Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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IPA60R099P6XKSA1
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CoolMOS

Tube

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IPW60R099P6XKSA1
Infineon Technologies
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IPW60R099P6XKSA1

N.º de artículo de Mouser
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.4A TO220FP-3

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Infineon Technologies
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8En existencias
1.000Se espera el 01-10-2026

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IPA60R160P6XKSA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 7.7A TO220FP-3

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Infineon Technologies
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IPA60R280P6XKSA1

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726-IPA60R280P6XKSA1

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IPP60R099P6
Infineon Technologies
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496En existencias

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IPP60R099P6

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726-IPP60R099P6

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496En existencias

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IPP60R125P6XKSA1
Infineon Technologies
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IPP60R125P6XKSA1

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Infineon Technologies

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30 A

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IPW60R070P6

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726-IPW60R070P6

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