Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

IPA90R340C3XKSA2
Infineon Technologies
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585En existencias
NRND

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IPA90R340C3XKSA2

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726-IPA90R340C3XKSA2

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

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585En existencias

$7.236

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Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 1.9A DPAK-2

IPD80R2K8CEATMA1
Infineon Technologies
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NRND

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IPD80R2K8CEATMA1

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726-IPD80R2K8CEATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 1.9A DPAK-2

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Cinta cortada

$1.714

$813

$725

$623

$578

Envase tipo carrete

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Enhancement

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Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

SPD06N80C3ATMA1
Infineon Technologies
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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

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3.446En existencias

Cinta cortada

$2.640

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$880

Envase tipo carrete

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MouseReel Disponible

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DPAK-3 (TO-252-3)

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Enhancement

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Reel, Cut Tape, MouseReel

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IPAN70R360P7SXKSA1
Infineon Technologies
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IPAN70R360P7SXKSA1

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726-IPAN70R360P7SXKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPA60R125P6XKSA1
Infineon Technologies
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IPA60R125P6XKSA1

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726-IPA60R125P6XKSA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

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CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Infineon Technologies
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IPD50R280CEAUMA1

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726-IPD50R280CEAUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Infineon Technologies
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IPN70R600P7SATMA1

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726-IPN70R600P7SATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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SPW55N80C3
Infineon Technologies
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SPW55N80C3

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 850V 54.9A TO247-3

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Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 850V 54.9A TO247-3

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Infineon Technologies
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SPW55N80C3FKSA1

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 850V 54.9A TO247-3

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284En existencias

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY

IPW90R120C3XKSA1
Infineon Technologies
1: $17.332
194En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
IPW90R120C3XKSA1

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NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY

Hoja de datos

194En existencias

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Enhancement

Tube

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SPB11N60C3
Infineon Technologies
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NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPB11N60C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPB11N60C3

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 11A D2PAK-2 CoolMOS C3

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1.015En existencias

Cinta cortada

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Envase tipo carrete

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D2PAK-3 (TO-263-3)

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Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.7A TO247-3 CoolMOS C3

SPW20N60C3
Infineon Technologies
1: $6.215
2.705En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPW20N60C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPW20N60C3

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.7A TO247-3 CoolMOS C3

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2.705En existencias

$6.215

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$2.377

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Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPA60R099P6XKSA1
Infineon Technologies
1: $6.089
854En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R099P6XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R099P6XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

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854En existencias

$6.089

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Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R600P7SAUMA1
Infineon Technologies
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7.494En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R600P7SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R600P7SAUMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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7.494En existencias

Cinta cortada

$1.304

$608

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Envase tipo carrete

$328

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DPAK-3 (TO-252-3)

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1 Channel

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9 nC

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30 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA50R500CEXKSA2
Infineon Technologies
1: $1.588
912En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
IPA50R500CEXKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPA50R500CEXKSA2

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

Hoja de datos

912En existencias

$1.588

$753

$670

$525

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Min.: 1
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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

11.1 A

1.17 Ohms

20 V

3 V

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- 40 C

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28 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

IPB90R340C3ATMA2
Infineon Technologies
1: $7.151
1.194En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPB90R340C3ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPB90R340C3ATMA2

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

Hoja de datos

1.194En existencias

Cinta cortada

$7.151

$3.797

$3.481

$3.250

Envase tipo carrete

$2.903

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 1.000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

900 V

15 A

340 mOhms

20 V

3.5 V

94 nC

- 55 C

+ 150 C

208 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

SPA11N80C3XKSA2
Infineon Technologies
1: $3.786
304En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPA11N80C3XKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-SPA11N80C3XKSA2

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

Hoja de datos

304En existencias

$3.786

$1.904

$1.725

$1.388

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

1 A

450 mOhms

20 V

3 V

85 nC

- 55 C

+ 150 C

34 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R280P7SAUMA1
Infineon Technologies
1: $1.904
2.879En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R280P7SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R280P7SAUMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

2.879En existencias

Cinta cortada

$1.904

$906

$809

$637

Envase tipo carrete

$522

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

12 A

214 mOhms

20 V

3 V

18 nC

- 40 C

+ 150 C

53 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN50R2K0CEATMA1
Infineon Technologies
1: $789
2.632En existencias
6.000Se espera el 29-10-2026

N.º de artículo del Fabricante
IPN50R2K0CEATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN50R2K0CEATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

2.632En existencias

6.000Se espera el 29-10-2026

Cinta cortada

$789

$359

$316

$240

Envase tipo carrete

$184

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

500 V

2.4 A

4.68 Ohms

20 V

2.5 V

6 nC

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+ 150 C

5 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 18.5A TO220-3

IPP50R190CEXKSA1
Infineon Technologies
1: $2.997
460En existencias
1.000Se espera el 24-09-2026

N.º de artículo del Fabricante
IPP50R190CEXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP50R190CEXKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 18.5A TO220-3

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Hoja de datos

460En existencias

1.000Se espera el 24-09-2026

$2.997

$1.325

$1.209

$957

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

24.8 A

170 mOhms

20 V

2.5 V

47.2 nC

- 55 C

+ 150 C

152 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.3A TO220FP-3

IPA60R400CEXKSA1
Infineon Technologies
1: $2.251
53En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R400CEXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R400CEXKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.3A TO220FP-3

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Hoja de datos

53En existencias

$2.251

$1.178

$875

$673

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

600 V

14.7 A

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20 V

3 V

32 nC

- 40 C

+ 150 C

31 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA60R180P7SXKSA1
Infineon Technologies
1: $2.671
669En existencias
1.000Se espera el 03-06-2027

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R180P7SXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R180P7SXKSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

669En existencias

1.000Se espera el 03-06-2027

$2.671

$1.367

$1.167

$943

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

145 mOhms

20 V

3 V

25 nC

- 40 C

+ 150 C

26 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 8.6A TO220FP-3

IPA60R230P6XKSA1
Infineon Technologies
1: $3.229
447En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R230P6XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R230P6XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 8.6A TO220FP-3

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Hoja de datos

447En existencias

$3.229

$1.609

$1.483

$1.157

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Min.: 1
Mult.: 1

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N-Channel

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600 V

16.8 A

538 mOhms

20 V

4 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

33 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 7.7A TO220FP-3

IPA60R280P6XKSA1
Infineon Technologies
1: $2.955
990En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R280P6XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R280P6XKSA1

Infineon Technologies

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

13.8 A

252 mOhms

20 V

3.5 V

25.5 nC

- 55 C

+ 150 C

32 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R360P7SAUMA1
Infineon Technologies
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IPD60R360P7SAUMA1

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726-IPD60R360P7SAUMA

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Cinta cortada

$1.725

$958

$706

$553

$508

Envase tipo carrete

$395

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

9 A

300 mOhms

20 V

3 V

13 nC

- 40 C

+ 150 C

41 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

1 A
1.9 A
2.4 A
3 A
5 A
5.1 A
6 A
8.5 A
9 A
9.9 A
10.1 A
11 A
11.1 A
12 A
12.5 A
13 A
13.8 A
14.7 A
15 A
16.8 A

77 mOhms
89 mOhms
113 mOhms
120 mOhms
144 mOhms
145 mOhms
170 mOhms
190 mOhms
214 mOhms
252 mOhms
280 mOhms
300 mOhms
340 mOhms
380 mOhms
450 mOhms
490 mOhms
538 mOhms
540 mOhms
600 mOhms
650 mOhms

3.8 nC
6 nC
9 nC
9.4 nC
10.5 nC
12 nC
13 nC
16.4 nC
18 nC
18.7 nC
20.5 nC
23 nC
25 nC
25.5 nC
28 nC
31 nC
32 nC
32.6 nC
44 nC
45 nC

5 W
6 W
6.9 W
7 W
26 W
26.5 W
28 W
30 W
31 W
32 W
33 W
34 W
35 W
41 W
42 W
53 W
82 W
83 W
92 W
119 W