Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

200V to 250V HEXFET® Power MOSFETs

Infineon 200V to 250V HEXFET® Power MOSFETs offer a broad range of MOSFETs in various packages, current and R_DS(on) ratings. These 200V to 250V HEXFET Power MOSFETs utilize the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with fast switching speed and ruggedized device design provides an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 25

Filtros aplicados:

Tecnología

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC IRFP260MPBF Infineon Technologies 1: $4.512 22.515En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRFP260MPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRFP260MPBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 200v 250v hexfet mosfets	Hoja de datos	22.515En existencias	$4.512 $2.290 $1.925 $1.618 $1.606	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	200 V	50 A	40 mOhms	20 V	4 V	156 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC IRFP250MPBF Infineon Technologies 1: $3.657 4.830En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IRFP250MPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRFP250MPBF NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 200v 250v hexfet mosfets	Hoja de datos	4.830En existencias	$3.657 $1.823 $1.492 $1.287	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 500	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	200 V	30 A	75 mOhms	20 V	4 V	82 nC	- 55 C	+ 175 C	214 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH >=100V Infineon Technologies IRFB4332PBFXKMA1 IRFB4332PBFXKMA1 Infineon Technologies 1: $7.007 1.373En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IRFB4332PBFXKMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IRFB4332PBFXKMA1 Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH >=100V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 200v 250v hexfet mosfets	Hoja de datos	1.373En existencias	Cinta cortada $7.007 $4.591 $3.384 $3.008 Envase tipo carrete $2.689	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.000																Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V IRFB4127PBFXKMA1 Infineon Technologies 1: $6.471 2.606En existencias 3.000En pedido	N.º de artículo del Fabricante IRFB4127PBFXKMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IRFB4127PBFXKMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 200v 250v hexfet mosfets	Hoja de datos	2.606En existencias 3.000En pedido	$6.471 $4.238 $3.122 $2.825 $2.461	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220AB-3	N-Channel	1 Channel	200 V	76 A	20 mOhms	20 V	5 V	69 nC	- 55 C	+ 175 C	375 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V IRFP4768PBFXKMA1 Infineon Technologies 1: $8.476 1.652En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRFP4768PBFXKMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IRFP4768PBFXKMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 200v 250v hexfet mosfets	Hoja de datos	1.652En existencias	$8.476 $4.546 $4.170 $4.158 $3.760	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247AC-3	N-Channel	1 Channel	250 V	93 A	17.5 mOhms	20 V	5 V	180 nC	- 55 C	+ 175 C	520 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC IRF640NPBF Infineon Technologies 1: $2.415 43.002En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRF640NPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRF640NPBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 200v 250v hexfet mosfets	Hoja de datos	43.002En existencias	$2.415 $1.242 $960 $776 Ver $695 $647 $574 $556	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	200 V	18 A	150 mOhms	20 V	2 V	44.7 nC	- 55 C	+ 175 C	150 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC IRF640NSTRLPBF Infineon Technologies 1: $2.449 32.919En existencias 5.600Se espera el 07-01-2027	N.º de artículo del Fabricante IRF640NSTRLPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRF640NSTRLPBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 200v 250v hexfet mosfets	Hoja de datos	32.919En existencias 5.600Se espera el 07-01-2027	Cinta cortada $2.449 $1.230 $1.046 $823 Envase tipo carrete $723 Ver $709 $682 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	200 V	18 A	150 mOhms	20 V	2 V	44.7 nC	- 55 C	+ 175 C	150 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 76A 23.2mOhm 100nC Qg IRFS4127TRLPBF Infineon Technologies 1: $6.448 7.797En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRFS4127TRLPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRFS4127TRLPBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 76A 23.2mOhm 100nC Qg Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 200v 250v hexfet mosfets	Hoja de datos	7.797En existencias	Cinta cortada $6.448 $3.372 $3.076 $2.575 Envase tipo carrete $2.575 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	200 V	72 A	22 mOhms	20 V	1.8 V	100 nC	- 55 C	+ 175 C	375 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 62A 26mOhm 70nC Qg IRFS4227TRLPBF Infineon Technologies 1: $5.206 14.435En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRFS4227TRLPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRFS4227TRLPBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 62A 26mOhm 70nC Qg Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 200v 250v hexfet mosfets	Hoja de datos	14.435En existencias	Cinta cortada $5.206 $2.677 $2.427 $1.948 Envase tipo carrete $1.948 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 2.400 : 800	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	200 V	62 A	26 mOhms	30 V	5 V	70 nC	- 40 C	+ 175 C	330 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V Infineon Technologies IRFP4227PBFXKMA1 IRFP4227PBFXKMA1 Infineon Technologies 1: $6.995 2.360En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRFP4227PBFXKMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IRFP4227PBFXKMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 200v 250v hexfet mosfets		2.360En existencias	$6.995 $3.680 $3.429 $2.905	Min.: 1 Mult.: 1	Si															Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V Infineon Technologies IRFP4229PBFXKMA1 IRFP4229PBFXKMA1 Infineon Technologies 1: $6.767 723En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRFP4229PBFXKMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IRFP4229PBFXKMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 200v 250v hexfet mosfets	Hoja de datos	723En existencias	$6.767 $3.555 $3.247 $3.224 $2.985	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247AC-3	N-Channel	1 Channel	250 V	44 A	46 mOhms	30 V	5 V	72 nC	- 40 C	+ 175 C	310 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 0.6A 2200mOhm 3.9nC IRF5801TRPBF Infineon Technologies 1: $866 17.885En existencias 12.000Se espera el 18-02-2027	N.º de artículo del Fabricante IRF5801TRPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRF5801TRPBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 0.6A 2200mOhm 3.9nC Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 200v 250v hexfet mosfets	Hoja de datos	17.885En existencias 12.000Se espera el 18-02-2027	Cinta cortada $866 $391 $344 $262 Envase tipo carrete $201 Ver $191 $174 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	TSOP-6	N-Channel	1 Channel	200 V	600 mA	2.2 Ohms	30 V	2 V	3.9 nC	- 55 C	+ 150 C	2 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V Infineon Technologies IRFB4227PBFXKMA1 IRFB4227PBFXKMA1 Infineon Technologies 1: $4.341 7.794En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRFB4227PBFXKMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IRFB4227PBFXKMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 200v 250v hexfet mosfets		7.794En existencias	$4.341 $2.199 $1.982 $1.618 Ver $1.606 $1.504 $1.470	Min.: 1 Mult.: 1	Si															Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V Infineon Technologies IRFB4229PBFXKMA1 IRFB4229PBFXKMA1 Infineon Technologies 1: $5.753 2.643En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRFB4229PBFXKMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IRFB4229PBFXKMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 200v 250v hexfet mosfets	Hoja de datos	2.643En existencias	$5.753 $3.771 $2.814 $2.449 Ver $2.073 $2.039	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220AB-3	N-Channel	1 Channel	250 V	46 A	46 mOhms	30 V	5 V	72 nC	- 40 C	+ 175 C	330 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V Infineon Technologies IRFP4668PBFXKMA1 IRFP4668PBFXKMA1 Infineon Technologies 1: $9.524 41.499En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRFP4668PBFXKMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IRFP4668PBFXKMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET >60-400V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 200v 250v hexfet mosfets	Hoja de datos	41.499En existencias	$9.524 $6.369 $5.127 $4.546 $4.033	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247AC-3	N-Channel	1 Channel	200 V	130 A	9.7 mOhms	30 V	3 V	161 nC	- 55 C	+ 175 C	520 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC IRF630NPBF Infineon Technologies 1: $1.572 9.967En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRF630NPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRF630NPBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 200v 250v hexfet mosfets	Hoja de datos	9.967En existencias	$1.572 $733 $651 $506 Ver $481 $459 $422 $408 $359	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	200 V	9.3 A	300 mOhms	20 V	2 V	23.3 nC	- 55 C	+ 175 C	82 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V, 3.7A, 78 mOhm 29 nC Qg, SO-8 IRF7820TRPBF Infineon Technologies 1: $2.757 6.307En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRF7820TRPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRF7820TRPBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V, 3.7A, 78 mOhm 29 nC Qg, SO-8 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 200v 250v hexfet mosfets	Hoja de datos	6.307En existencias	Cinta cortada $2.757 $1.344 $1.151 $944 Ver Envase tipo carrete $821 $893 $854 $821 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 4.000	Si	SMD/SMT	SOIC-8	N-Channel	1 Channel	200 V	3.7 A	78 mOhms	20 V	4 V	28 nC	- 55 C	+ 150 C	2.5 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 44A 54mOhm 60nC IRFB38N20DPBF Infineon Technologies 1: $3.771 4.125En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRFB38N20DPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRFB38N20DPBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 44A 54mOhm 60nC Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 200v 250v hexfet mosfets	Hoja de datos	4.125En existencias	$3.771 $1.982 $1.686 $1.367 $1.001	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	200 V	44 A	54 mOhms	30 V	1.8 V	91 nC	- 55 C	+ 175 C	3.8 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 100mOhm 18A 18nC Qg for Aud IRFB4020PBF Infineon Technologies 1: $3.099 7.793En existencias 4.000Se espera el 25-11-2026	N.º de artículo del Fabricante IRFB4020PBF N.º de artículo de Mouser 942-IRFB4020PBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 100mOhm 18A 18nC Qg for Aud Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 200v 250v hexfet mosfets	Hoja de datos	7.793En existencias 4.000Se espera el 25-11-2026	$3.099 $1.527 $1.367 $1.097 Ver $1.032 $1.001 $951	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	200 V	18 A	100 mOhms	20 V	1.8 V	18 nC	- 55 C	+ 175 C	100 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC IRFP260NPBF Infineon Technologies 1: $4.477 5.586En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRFP260NPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRFP260NPBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 200v 250v hexfet mosfets	Hoja de datos	5.586En existencias	$4.477 $2.449 $2.187 $1.766 Ver $1.663 $1.629	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	200 V	50 A	40 mOhms	20 V	1.8 V	156 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC Qg IRFR4620TRLPBF Infineon Technologies 1: $3.224 4.411En existencias 24.000En pedido	N.º de artículo del Fabricante IRFR4620TRLPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRFR4620TRLPBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC Qg Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 200v 250v hexfet mosfets	Hoja de datos	4.411En existencias 24.000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IRFR4620TRLPBF Existencias: 4.411 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 12.000 Se espera el 03-12-2026 12.000 Se espera el 25-02-2027 Plazo de entrega de fábrica: 23 Semanas	Cinta cortada $3.224 $2.062 $1.401 $1.196 $1.058 Envase tipo carrete $1.001 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	200 V	24 A	78 mOhms	20 V	1.8 V	25 nC	- 55 C	+ 175 C	144 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 44A 54mOhm 60nC IRFS38N20DTRLP Infineon Technologies 1: $5.070 2.006En existencias 1.600Se espera el 12-08-2027	N.º de artículo del Fabricante IRFS38N20DTRLP N.º de artículo de Mouser 942-IRFS38N20DTRLP	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 44A 54mOhm 60nC Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 200v 250v hexfet mosfets	Hoja de datos	2.006En existencias 1.600Se espera el 12-08-2027	Cinta cortada $5.070 $2.609 $2.370 $1.891 Envase tipo carrete $1.891 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	200 V	44 A	54 mOhms	30 V	5 V	60 nC	- 55 C	+ 175 C	320 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 250V 45A 48mOhm 72nC Qg IRFS4229TRLPBF Infineon Technologies 1: $5.275 5.951En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRFS4229TRLPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRFS4229TRLPBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 250V 45A 48mOhm 72nC Qg Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 200v 250v hexfet mosfets	Hoja de datos	5.951En existencias	Cinta cortada $5.275 $2.711 $2.461 $2.051 Envase tipo carrete $1.971 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 800	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	250 V	45 A	48 mOhms	30 V	5 V	72 nC	- 40 C	+ 175 C	330 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC IRFP250NPBF Infineon Technologies 1: $3.338 512En existencias 123.200En pedido	N.º de artículo del Fabricante IRFP250NPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRFP250NPBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 200v 250v hexfet mosfets	Hoja de datos	512En existencias 123.200En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IRFP250NPBF Existencias: 512 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 42.000 Se espera el 31-12-2026 40.400 Se espera el 15-07-2027 40.800 Se espera el 16-09-2027 Plazo de entrega de fábrica: 25 Semanas	$3.338 $1.937 $1.618 $1.379 Ver $1.344 $1.299 $1.253	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	200 V	30 A	75 mOhms	20 V	1.8 V	82 nC	- 55 C	+ 175 C	214 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC Qg IRFS4620TRLPBF Infineon Technologies 1: $4.398 112En existencias 38.400En pedido	N.º de artículo del Fabricante IRFS4620TRLPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRFS4620TRLPBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC Qg Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 200v 250v hexfet mosfets	Hoja de datos	112En existencias 38.400En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IRFS4620TRLPBF Existencias: 112 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 20.800 Se espera el 04-03-2027 17.600 Se espera el 06-05-2027 Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	Cinta cortada $4.398 $2.860 $2.005 $1.675 Envase tipo carrete $1.561 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 3.000 : 800	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	200 V	24 A	77.5 mOhms	20 V	5 V	38 nC	- 55 C	+ 175 C	144 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel

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