$4.617

$3.849

$3.429

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247AC-3

N-Channel

1 Channel

250 V

93 A

17.5 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

180 nC

- 55 C

+ 175 C

520 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

IRFB4127PBFXKMA1
Infineon Technologies
1: $5.658
1.499En existencias
5.000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IRFB4127PBFXKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IRFB4127PBFXKMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

Obtenga más información

Hoja de datos

1.499En existencias

5.000En pedido

$5.658

$3.734

$2.724

$2.272

$2.103

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220AB-3

N-Channel

1 Channel

200 V

76 A

20 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

69 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC

IRF640NPBF
Infineon Technologies
1: $2.103
36.789En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRF640NPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRF640NPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC

Obtenga más información

Hoja de datos

36.789En existencias

$2.103

$1.167

$854

$672

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

18 A

150 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

44.7 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

IRFP4227PBFXKMA1
Infineon Technologies
1: $6.457
1.038En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFP4227PBFXKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IRFP4227PBFXKMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

Obtenga más información

1.038En existencias

$6.457

$3.755

$3.081

$2.987

$2.682

Min.: 1
Mult.: 1

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

IRFB4227PBFXKMA1
Infineon Technologies
1: $3.744
5.411En existencias
4.000Se espera el 11-02-2027

N.º de artículo del Fabricante
IRFB4227PBFXKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IRFB4227PBFXKMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

Obtenga más información

5.411En existencias

4.000Se espera el 11-02-2027

$3.744

$1.883

$1.704

$1.378

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

IRFB4229PBFXKMA1
Infineon Technologies
1: $4.670
954En existencias
1.000Se espera el 03-12-2026

N.º de artículo del Fabricante
IRFB4229PBFXKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IRFB4229PBFXKMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

Obtenga más información

Hoja de datos

954En existencias

1.000Se espera el 03-12-2026

$4.670

$2.387

$2.166

$1.777

$1.714

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220AB-3

N-Channel

1 Channel

250 V

46 A

46 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

72 nC

- 40 C

+ 175 C

330 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

IRFP4668PBFXKMA1
Infineon Technologies
1: $7.751
13.433En existencias
13.200Se espera el 28-01-2027

N.º de artículo del Fabricante
IRFP4668PBFXKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IRFP4668PBFXKMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

Obtenga más información

Hoja de datos

13.433En existencias

13.200Se espera el 28-01-2027

$7.751

$4.564

$3.807

$3.376

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247AC-3

N-Channel

1 Channel

200 V

130 A

9.7 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

161 nC

- 55 C

+ 175 C

520 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC

IRF640NSTRLPBF
Infineon Technologies
1: $2.230
7.542En existencias
19.500En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IRF640NSTRLPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRF640NSTRLPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC

Obtenga más información

Hoja de datos

7.542En existencias

19.500En pedido

Cinta cortada

$2.230

$1.388

$958

$716

Envase tipo carrete

$630

$622

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

18 A

150 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

44.7 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V, 3.7A, 78 mOhm 29 nC Qg, SO-8

IRF7820TRPBF
Infineon Technologies
1: $2.545
2.542En existencias
4.000Se espera el 10-12-2026

N.º de artículo del Fabricante
IRF7820TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRF7820TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V, 3.7A, 78 mOhm 29 nC Qg, SO-8

Obtenga más información

Hoja de datos

2.542En existencias

4.000Se espera el 10-12-2026

Cinta cortada

$2.545

$1.546

$1.073

$873

Ver

Envase tipo carrete

$749

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 4.000

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

200 V

3.7 A

78 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

28 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 44A 54mOhm 60nC

IRFB38N20DPBF
Infineon Technologies
1: $3.102
4.359En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFB38N20DPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFB38N20DPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 44A 54mOhm 60nC

Obtenga más información

Hoja de datos

4.359En existencias

$3.102

$1.914

$1.367

$887

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

44 A

54 mOhms

- 30 V, 30 V

1.8 V

91 nC

- 55 C

+ 175 C

3.8 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 100mOhm 18A 18nC Qg for Aud

IRFB4020PBF
Infineon Technologies
1: $2.713
6.482En existencias
2.000Se espera el 18-08-2026

N.º de artículo del Fabricante
IRFB4020PBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFB4020PBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 100mOhm 18A 18nC Qg for Aud

Obtenga más información

Hoja de datos

6.482En existencias

2.000Se espera el 18-08-2026

$2.713

$1.325

$1.115

$936

$826

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

18 A

100 mOhms

- 20 V, 20 V

1.8 V

18 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC

IRFP250NPBF
Infineon Technologies
1: $3.460
3.761En existencias
17.600En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IRFP250NPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFP250NPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC

Obtenga más información

Hoja de datos

3.761En existencias

17.600En pedido

$3.460

$2.177

$1.557

$1.273

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

200 V

30 A

75 mOhms

- 20 V, 20 V

1.8 V

82 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC

IRFP260NPBF
Infineon Technologies
1: $4.144
2.139En existencias
2.400Se espera el 07-09-2026

N.º de artículo del Fabricante
IRFP260NPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFP260NPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC

Obtenga más información

Hoja de datos

2.139En existencias

2.400Se espera el 07-09-2026

$4.144

$2.377

$1.935

$1.904

$1.493

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

200 V

50 A

40 mOhms

- 20 V, 20 V

1.8 V

156 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC Qg

IRFR4620TRLPBF
Infineon Technologies
1: $2.861
7.630En existencias
15.000Se espera el 10-09-2026

N.º de artículo del Fabricante
IRFR4620TRLPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFR4620TRLPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC Qg

Obtenga más información

Hoja de datos

7.630En existencias

15.000Se espera el 10-09-2026

Cinta cortada

$2.861

$1.851

$1.220

$1.013

$940

Envase tipo carrete

$890

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

24 A

78 mOhms

- 20 V, 20 V

1.8 V

25 nC

- 55 C

+ 175 C

144 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 44A 54mOhm 60nC

IRFS38N20DTRLP
Infineon Technologies
1: $4.459
483En existencias
2.400Se espera el 27-08-2026

N.º de artículo del Fabricante
IRFS38N20DTRLP

N.º de artículo de Mouser
942-IRFS38N20DTRLP

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 44A 54mOhm 60nC

Obtenga más información

Hoja de datos

483En existencias

2.400Se espera el 27-08-2026

Cinta cortada

$4.459

$2.945

$2.188

$1.746

Envase tipo carrete

$1.746

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

44 A

54 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

320 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 62A 26mOhm 70nC Qg

IRFS4227TRLPBF
Infineon Technologies
1: $4.806
4.250En existencias
6.400Se espera el 28-08-2026

N.º de artículo del Fabricante
IRFS4227TRLPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFS4227TRLPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 62A 26mOhm 70nC Qg

Obtenga más información

Hoja de datos

4.250En existencias

6.400Se espera el 28-08-2026

Cinta cortada

$4.806

$3.176

$2.240

$1.798

Envase tipo carrete

$1.798

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

62 A

26 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

70 nC

- 40 C

+ 175 C

330 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 250V 45A 48mOhm 72nC Qg

IRFS4229TRLPBF
Infineon Technologies
1: $4.869
2.965En existencias
3.200Se espera el 04-02-2027

N.º de artículo del Fabricante
IRFS4229TRLPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFS4229TRLPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 250V 45A 48mOhm 72nC Qg

Obtenga más información

Hoja de datos

2.965En existencias

3.200Se espera el 04-02-2027

Cinta cortada

$4.869

$3.218

$2.272

$1.840

Envase tipo carrete

$1.840

$1.819

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

250 V

45 A

48 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

72 nC

- 40 C

+ 175 C

330 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC Qg

IRFS4620TRLPBF
Infineon Technologies
1: $3.649
6.041En existencias
20.800En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IRFS4620TRLPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFS4620TRLPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC Qg

Obtenga más información

Hoja de datos

6.041En existencias

20.800En pedido

Cinta cortada

$3.649

$2.377

$1.651

$1.273

Envase tipo carrete

$1.241

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

24 A

77.5 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

38 nC

- 55 C

+ 175 C

144 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC

IRFP250MPBF
Infineon Technologies
1: $3.386
3.125En existencias
2.400Se espera el 08-10-2026
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IRFP250MPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFP250MPBF

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC

Obtenga más información

Hoja de datos

3.125En existencias

2.400Se espera el 08-10-2026

$3.386

$1.883

$1.525

$1.220

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

200 V

30 A

75 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

82 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 0.6A 2200mOhm 3.9nC

IRF5801TRPBF
Infineon Technologies
1: $799
9.937En existencias
12.000Se espera el 28-01-2027

N.º de artículo del Fabricante
IRF5801TRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRF5801TRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 0.6A 2200mOhm 3.9nC

Obtenga más información

Hoja de datos

9.937En existencias

12.000Se espera el 28-01-2027

Cinta cortada

$799

$493

$318

$242

Envase tipo carrete

$185

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

TSOP-6

N-Channel

1 Channel

200 V

600 mA

2.2 Ohms

- 30 V, 30 V

2 V

3.9 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

IRFP4229PBFXKMA1
Infineon Technologies
1: $6.184
544En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFP4229PBFXKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IRFP4229PBFXKMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V

Obtenga más información

Hoja de datos

544En existencias

$6.184

$3.586

$2.945

$2.535

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247AC-3

N-Channel

1 Channel

250 V

44 A

46 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

72 nC

- 40 C

+ 175 C

310 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC

IRF630NPBF
Infineon Technologies
1: $1.546
110En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
IRF630NPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRF630NPBF

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC

Obtenga más información

Hoja de datos

110En existencias

$1.546

$766

$577

$467

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

9.3 A

300 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

23.3 nC

- 55 C

+ 175 C

82 W

Enhancement

Tube

200V to 250V HEXFET® Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte