U-MOSIII MOSFETs

Toshiba U-MOSIII MOSFETs are single- and dual-channel MOSFETs ideal for high-speed switching applications. These Toshiba MOSFETs offer a low drain to source on-resistance and a low voltage gate drive.

Resultados: 43
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET
277.137En existencias
Cinta cortada
$296
$130
$112
$82,3
Envase tipo carrete
$58,2
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: 3.000
Si SMD/SMT SOT-416-3 P-Channel 1 Channel 20 V 330 mA 1.31 Ohms 8 V 300 mV 1.2 nC + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET N-ch VDSS=30V, VGSS=+/-12V, ID=2.0A, RDS(ON)=0.123Ohm @ 4V, in UFM package
24.293En existencias
Cinta cortada
$626
$282
$247
$186
Envase tipo carrete
$136
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: 3.000
Si SMD/SMT UFM-3 N-Channel 1 Channel 30 V 2 A 93 mOhms 12 V 1 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 800 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET N-ch VDSS=20V, VGSS=+/-10V, ID=3.0A, RDS(ON)=0.055Ohm @ 4V, in UF6 package
2.128En existencias
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$911
$407
$358
$271
Envase tipo carrete
$172
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: 3.000
Si SMD/SMT UDFN-6 N-Channel 1 Channel 20 V 3 A 55 mOhms 10 V 1 V 5.9 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V UMOS9 0.66mohm S-TOGL 1.725En existencias
Cinta cortada
$4.502
$2.295
$2.009
$1.724
$1.625
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$1.625
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: 1.500
Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 40 V 200 A 530 uOhms 20 V 3 V 128 nC + 175 C 375 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.8A VDSS=20V 210.370En existencias
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$549
$244
$213
$160
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$114
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: 4.000
Si SMD/SMT SOT-563-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 20 V 80 mA, 720 mA 240 mOhms, 300 mOhms - 8 V, 10 V 350 mV, 1 V 2 nC, 1.76 nC - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement U-MOSIII / U-MOSV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V 58.411En existencias
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$253
$112
$97,7
$71,4
Envase tipo carrete
$51,6
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: 3.000
Si SMD/SMT SSM-3 N-Channel 1 Channel 20 V 250 mA 1.1 Ohms 10 V 1 V 340 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UFM S-MOS Pd: 0.8W F: 1MHz
27.008En existencias
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$769
$473
$303
$229
Envase tipo carrete
$176
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: 3.000
Si SMD/SMT UFM-3 N-Channel 1 Channel 20 V 4.2 A 28 mOhms 10 V 350 mV 13.6 nC - 55 C + 150 C 800 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET 41.149En existencias
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$329
$145
$126
$93,3
Envase tipo carrete
$56
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: 10.000
Si SMD/SMT CST3-3 N-Channel 1 Channel 30 V 100 mA 3.6 Ohms 20 V 800 mV - 55 C + 150 C 100 mW Enhancement U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig N-CH MOS 30V 0.1A 20V VGSS 77.071En existencias
16.000En pedido
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$307
$137
$119
$87,8
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$46,1
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: 8.000
Si N-Channel 1 Channel U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal FET 0.5A 20V 46pF 1.52
48.773En existencias
416.000En pedido
Cinta cortada
$417
$186
$162
$121
Envase tipo carrete
$67
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: 8.000
Si SMD/SMT SOT-723-3 N-Channel 1 Channel 20 V 500 mA 630 mOhms 5 V 350 mV 1.23 nC + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig N-CH MOS 0.1A 30V -20 VGSS 60.177En existencias
180.000Se espera el 29-03-2027
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$461
$287
$179
$133
Envase tipo carrete
$103
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: 3.000
Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 2 Channel 30 V 100 mA 3.6 Ohms 20 V 800 mV - 55 C + 150 C 300 mW Enhancement U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V 63.897En existencias
Cinta cortada
$417
$186
$162
$121
Envase tipo carrete
$97,7
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: 4.000
Si SMD/SMT SOT-563-6 N-Channel 2 Channel 20 V 250 mA 750 mOhms 10 V 350 mV 340 pC - 55 C + 150 C 250 mW Enhancement U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch x 2 VDSS=-30V, VGSS=+/-20V, ID=-1.4A, RDS(ON)=0.403Ohm @ 4V
37.061En existencias
Cinta cortada
$703
$437
$280
$212
Envase tipo carrete
$160
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: 3.000
Si SMD/SMT UF-6 P-Channel 1 Channel 30 V 1.4 A 226 mOhms 20 V 2 V 2.9 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig N-CH MOS 30V 0.1A 20V VGSS 17.439En existencias
Cinta cortada
$285
$125
$109
$80,2
Envase tipo carrete
$57,1
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: 3.000
Si N-Channel 1 Channel U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET
16.172En existencias
Cinta cortada
$307
$137
$119
$87,8
Envase tipo carrete
$63,7
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Min.: 1
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: 3.000
Si SMD/SMT SOT-416-3 N-Channel 1 Channel 20 V 500 mA 630 mOhms 10 V 350 mV 1.23 nC - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Low ON Resistane Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50.359En existencias
75.000En pedido
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$264
$114
$99,9
$72,5
Envase tipo carrete
$51,6
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: 3.000
Si SMD/SMT SOT-416-3 N-Channel 1 Channel 20 V 200 mA 2.2 Ohms 10 V 350 mV - 55 C + 150 C 100 mW Enhancement U-MOSIII Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET N-ch VDSS=20V, VGSS=+/-10V, ID=2.0A, RDS(ON)=0.123Ohm @ 4V, in UFM package
11.786En existencias
Cinta cortada
$593
$266
$233
$176
Envase tipo carrete
$158
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Min.: 1
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: 3.000
Si SMD/SMT UFM-3 N-Channel 1 Channel 20 V 2 A 123 mOhms 10 V 1 V 3.4 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig N-CH MOS 30V 0.1A 20V VGSS 7.228En existencias
10.000Se espera el 28-09-2026
Cinta cortada
$307
$137
$120
$87,8
Envase tipo carrete
$52,7
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Min.: 1
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: 10.000
Si SMD/SMT CST3-3 N-Channel 1 Channel 30 V 100 mA 2.3 Ohms 20 V 1.5 V - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET 12.050En existencias
15.000Se espera el 09-11-2026
Cinta cortada
$329
$187
$114
$82,3
Envase tipo carrete
$62,6
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 30 V 100 mA 3.6 Ohms 20 V 800 mV - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V 36.421En existencias
144.000En pedido
Cinta cortada
$253
$108
$94,4
$69,2
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Envase tipo carrete
$36,2
Min.: 1
Mult.: 1
: 8.000
Si SMD/SMT VESM-3 N-Channel 1 Channel 20 V 250 mA 1.1 Ohms 10 V 1 V 340 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET 29.844En existencias
Cinta cortada
$296
$130
$112
$82,3
Envase tipo carrete
$59,3
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Min.: 1
Mult.: 1
: 10.000
Si SMD/SMT CST3-3 N-Channel 1 Channel 20 V 200 mA 5.6 Ohms 10 V 350 mV - 55 C + 150 C 100 mW Enhancement U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal FET 0.25A 20V 12pF 4.501En existencias
32.000Se espera el 23-10-2026
Cinta cortada
$296
$130
$112
$82,3
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Envase tipo carrete
$43,9
Min.: 1
Mult.: 1
: 8.000
Si SMD/SMT SOT-723-3 N-Channel 1 Channel 20 V 250 mA 2.2 Ohms 10 V 350 mV - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch VDSS=-30V, VGSS=+/-20V, ID=-2.5A, RDS(ON)=0.145Ohm @ 4V, in UF6 package
5.625En existencias
Cinta cortada
$714
$322
$282
$213
Envase tipo carrete
$204
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT UF-6 P-Channel 1 Channel 30 V 2.5 A 73 mOhms 20 V 2.6 V 16 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET
3.955En existencias
Cinta cortada
$714
$322
$282
$213
Envase tipo carrete
$162
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT UDFN-6 N-Channel 1 Channel 20 V 4.2 A 66 mOhms 10 V 350 mV 16.8 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET N-ch VDSS=20V, VGSS=+/-10V, ID=2.0A, RDS(ON)=0.126Ohm @ 4V, in UF6 package 63En existencias
Cinta cortada
$582
$358
$227
$171
Envase tipo carrete
$128
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT UDFN-6 N-Channel 1 Channel 20 V 2 A 126 mOhms 10 V 1 V 3.4 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel